半導体レーザ - ローム

オプトデバイス半導体レーザ
CONTENTS
■赤色 / 赤外 2波長レーザ P. E24
■マルチビームレーザ P. E24
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
■赤色レーザ P. E25
■赤外レーザ P. E25
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
■パッケージ、共通仕様 P. E26
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
E
半導体レーザ
www.rohm.co.jp
オプトデバイス
半導体レーザ
▶赤色 / 赤外 2波長レーザ
▶マルチビームレーザ
半導体レーザ
赤色 / 赤外 2波長レーザ
品名
波長
λp
（nm）
絶対最大定格
（Tc=25°
C）
VR
PO
（mW）（V）
電気的・光学的特性（Tc=25°
C）
Topr
Max.
（°
C）
条件
Po
Iop
η
Vop
Im
ɵ⊥
ɵ// （mW）
ITH
（mA）（mA）（W/A）（V）（mA）（deg）（deg）
658
7
2
75
20
27
0.72
2.3
0.13
27.0
8.0
5
782
7
2
75
18
27
0.55
1.8
0.16
32.0
9.0
5
663
7
2
85
18
24
0.70
2.3
0.25
28.0
10.0
5
785
7
2
85
15
20
0.70
1.8
0.25
32.0
10.0
5
658
7
2
80
13
18
0.90
2.2
0.15
27.0
8.5
5
パッケージ
等価回路図
RLD2WMFV2
RLD2WMNL2
（車載DVD用）
RLD2WMFL3
（80℃動作保証）
4PIN高放熱フレーム
φ5.6mm
（4PIN）
PD
(3)
RLD2WMFR1
（セルフパルセーション）
RLD2WMFR5
（高ESDセルフパルセーション）
782
7
2
80
12
17
0.85
1.8
0.17
32.0
10.0
5
660
6
2
70
35
45
0.75
2.3
0.13
37.0
9.0
5
790
7
2
70
30
45
0.50
1.9
0.26
39.0
11.0
5
663
6
2
70
35
45
0.75
2.3
0.13
36.0
9.0
5
790
7
2
70
30
45
0.50
1.9
0.26
39.0
11.0
5
4PIN高放熱フレーム
(4)
780nmLD
(2)
660nmLD
(1)
4PIN高放熱フレーム
4PIN高放熱フレーム
注）1.特に指定のない限り、電気的・光学的特性はTyp.値です。
2.2波長レーザは全てカスタム品です。上記を基にカスタム仕様を検討します。
マルチビームレーザ
品名
RLD2BPNK4
絶対最大定格
電気的・光学的特性（Tc=25°
C）
（Tc=25°
C）
条件
波長
ビームピッチ
Po
λp
Topr
数（μm）
VR
ITH
Iop
η
Vop
Im
ɵ⊥
ɵ// （mW）
（nm） PO
Max.
（mW）（V）
（mA）（mA）（W/A）（V）（mA）（deg）（deg）
（°
C）
2
90
792
6
2
60
10
30
0.30
1.8
3.0
29.0
9.5
パッケージ
等価回路図
6
φ5.6mm（4PIN②）
RLD2BPNK5
2
28
787
10
2
60
12
23
0.55
1.8
0.9
27.5
9.0
6
φ5.6mm（4PIN②）
RLD2BPNK2
2
28
787
15
2
60
12
29
0.55
1.8
1.5
27.5
9.0
10
PD
φ5.6mm（4PIN②）
(3)
RLD2BPNG4
(4)
LD2
(2)
LD1
2
28
790
25
2
60
17
48
0.65
2.3
2.0
27.5
10.0
(1)
20
φ5.6mm（4PIN②）
RLD2BPNG3
2
14
788
15
2
60
14
25
0.75
1.8
1.0
31.0
9.0
10
φ5.6mm（4PIN②）
E
RLD2BPND1
2
30
660
15
2
60
13
23
0.60
2.2
0.5
20.0
10.0
6
半導体レーザ
φ5.6mm（4PIN②）
PD
RLD4BPMP2
4
28
792
15
2
60
14
40
0.60
1.7
3.6
27.0
9.0
15
(3)
φ5.6mm（6PIN）
注）1.特に指定のない限り、電気的・光学的特性はTyp.値です。
2.マルチビームレーザは全てカスタム品です。上記を基にカスタム仕様を検討します。
E24
www.rohm.co.jp
(6)
(5)
(4)
(2)
(1)
LD3
LD4
LD1
LD2
オプトデバイス
半導体レーザ
▶赤色レーザ
▶赤外レーザ
赤色レーザ
品名
RLD65MZT7
波長
λp
（nm）
655
絶対最大定格
（Tc=25°
C）
VR
PO
（mW）（V）
7
電気的・光学的特性（Tc=25°
C）
Topr
Max.
（°
C）
2
70
条件
Po
Iop
η
Vop
Im
ɵ⊥
ɵ//
ITH
（mW）
（mA）（mA）（W/A）（V）（mA）（deg）（deg）
20
30
0.70
2.3
0.24
27.0
8.0
パッケージ
5
PD
φ5.6mm
RLD65MQX1
（高ESD）
660
10
2
70
15
21
0.85
2.3
0.15
27.0
9.0
等価回路図
(3)
(2)
LD
(1)
5
φ3.5mm
RLD65PZX2
（高ESD）
655
7
2
70
25
33
0.60
2.3
0.20
28.0
8.5
5
PD
φ5.6mm
RLD65PZX3
（高ESD）
655
12
2
70
25
42
0.60
2.3
0.20
28.0
8.5
(3)
(2)
LD
(1)
10
φ5.6mm
RLD65NZX2
（高ESD）
655
7
2
70
25
33
0.60
2.3
0.20
28.0
8.5
5
φ5.6mm
PD
RLD63NZC5
（純赤色）
635
6
2
40
24
33
0.55
2.2
0.18
32.0
8.0
5
(3)
(2)
LD
(1)
φ5.6mm
RLD63NPC5
（純赤色）
635
6
2
40
24
33
0.55
2.2
0.18
32.0
8.0
5
φ5.6mm（オープン）
注）特に指定のない限り、電気的・光学的特性はTyp.値です。
赤外レーザ
品名
波長
λp
（nm）
絶対最大定格
（Tc=25°
C）
VR
PO
（mW）（V）
電気的・光学的特性（Tc=25°
C）
条件
Po
Iop
η
Vop
Im
ɵ⊥
ɵ//
I
TH
（mW）
Max.
（°
C）（mA）（mA）（W/A）（V）（mA）（deg）（deg）
Topr
パッケージ
等価回路図
PD
RLD78NZM5
793
10
2
60
11
20
0.55
1.8
1.15
28.0
9.0
6
(3)
LD
φ5.6mm
RLD78MRA6
790
4.5
2
70
25
35
0.35
1.9
0.15
37.0
11.0
3
PD
φ5.6mm（互換樹脂）
RLD78MZM7
792
20
2
60
11
33
0.65
1.8
0.50
24.0
8.5
(3)
LD
(2)
(1)
(2)
(1)
15
φ5.6mm
PD
RLD78MFA7
（車載CD用）
790
4.5
2
85
25
35
0.35
1.9
0.15
37.0
11.0
3
(3)
LD
PD
☆RLD82PZJ1
822
220
2
60
50
255
0.95
2.4
0.30
17.0
9.5
200
(3)
LD
φ5.6mm
PD
☆RLD84PZJ2
842
220
2
60
50
255
0.95
2.4
0.30
17.0
9.5
200
(3)
φ5.6mm
注）特に指定のない限り、電気的・光学的特性はTyp.値です。
LD
(2)
(1)
(2)
(1)
(2)
(1)
☆ : 開発中
www.rohm.co.jp
E25
E
半導体レーザ
4PIN高放熱フレーム
(4)
オプトデバイス
半導体レーザ
▶パッケージ、共通仕様
パッケージ、共通仕様
●外形寸法図（単位：mm）
φ5.6mm (6PIN)
φ5.6mm (4PIN②)
φ1.0min.
0.1
0.4 -0.1
φ3.6
φ3.6
φ4.4
1.0
φ3.6
φ4.4
φ1.0min.
90°
±2°
0.4
1.0
1.0
φ4.4
0.4
φ3.6
0.4
90°
φ1.0min.
φ1.0min.
90°
φ4.4max.
φ5.6mm (4PIN)
90°
0.1
1.0 -0.1
φ5.6mm
5.6 -0.025
φ1.6
φ1min.
5.6
φ1.6
φ1min
2.3
0.5min
光学的高さ＊
サブマウント
1.18±0.1
0.5
4-φ0.45
光学的高さ＊
サブマウント
1.35±0.1
6-φ0.3
(2)
(2)
(4)
(3)
(4)
(1)
φ2
φ2
(3)
(1)
φ2
(2)
(3)
6.5 -0.5
φ1.2max
光学的高さ
4-φ0.45
6.5
φ1.2max
0.5max.
3-φ0.45
6.5
0.5max.
1.2
1.2±0.1
2.3
1.2
±
2.3
光学的高さ
1.35 0.1
6.5
1.2
0.5min
カバーガラス
0.5 min.
1.35±0.08 (1.27)
カバーガラス
レーザーチップ
4
5
2
1
3
(1)
6
φ2.4±0.2
カバーガラス
0.0
レーザーチップ
5.6
φ1.6
φ1min
2.3±0.5
レーザーチップ
カバ−ガラス
φ5.6
30° 30°
φ3.6
1.0
φ4.4
φ1.0min.
φ3.5
φ2.85
±
2.3
1.2
6.5
1.35 0.1
3.4
レーザーチップ
1.0
1.75
4-0.45max
(3) (1)
1.6 1.6
5
3-0.4
(2)
φ5.6
5
3-0.55max
レーザーチップ
3.4
1.4
3.8
1.35±0.1
0.4
0.6 (光学的高さ:Z)
発光点高さ
カバーガラス
2.7
0.7
3.2
90°
0.4
φ2.3
0.25
(光学的高さ:Y)
5.2
4.1max
3.7max
3.05
1.6 1.5
3.3
0.6
0.75
5.0
2-R0.5min
0.22
0.82 1.5
0.62
0.4
0.5
0.7
φ5.6
φ5.6mm (オープン)
φ0.5 min.
1.2max
4PIN高放熱フレーム
2-R0.5min
4.9
2
1
0.4
φ3.5mm
光学的高さ
2.4
φ5.6mm (互換樹脂)
3-φ0.3
3-φ0.45
(2) (4) (3) (1)
1
4-0.35
1.14
(2)
(3)
1.1
3
φ2
2
(1)
1
＊ : 品番によって異なる場合がありますので、
ご検討の際は必ず仕様書をご確認ください。
●安全性について
本製品は、一般的な電子機器への使用を意図しています。
半導体レーザからでるレーザ光は人体に有害ですので、動作しているとき、発光部を
直接見たり、レンズやファイバを通して見たりしないよう十分注意してください。
極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような
機器・装置へのご使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。
E
半導体レーザ
E26
www.rohm.co.jp
VISIBLE AND INVISIBLE
SEMICONDUCTOR LASER
AVOID EXPOSURE-lnvisible
Laser radiation is emitted
from this aperture
INVISIBLE LASER RADIATION-AVOID
DIRECT EXPOSURE TO BEAM
MAXIMUM OUTPUT
WAVELENGTH
ROHM Laser Diode
This product complies with 21 CFR
Part 1040.10 and 1040.11
mW
nm
CLASS b LASER PRODUCT
21 Saiin Mizosaki-cho. Ukyo-ku Kyoto
615-8585, Japan.

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