Ti系酸化物表面の原子・電子構造制御 Naoki Nagatsuka, Keisuke Fukada, Kotaro Takeyasu Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Fukutani laboratory BACKGROUND and PURPOSE 光触媒・燃料電池などの反応 固体表面と分子の相互作用 酸化物表面の欠陥 =固体表面と分子の相互作用 ・電子状態変化 ・エネルギー・角運動量の交換 ・電子状態を変化 ・分子との相互作用を促進 H2O O2 物質 H2 C.B. エネルギー H2O V.B. O2 H2 e- 紫外光電子分光(UPS) HeⅠ:h=21.22 eV 電子衝撃脱離(ESD) Ti 3d UHVアニール e- O 2p (1500 eV) 超高真空でサンプルを加熱し, 酸素欠陥を生成 酸素欠陥: 酸素が欠けたサイト ・周囲への電子供与 ・原子・分子の反応性を高める Knotek-Feibelman model Ti4+ - O2- Ti4+ - O+ 反発 M. L. Knotek, Surf. Sci. 101, 334 (1980). TiO2 RESULT and PLAN SrTiO3 (001) Ti Rutile型最安定面 UHVアニール バンドギャップ内にEF下0.8eVに 新たなピーク Ti 3d軌道に電子をドープ 最表面に酸素欠損ができやすい ピークは酸素欠陥と格子間Tiか 酸素欠損のほかに格子間Tiが存在 らなる ブリッジサイトの酸素が欠損を作 りやすい 現在進行中 Anatase型TiO2(101) UPS 装置図 UPSの原理 脱離 SrTiO3 RESULT and DISCUSSION Rutile型TiO2(110) o 固体表面に紫外線を照射し,光電効果により飛び出してくる 電子のエネルギー分布を測定 ⇒物質の価電子状態 電子線照射による内殻正孔励起 ⇒最表面の酸素欠を生成 Rutile型TiO2(110) Anatase型TiO2(101) SrTiO3 (001) e- 目的:Ti系酸化物表面の原子構造を制御し, その表面の電子状態を明らかにする h+ EXPERIMENTAL 試料 H2 Ti系酸化物 (可視)光触媒,燃料電池材料, 酸化物デバイス H+ Eg O2 アナターゼの最安定面 バルクはRutileの方が安定だが 表面はAnataseの方が安定 表面から1,2層下のサブサーフェイス 領域に酸素欠損ができやすい Rutile型より高い反応性 酸素欠損が出来たときの表面の 電子状態が未解明 Rutileとの比較により反応性の違い を明らかにする CONCLUSIONS ESD 電子線照射によりEF下1.2eVに 新たなピーク Ti 3d軌道に電子をドープ LEEDパターンは存在 ESD:1.8 x 10-18 cm2でVo飽和 ESDにより伝導の底が EFより深くなった. 導伝性層の形成 O2曝露 O2 曝露により元の電子状態に回復 • Vo + O2 → [Vo+ O22-] (300K) • 吸着確率= 0.5 Vo: 1 x 10-14 cm-2 Surface electrons: 2 x 1014 cm-2 の範囲で制御 金属ー半導体的状態をスイッチ Email :[email protected] アニールや電子線照射により電子がTi3d軌道にドープされバンドギャップ内に新たな準位を形成 物質によってアニールによる酸素欠損の生成のしやすさが異なる O2 曝露により元の電子状態に回復 URL : http://oflab.iis.u-tokyo.ac.jp /
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