CMOSリニアイメージセンサ S10226-10 小型・樹脂封止型CMOSイメージセンサ S10226-10は、従来品 (S9226シリーズ)と比べて小型で高いコストパフォーマンスを実現した樹脂封止型のCMOSリニアイ メージセンサです。 特長 用途 小型で高いコストパフォーマンスを実現 表面実装型パッケージ: 2.4 × 9.1 × 1.6t mm バーコードリーダ 画素ピッチ: 7.8 μm 画素高さ: 125 μm 屈折計 1024画素 単一3.3 V電源動作が可能 簡易型分光器 変位計 干渉計 高感度、低暗電流、低ノイズ 入出力特性に優れたオンチップチャージアンプを搭載 タイミング発生回路を内蔵し、スタートパルスと クロックパルスだけで動作 ビデオデータレート: 200 kHz max. 感度波長範囲: 400～1000 nm 構成 項目 仕様 1024 7.8 125 7.9872 ガラスエポキシ シリコーン樹脂 画素数 画素ピッチ 画素高さ 有効受光面長 パッケージ 封止材 単位 μm μm mm - 絶対最大定格 項目 電源電圧 ゲイン選択端子電圧 クロックパルス電圧 スタートパルス電圧 動作温度*1 保存温度*1 リフローはんだ付け条件*2 記号 Vdd Vg V(CLK) V(ST) Topr Tstg Tsol 条件 Ta=25 °C Ta=25 °C Ta=25 °C Ta=25 °C 仕様 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -25 ～ +85 -25 ～ +85 ピーク温度 260 °C, 3回 (P.7 参照) 単位 V V V V °C °C - *1: 結露なきこと *2: JEDEC level 2a 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 浜松ホトニクス株式会社 1 S10226-10 CMOSリニアイメージセンサ 推奨端子電圧 (Ta=25 °C) 項目 記号 Vdd 電源電圧 Highゲイン Lowゲイン Highレベル Lowレベル Highレベル Lowレベル ゲイン選択端子電圧 クロックパルス電圧 スタートパルス電圧 Min. 3.3 0 Vdd - 0.25 Vdd - 0.25 0 Vdd - 0.25 0 Vg V(CLK) V(ST) Typ. 5 Vdd Vdd Vdd - Max. 5.25 0.4 Vdd + 0.25 Vdd + 0.25 0.4 Vdd + 0.25 0.4 単位 V V V V V V V Typ. f(CLK)/4 5 4.5 Max. 800 8 7 単位 kHz kHz 電気的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V] 項目 クロックパルス周波数 ビデオデータレート 記号 f(CLK) VR Vdd=5 V Vdd=3.3 V 消費電流 Min. 100 - I mA 電気的および光学的特性 [Ta=25 °C, f(CLK)=800 kHz, Vdd=5 V: V(CLK)=V(ST)=5 V, Vdd=3.3 V: V(CLK)=V(ST)=3.3 V] 項目 記号 λ λp 感度波長範囲 最大感度波長 Highゲイン Vdd=5 V Lowゲイン 暗出力電圧*3 Highゲイン Vdd=3.3 V Lowゲイン Vdd=5 V 飽和出力電圧 Vdd=3.3 V Highゲイン 読み出しノイズ Lowゲイン 出力オフセット電圧 感度不均一性*4 *5 Min. Typ. 400 ～ 1000 700 0.8 0.4 0.5 0.25 3.2 2.0 1.4 0.7 0.4 - 2.6 1.4 0.2 - Vd Vsat Nr Vo PRNU Max. 8 4 5 2.5 2.2 1.1 0.6 ±8.5 単位 nm nm mV V mV rms V % *3: 蓄積時間=10 ms *4: 感度不均一性は、飽和露光量の50%の均一光を受光部全体に当てた場合の出力不均一性で、両端の画素を除いた1022画素で次のように 定義します。 PRNU= ∆X/X × 100 (%) X: 両端の画素を除いた1022画素の出力の平均, ∆X: 最大または最小出力とXとの差 *5: 2856 K, タングステンランプ ブロック図 CLK ST Trig GND Vdd EOS Vg 4 5 3 2 7 6 1 ΗͼηϋΈอٝႹ ΏέΠτΐΑΗ ΙλȜΐ ·ρϋί ͺϋί ٝႹ ͺΡτΑΑͼΛΙ 1 2 3 4 5 8 Video 1023 1024 έΠΘͼȜΡͺτͼ KMPDC0165JD 2 S10226-10 CMOSリニアイメージセンサ 分光感度特性 (代表例) 暗電圧出力－温度 (代表例) (Ta=25 °C) 100 (Ts=10 ms) 100 Vdd=5 V Vdd=3.3 V 10 ճႁഩգ (mV) చۜഽ (%) 80 60 40 LowΊͼϋ 1 HighΊͼϋ 0.1 LowΊͼϋ 0.01 20 0 400 HighΊͼϋ 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 0.001 -40 -20 0 20 40 60 80 100 أഽ (°C) ෨ಿ (nm) KMPDB0417JA KMPDB0259JB 消費電流－温度 (代表例) (ճેఠ) 6.5 6.0 Vdd=5 V Vdd=3.3 V HighΊͼϋ કഩၠ (mA) 5.5 5.0 LowΊͼϋ 4.5 HighΊͼϋ 4.0 3.5 LowΊͼϋ 3.0 2.5 -40 -20 0 20 40 60 80 100 أഽ (°C) KMPDB0260JB 3 CMOSリニアイメージセンサ S10226-10 タイミングチャート 1/f(CLK) CLK tpi(ST), ಇୟশۼ ST Video Trig EOS tr(CLK) tf(CLK) CLK 1/f(CLK) tr(ST) tf(ST) ST tvd Video KMPDB0164JC 項目 スタートパルス周期 スタートパルス上昇／下降時間 クロックパルスデューティ比 クロックパルス上昇／下降時間 ビデオ遅延時間*6 記号 tpi(ST) tr(ST), tf(ST) tr(CLK), tf(CLK) tvd Min. 4104/f(CLK) 0 40 0 10 Typ. 20 50 20 20 Max. 30 60 30 30 単位 s ns % ns ns *6: Ta=25 °C, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V 注) STがLowの期間中にCLKを1度だけHighからLowに立ち下げてください。このタイミングで内部シフトレジスタの動作が開始し ます。 蓄積時間はスタートパルス間隔で決まりますが、各画素の電荷蓄積はその画素の信号が読み出されてから次に信号が読み出され るまでの間に行われるため、蓄積開始時刻は各画素ごとに異なります。また、全画素の読み出しが終了するまで次のスタートパ ルスを入力することはできません。 4 CMOSリニアイメージセンサ S10226-10 外形寸法図 (単位: mm) ໐ 7.9872 × 0.125 9.1 2.4 3.9936 1024 ch 1 ch औ༷࢜ (0.9) ࿂ ΏςȜϋਏড ષ࿂ 1.6 ± 0.2 0.8 ± 0.2 [ષ࿂] 0.3 ± 0.15 0.5564 ± 0.2 [௰࿂] ئ࿂ 3.4 1.9 1.44 1.9 ΄ρΑε΅Ώ [ئ࿂] ঐা̧̈́ओ: ±0.1 ഩޭ໐ (8 ×) ϕ0.5 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· KMPDA0315JB ピン接続 ピンNo. 1 2 3 名称 Vg GND Trig I/O I O 4 CLK I 5 ST I 6 EOS O 7 8 Vdd Video I O 説明 ゲイン選択: Lowゲイン→Vddまたはオープン、Highゲイン→GND グランド トリガ: A/Dコンバータ用タイミング信号出力 クロックパルス (素子の動作周波数を制御する内部発生パルスを同期させるパ ルス) スタートパルス (画素の信号読み取り開始タイミングを決定する内部発生パルス を初期化させるパルス) エンドオブスキャン (全画素の信号読み取り終了後に発生するシフトレジスタ 走査終了信号パルス) 電源電圧 ビデオ信号出力 推奨ランドパターン (単位: mm) 1.44 (8 ×) ɸ0.7 1.9 3.4 1.9 KMPDC0248JB 5 S10226-10 CMOSリニアイメージセンサ 外観検査規格 項目 受光部上の異物 判定基準 10 μm max. 検査方法 自動機カメラ 標準梱包仕様 リール (JEITA ET-7200 準拠 ) 外形寸法 330 mm ハブ径 100 mm テープ幅 16 mm 材質 PPE 静電気特性 導電性 エンボステープ (単位: mm, 材質: ポリカーボネイト樹脂, 導電性) 1.75 ± 0.1 4.0 ± 0.1 8.0 ± 0.1 1 ch 9.45 ± 0.1 +0.25 ϕ1.5 -0 0.32 ± 0.05 +0.3 7.5 ± 0.1 2.0 ± 0.1 16.0-0.1 +0.1 ɸ1.5-0 1.89 ± 0.1 ςȜσ̧͈̱༷֨࢜ 2.75 ± 0.1 KMPDC0433JA 梱包数量 2000個/リール 梱包形態 リールと乾燥剤を防湿梱包 (脱気密封) 6 S10226-10 CMOSリニアイメージセンサ リフローはんだ付けの推奨温度プロファイル (代表例) 300 °C άȜ·أഽ 260 °C max. ઌأ 3 °C/s max. άȜ·أഽ - 5 °C 30 s max. ႖ݕ 6 °C/s max. 217 °C أഽ 200 °C 150 °C ထح 60ȡ120 s ུح 60ȡ150 s ijĶġ°CȡάȜ·أഽ 8 m max. শۼ KMPDB0405JA ・ 本製品は、鉛フリーはんだ付けに対応しています。梱包開封後は、温度 30 °C以下、湿度 60％以下の環境で保管して、4週間以内に はんだ付けをしてください。 ・ 使用する基板・リフロー炉によって、リフローはんだ付け時に製品が受ける影響が異なります。リフローはんだ条件の設定時には、 あらかじめ実験を行って、製品に問題が発生しないことを確認してください。 ・ 未開封状態で3ヶ月以上または上記の環境下で保管しなかった場合は、ベーキングを実施してください。ベーキング方法については、関 連情報の「樹脂封止型CMOSリニアイメージセンサ／使用上の注意」を確認してください。 使用上の注意 (1) 静電気対策 ・本製品は静電気に対する保護回路を内蔵していますが、静電気による破壊を未然に防ぐために、作業者・作業台・作業工具の接地な 静電気対策を実施してください。また、周辺機器からのサージ電圧を防ぐようにしてください。 (2) パッケージの取り扱い ・本製品の受光部は透明樹脂にて保護されています。ガラス窓材などと比較して、透明樹脂は軽微な凹凸が見られる場合があり、また 傷が付きやすい性質をもっています。取り扱いや光学設計に注意してご使用ください。 ・受光面上にゴミなどが付着すると、感度均一性が損なわれます。ゴミを取り除く際は圧搾気体を吹きつけてください。 (3) 表面保護テープ ・受光面保護のため、製品表面に保護テープを貼り付けてあります。組立完了後にテープを剥がして使用してください。 (4) 動作／保存環境 ・絶対最大定格で定めた温度範囲にて取り扱ってください。過度の高温高湿条件下においては、特性に変化を生じることがあります。 (5) 紫外線照射 ・本製品は紫外線照射による特性劣化を抑えるように設計されていないため、紫外線は照射しないようにしてください。 7 CMOSリニアイメージセンサ S10226-10 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ イメージセンサ／使用上の注意 ・ 樹脂封止型CMOSリニアイメージセンサ／使用上の注意 技術情報 ・ イメージセンサ／用語の説明 本資料の記載内容は、平成26年7月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ොවॽအ̹͉͘ϋίσ̞̤̀ͅރȂ߿ྴ͈ྎͅॻॽအͬփྙ̳ͥĩřĪȂٳอॽအͬփྙ̳ͥĩśĪ̦ັ̩ાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KMPD1151J01 Jul. 2014 DN 8
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