顔写真お好きな形・大きさで。なるべく画質の良いものを。科学技術振興調整費「女性研究者養成システム改革加速」スキルアップ補助金利用内容について金属材料研究所・徳本有紀・目的・旅程平成23年5月9日～12日にフランスのニースで開催されたE-MRS 2011 Spring Meetingに参加した。欧州最大の材料学会で、窒化ガリウム(GaN)薄膜成長における低温堆積バッファ層中の結晶粒の優先的成長方位についての研究成果を発表した。・講演等内容について GaN薄膜成長において、基板と薄膜の格子不整合によるひずみを緩和させるためにバッファ層が挿入されるれる。講演では、GaN薄膜成長での低温堆積バッファ層中の結晶粒の優先的成長方位について発表した。・研究内容紹介など GaNは短波長光デバイスとして用いられている。GaN薄膜を用いたデバイスにおいてその結晶方位が特性に影響を及ぼすことが知られている。GaN 薄膜のバッファ層のTEM観察を行い、支配的な方位を持つ層の中にそれとは異なる特定の方位を持つ結晶粒が混在していることを明らかにした。 H23年度外-2 平成23年5月8日仙台駅→（鉄道）→成田空港→（飛行機）→ロンドンヒースロー空港→ （飛行機）→ニース平成23年5月9日～12日 E-MRS 2011 Spring Meeting に参加平成23年5月13日ニース→（飛行機）→ロンドンヒースロー空港→（飛行機・機内泊）飛平成23年5月14日成田空港→（鉄道）→仙台駅・得られたスキルアップ効果や成果について本会議は欧州最大の材料学会であり、多くの専門家と交流を図ることができた。その中で研究成果や実験手法について討議し今で研究成果や実験手法について討議し、今後の研究に有益な情報が得られた。また、各国の同年代の研究者とも交流を深め、良い刺激を受けることができた。