2SC3286-M

シリコンパワートランジスタ
SiliconPowerTransistor
2SC3286-M
NPNエピタキシアル形シリコントランジスタ
230MHz高電圧･広帯域･高周波電力増幅用
通信エ業用
外形図（Uni1:m、）
特長
○230MHzにて高利得・高出力か}!ﾄられます。
P1，＝140W(VCC＝28V，Pi向＝10W，CIasSAB）
OPush-PuⅡ櫛造のため広帯域設計･が審甥。
○エミ。,夕安定化抵抗を内蔵。
OVSWR＝“に鮒えます。
○内部盤合回淵内蔵。
o命屯俺のため断い侭*fi度か緋られます。
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コレクタ・ベース間迩圧
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1．コレクタ
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3．ベース
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電気的特性(Ta=25X)
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応悶回盤例
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訓
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Cl＝C2＝5IpF
C3＝40PF
C4＝弱PF
C3＝Q＝39PF
LⅡ＝此＝マイクロストリップライン70×5唾画
Lz＝L了＝釦、セミリジ･ソドヶープル75mm
L3−6＝マイクロストリップライン（単位：、画）
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鵬慨材質：ガラスエ狼キシ購似t＝1.6mm
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2SC3286-M
製品取扱い上のご注窓
本製品は，内部にベリリア磁器（鮭化ベリリウム）を使州Iしております。鹸化ベリリウムは，その粉末や縦気が
人体の呼吸器系に入ると呼吸困難などの障害が起こ-'此危険ですので､製品の分解または化学的処理はされないよ
うお願いいたします。
また，製品を廃棄する柵合は，一般産業廃蕊物あるいは家曜用ゴミとは必ず別にしてください。
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