取扱説明書

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PAM8012
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2.0W FILTERLESS MONO CLASS D POWER AMPLIFIER IN ULTRA SMALL FORMFACTOR
DESCRIPTION
WCSP9
1.24x1.24mm
概要
超小型ながら最大２ワット (*) の出力が可能なＤ級アンプモジュールです。
ピン取り付け穴が長穴加工となっていますので、電線のハンダ付けがし易くなっています。
差動入力型ですが、IN- を GND に接続することでシングルエンド入力としても使用できます。
(*) +V=+5V, ZL=4Ω時
PIN ASSIGN & DIMENSIONs ピン配置と寸法
長穴加工で電線のハンダ付けがし易い。
スピーカの端子に固定することも可能。
+V
電源 +2.5V ～ +5.5V
（ただし、スピーカの構造に依存します）
OUT+
電池２本 (3V) での駆動も可能。
出力 (+)
出力は、BTL 駆動となっています。
11
モジュールの基準電位。
IN+
差動入力 (+)
ソケットやブレッドボードに挿して使う場合は、
挿した状態でピンを取り付けると綺麗に取り付けできます。
スピーカの (+) に接続します。
GND
グラウンド
とても小さい！
スピーカの端子をこの２つの端子に
mm
接続する必要があります。
GND には、つなぎません。
シングルエンド入力の場合は、信号入力。
IN-
差動入力 (-)
10.5
シングルエンド入力の場合は、GND に接続。
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
機能ブロック図
0.1µF
入力
10µF
1µF
出力
0.1µF
スピーカの (-) に接続します。
OUT-
mm
出力 (-)
TYPICAL APPLICATION 使用例
SINGLE-ENDED シングルエンド入力での使用例
電源
(+)
(+)
(-)
(+)
VDD
入力
(-)
(-)
1µF
1µF
IN(-) 端子と GND 端子を接続します。
EN は VDD に接続し常時動作設定となっています。
また、PL は抵抗未接続で、出力制限なしの設定となっています。
なお、アンチサチュレーション機能は、有効となっています。
電源部には、コンデンサ（パスコン）が付加されています。
SPECIFICATIONS スペック
Parameter
Supply Voltage, VDD
Input Voltage, IN+, INMinimum Load Resistance
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
推奨動作条件　Rating
2.5 to 5.5
-40 to +85
-40 to +125
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
電源
差動入力での使用例
(+)
Unit
V
°C
Unit
6.0
-0.3 to VDD +0.3
3.2
-65 to +150
150
260, 10sec
(-)
(-)
FEATURES 特長
・DIODES(PAM) 社製ワンチップＤ級アンプ IC PAM8012 使用
・電源電圧　2.5V ～ 5.5V　電流　最大 500mA（@5V 4Ω）
絶対最大定格
Rating
(+)
(-)
(+)
入力
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Supply Voltage Range
Ambient Temperature Range
Junction Temperature Range
differeNTial
V
Ω
°C
(@TA = +25°C, unless otherwise specified.)
・ゲイン　18dB( 最大 )　※アンチサチュレーション非動作時
・1.0W(8Ω負荷 )/2.0W(4Ω負荷 ) 出力（＠5V, THD 1% 未満）
・低ノイズ、高電源リプル除去率
・自動復帰短絡保護、過熱保護内蔵
・超小型モジュールサイズ　10.5x11mm
THD = 1%, f = 1KHz
CIN = 0.1µF, Inputs AC-Grounded
AC Power Supply Ripple Rejection
Signal to Noise Ratio
Output Noise
Peak Efficiency
SNR
VN
η
RL = 4Ω
RL = 8Ω
f = 217Hz, Inputs AC-Grounded
with CIN = 0.1µF
VDD = 5V, PO = 0.5W, R = 8Ω
VDD = 5V, PO = 1W, R = 8Ω
PSRR
VDD = 3.6V, PO = 2W, R = 4Ω
Total Harmonic Distortion Plus Noise
90
f = 1kHz
87
60
40
%
µV
95
VDD = 3.6V
No A-Weighting
A-Weighting
VENL
AR
VENH
95
VDD = 5.0V
dB
OTH
-75
VDD = 3.6V
TON
OTP
%
0.08
GV
fSW
%
0.08
0.08
RIN
ISD
IQ
0.08
W
V
Units Symbol
|VOS|
5.5
Max
1.0
2.0
Typ
-75
2.5
Min
VDD = 5.0V
f = 1kHz
f = 1kHz
VDD = 5V
RPL = 110KΩ, f = 3kHz, R = 8Ω
VDD = 5V, PO = 1W, R = 4Ω
VDD = 5V
RPL = 110KΩ, f = 3kHz, R = 4Ω
Test Conditions
THD+N
Output Power
PO
Parameter
Suppl y Voltage
VDD
Symbol
Parameter
Maximum Attenuation Range
Low-Level EN Voltage
High-Level EN Voltage
Over Temperature Hysterisis
Over Temperature Protection
Turn-On Time
Switching Frequency
Closed Loop Gain
Input Resistor
Offdet Voltage
Shutdown Current
Quiescent Current
No Load
No Load
No Load
No Load
1.4
-20
Min
26
40
150
45
250
18
31
4.2
Typ
0.4
+20
1
Max
dB
V
V
°C
°C
mS
KHz
dB
KΩ
mV
µA
mA
Units
(@TA = +25°C, VDD = 5V, unless otherwise specified.)
VDD = 5V
Anti-Saturation Active from +18dB to -18dB
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 5V
VDD = 2.5V to 5.5V, VEN = 0V
VEN = 5.0V, VDD = 5V, PL = 0V
Test Conditions
4
8
4
8
4
8
4
8
480 (max)
260 (max)
330 (max)
180 (max)
300 (max)
170 (max)
280 (max)
160 (max)
弊社で測定した実測値です。
測定条件…入力信号に 1kHz の正弦波を入力。
負荷は純抵抗負荷としてセメント抵抗を使用。
5.0
5.0
3.3
3.3
3.0
3.0
2.5
2.5
電源電圧[V] 負荷抵抗[Ω] 消費電流[mA]
モジュールの電源電圧と最大消費電流
特性値、グラフは、参考データです。詳細につきましては対象デバイス（PAM8012）の最新データシートをご参照ください。

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