FP50R12KE3 (japanese/english) - Infineon

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
50
75
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
280
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
2,00
2,15
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,47
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
4,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
3,50
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,13
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
4,90
6,60
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
4,00
5,80
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
0,45 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
200
A
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
50
A
IFRM
100
A
I²t
690
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
2,15
順電圧
Forwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
51,0
50,0
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
6,20
12,0
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
2,10
4,40
mJ
mJ
VF
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
0,75 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
°C
Diode、整流器/Diode,Rectifier
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM 80
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 115
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
500
400
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1250
800
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,00
V
Tvj = 150°C
VTO
0,80
V
傾き抵抗
Sloperesistance
Tvj = 150°C
rT
6,00
mΩ
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
IR
3,00
mA
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 50 A
しきい値電圧
Thresholdvoltage
2
0,65 K/W
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
40
55
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
80
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
210
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,80
2,15
2,30
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,33
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
6,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,50
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,09
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
4,10
6,00
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
3,10
4,20
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
0,60 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
3
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
160
A
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
60,0
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
2,15
順電圧
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
16,0
15,0
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
1,80
3,00
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
0,55
1,10
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,50 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
VF
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
t.b.d.
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
t.b.d.
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
AI203
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
7,5
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
RthCH
0,009
LsCE
60
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
2,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
質量
Weight
G
300
g
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
5
max.
K/W
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
80
80
70
70
60
60
50
40
30
30
20
20
10
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
80
90
100
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
90
70
14
60
12
E [mJ]
16
50
10
40
8
30
6
20
4
10
2
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
18
80
0
0,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=600V
100
IC [A]
50
40
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
90
IC [A]
IC [A]
90
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
6
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
12
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
10
ZthJC [K/W]
E [mJ]
8
6
0,1
4
2
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,05077 0,2032 0,1142 0,07893
τi[s]:
0,002345 0,0282 0,1128 0,282
0
5
10
15
20
RG [Ω]
25
30
35
0,01
0,001
40
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=125°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
120
100
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
90
100
80
70
80
IF [A]
IC [A]
60
60
50
40
40
30
20
20
10
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
7
2,0
2,5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=18Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=50A,VCE=600V
8
8
Erec, Tvj = 125°C
7
7
6
6
5
5
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
10
20
30
40
50 60
IF [A]
70
80
90
0
100
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
5
10
15
20
RG [Ω]
25
30
35
40
順方向特性Diode、整流器（典型)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
1
100
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
90
80
70
IF [A]
ZthJC [K/W]
60
0,1
50
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,07637 0,4933 0,1421 0,04501
τi[s]:
0,003333 0,03429 0,1294 0,7662
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
0,4
0,6
0,8
1,0
VF [V]
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
8
1,2
1,4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
80
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
70
60
60
50
50
IF [A]
IC [A]
70
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
9
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
In fineon
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP50R12KE3
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
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このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
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保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
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追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
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ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.1
11

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