イオン研磨は加工レシピからワンクリック SC-1000 SEM 試料前処理システム斜め（断面）・EBSD・SEM 試料作製に！  高エネルギーイオンガン（高速ミリング）  低エネルギーイオンガン（クリーニング）  高精度の位置調整による正確な研磨作業  50～400 ズーム CCD によるリアルタイム観察 TECHNOORG-LINDA社（ハンガリー）により開発されたSC-1000 SEM試料前処理システムは、高エネルギーイオンガン及び低エネルギーイオンガンの両方を搭載し、高品質で人為的影響のないSEM試料を作製できます。高エネルギーイオンガンにより試料の観察ポイントを速やかに斜め研磨した後、試料ステージを回転し、低エネルギーイオンガンで試料面の細かな傷やダメージ層を除去し、クリーンな仕上げ面を実現します。半導体の故障解析など幅広く材料の深さ方向の解析に最適です。さらに、機械研磨や粗加工されたSEM試料の仕上げや、EBSD試料やイオン及び熱ダメージを受けやすい試料にSC-1000 はお応えします。イオンソース項目高エネルギーイオンソース低エネルギーイオンソース加速電圧 2kV~10kV 100V~2kV サンプルカレント 150~170μA (10kV) 40~50μA (1kV) 最大ミリングレート 180μm/h (10kV) 2.5μm/h (500V) 28μm/h (2kV) （Ｓｉ、入射角：30°）イオンビーム電流密度最大 240mA/cm² 使用ガス Ar 最大 10mA/cm² 1 試料ステージ動作 EBSD・SEM 試料の仕上げ研磨斜め（断面）研磨反復 10°~45°、スピード可変試料傾斜 0°~30° 回転 360°、スピード可変試料傾斜試料位置調整 0°~30° 試料位置調整（上下・容易なマニュアル設定）：容易なマニュアル設定：オート（オプション）主な仕様項目内容ガス流量制御方式電子制御式ニードル・バルブ真空排気系ダイヤフラムポンプ（外置き）＋ターボ分子ポンプ真空度 5x10-6Torr 以下制御系ビルトインＰＣ・専用制御ソフトウェア１）プリセットファイル式による高精度自動操作法２）試料ステージ・真空システム等の設定３）画像処理モジュール（オプション）観察系 ×50-400 手動ズーム（BASLER）重量約 60kg （外置きダイアフラムポンプ 7kg）寸法 700(W)（モニター開 1130）×780(D)（キーボード引出し 1110）×650(H)mm ユーティリティ項目 Ar ガス内容純度：99.999％ガス及びレギュレータをご準備願います。 ※Ar ガス圧力：0.13-0.17MPa（絶対圧力） ※二次圧：0.1~0.5MPa のレギュレータ継手：スエジロック（外径 6mm）装置側接続：スエジロック（外径 6mm） N2 ガスバルブ開閉用ガス及びレギュレータをご準備願います。 ※N2 ガス圧力：0.1-0.15MPa（絶対圧力） ※二次圧：0.1~0.5MPa のレギュレータ継手：スエジロック（外径 6mm）装置側接続：スエジロック（外径 6mm）電源単相 AC100V/400W、50/60Hz、3P コンセント（コード長：2m 以内） 2 応用 ① 試料斜め（断面）研磨（slope cutting） ② EBSD・SEM 試料の仕上げ研磨 3