Si-CheckIR エスアイチェッカー Si-CheckIR はシリコンウェハー表面に形成される表面皮膜やコーティング、有機汚染など測定を目的とした FT-IR 用の表面分析 ATR アクセサリーです。シリコンウェハーやガラスなどの表面を、多重反射ATR測定により分析することができます。結晶には高屈折率のゲルマニウムを使用し、サンプルの表面測定をすることを可能にしています。 2種類のサンプルプレスチップにより、大きな6インチのウェハーや数センチ角の小片まで、いろいろな大きさのサンプルを測定することが出来ます。 ATR法は、ウェハーの洗浄後のシリコン表面の水素終端や酸化の状態なども、常圧下で簡単に測定できる効率的な手法です。しかし、シリコンウェハーのATR測定には通常の測定以上に試料とATR結晶との密着性が要求されます。従来のホルダーでは安定した密着度と圧力が得られないため定量的な再現性において不完全な結果となっていました。エスアイ･チェッカーは独自開発のユニークな加圧プレス機構と特別な結晶により容易に良好な結果が得られ、再現性の高いシリコンウェハーの表面測定が行えます。また、多反射測定ができることで、ピーク強度を大きくし、感度を増大しています。エスアイ･チェッカーは高いエネルギー効率を持つゲルマニウムクリスタルと光学系を採用しており、SN 比の良いスペクトルをえることが出来ます。 12 インチタイプの大型ステージをもった Si-CheckIR では、より大きなサンプルを切断などの前処理をすることなく効率的な測定が行えます。殆ど全ての FT-IR への取付けが可能です。シリコンウェハーをセットした様子異なる厚さのSi-CHをコーティングしたSiウェハーのスペクトル特徴：・従来の 1.5 倍の加重をかけることが出来、サンプルとの密着性をより高いものにしました。・プレッシャーデバイスがスイングすることが出来ました。これにより Ge 結晶の表面洗浄を簡単にします。・躯体を頑丈な構造に改良することにより、より再現性の高い測定を行うことが出来ます。・2 種類のサンプルプレスチップにより、大きなサンプルを切断せずに多重反射での測定と、小さなサンプルを数回反射で測定することが出来ます。【販売代理店】（株）テクノサイエンス TEL:043-206-0115 FAX:043-206-0118 HF洗浄後のシリコンウェハーのスペクトル自然酸化膜が生成しているシリコンウェハーのスペクトル中左: 2種類のSiHのピーク赤のスペクトルは洗浄が不完全のため、 Si-Oのピークがまだ見受けられます. 銅を各種の処理をしたウェハーにスパッターしたサンプルの表面を Si-CheckIR で測定 Cu on Si-Wafer spattered Si-Wafer SiCN on Cu spattered Si-Wafer 特長：・・・・ワンタッチレバーの加圧機構は、試料全面にかかる加圧強度が一様かつ一定でスペクトルの再現性を高めます. 試料への加圧は常にATR結晶に垂直．試料の傾き設置防止機能を有し、大きな試料に対応した試料ステージ. 試料への光の入射角度範囲が±1.5°以内と、正確な角度の全反射測定を実現する光学系を採用しています. SiCH on Cu spattered Si-Wafer 12 インチウェハー用の大型ステージウェハーのサイズに合わせた特注も可能です仕様： ATR 結晶材質：試料入射角度：反射回数：ゲルマニウム 60 度 7回 ORDERING INFORMATION 品番 STJ-0157 STJ-0157-01 STJ-0157-12 品名・内容 Si-CheckIR Si-CheckIR 用 Ge/60 結晶 12inch Si-CheckIR 【販売代理店】（株）テクノサイエンス TEL:043-206-0115 FAX:043-206-0118