NEWS RELEASE 2014年8月5日 HGST HGST Flash Memoryサミットにて世界最速SSDの技術デモンストレーション新しい不揮発性メモリ技術を採用したPCIe SSDで３百万IOPSと1.5マイクロ秒のアクセスタイムを実現 HGST(社長：Mike Cordano （マイク・コルダノ）)は、データ処理をより高速化する新しいアーキテクチャのソリッド・ステート・ドライブ（以下、SSD）の技術デモンストレーション（以下、デモ）を行います。HGSTの新しいレイテンシ最適化インタフェースプロトコルに次世代の不揮発性メモリ技術を組み合わせたデモは、これまでのSSDの性能レベルを凌駕するものです。 PCIeインタフェースのSSDのデモは、Queued環境で512バイトのランダムリードで3百万IOPS （注1）、 Non-Queuedでランダムリードアクセスのテイテンシは1.5マイクロ秒（マイクロは百万分の1。以下、us）と、現状のNANDフラッシュメモリで構成するSSDの性能では達成不可能なレベルです。フラッシュベースの現状のSSDをはるかに超える性能によって、新しいブロック・ストレージ・デバイスを生み出します。（注1） IOPSは、Input Output Operations Per Second の略 HGST チーフテクノロジオフィサーのSteve Campbell（スティーブ・キャンベル）は次のように述べています。「今回の技術デモは、HGSTが急速に革新するストレージ業界にうまく歩調を合わせている好例といえます。この技術は、エンタープライズアプリケーションの次のレベルの高速化を提供することを目標とした、ここ数年の研究開発の成果です。HGSTの低レイテンシインタフェースプロトコルと次世代の不揮発性メモリ技術の組み合わせは、比類のない性能に加えHGSTがお客様やパートナーと共に探求する新しいソフトウエアやシステムアーキテクチャを生み出す素晴らしい機会となると確信しています。」新しい不揮発性メモリベースのSSD 新しい不揮発性メモリベースのSSDについて SSDについて今回の技術デモのSSDは、1ギガビット（ギガは10億。以下、Gb）の相変化メモリ（Phase Change Memory。以下、PCM）で構成されています。PCMは、従来のNANDフラッシュメモリと比べ、劇的にアクセスを高速化する高密度、不揮発性メモリ技術のひとつです。 HGSTは、この新しいメモリ技術を広くサーバシステムやソフトウエアアプリケーションに展開するために、メモリの性能を最適化する低レイテンシのインタフェースアーキテクチャを開発しました。これまでのコントローラ開発経験を45ナノメートル（（ナノは10億分の１。以下、nm）プロセス、1Gb PCMチップと統合して、フルハイト、フルレングスのPCIe Gen 2x4 SSDカードを制作しました。 HGSTは、カリフォルニア大学と共同して、レイテンシを1us近くまで向上した新しいプロトコルを開発しました。このインタフェースプロトコルは 2014年2月に開催されたUsenix ConferenceのFAST(File and Storage Technologies)で紹介されています。 Page 1 of 2 新しいクラスのストレージ HGST リサーチ、ストレージ・アーキテクチャマネージャのDr. Zvonimir Bandic（ズボニミール・バンディック）は次のように述べています。「3百万IOPSは非常に高い性能ですが、このデモの最もエキサイティングなポイントは他にあります。スモールブロックのランダムリードで1usにせまるレイテンシを可能としたことです。これは、現状のNANDフラッシュ、コントローラおよびインタフェース技術ではなし得ない成果です。」 NANDフラッシュに比べ、この新しい不揮発性メモリの先進性における最大のポイントは、リードレイテンシを2桁以上も向上させたことです。この先進的な性能を生かす新しいコントローラとインタフェースが必要となります。このプロトコルは、まだ紹介されたばかりですが、将来的にはデータセンタの新しいクラスのストレージとして採用されていくでしょう。 HGSTのPCM SSD技術デモは、8月6日（水）および7日（木）の2日間、米国カリフォルニア州サンタクララコンベンションセンターで開催される「2014 Flash Memory Summit」のHGSTブース No.316で行われます。 ■報道関係お問い合わせ先株式会社HGSTジャパン企画管理部マーケティング・広報グループ【担当: 鈴木 (健)】〒252-0888 神奈川県藤沢市桐原町1番地電話 0466-98-4044 (ダイヤルイン) 以上 HGST News Release Page 2 of 2