超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)の概要 DRAM 0.2 SRAMﾛｼﾞｯｸ BEOLデバイス 250180130 90 65 45 32 22 製造技術世代 (nm) 配線層配線層配線層 106 配線層配線層ナノトランジスタ構造回路再構成ロジック・情報家電・サーバ・ストレージ用LSI 定型処理ロジック 104 三次元ナノカーボン配線原子スイッチ ○事業化の目途の時期平成２６年度までに、組合での技術開発を完了し、組合員各社での実用化開発、事業化に繋ぐとともに、その他の低電圧技術応用企業を含め、応用開発の協議、研究を行う。磁性変化相変化原子移動スイッチ 5 2 1 (V)0.5 オン・オフ抵抗比 ○実用化の方向性本組合では、磁性変化デバイス、相変化デバイス、原子移動スイッチデバイス等、LSIの配線層に集積可能な超低電圧・不揮発動作デバイスと、三次元ナノカーボン配線、ナノトランジスタ構造等の基盤技術を開発している。超低電圧、超低電力での集積回路の安定的動作は、IT・エレクトロニクス製品の製品競争力の源泉である。成果はマイクロコントローラ等のロジック、フラッシュメモリ等の集積回路や、各種の超低電力モバイル機器に搭載され、IT機器の超低電力化に貢献するとともに、半導体プロセスの基幹技術となる。組合員企業１０社は、自社での試作開発等を通じて、技術の早期移転、IT機器、半導体デバイス・装置への実用化・事業化を実施する強い意欲を有する。本組合で開発したBEOLプラットフォームを使用して参加企業、共同実施大学・組織と協業を行い、応用に向けた技術を開発して、実用化を推進する。 BEOLデバイス配線層駆動電圧 ○組合設立の目的「ITイノベーションプログラム」の一環として、「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」を実施する。同プロジェクトでは、ロジック集積回路の超低電圧動作により、従来技術の1/10の低消費電力が可能な技術を開発する。配線工程 BEOL：Back-End of Line 設立年月日：平成22年5月21日理事長：豊木則行（富士通（株）執行役員常務））組合員：（株）荏原製作所、東京エレクトロン（株）、（株）東芝、日本電気（株）、（株）日立国際電気、（株）日立製作所、富士通（株）、富士通セミコンダクター（株）、三菱電機（株）、ルネサスエレクトロニクス（株）事業費：平成25年度 17.6億円事業の概要：低炭素社会を実現する超低電圧デバイスの研究開発・ルータ向検索、ウィルスチェッカ相変化 102 汎用処理ロジック・車載・携帯用 LSI 磁性変化集積回路断面図企業の製造ライン 1 103 106 109 1012 1015 1018 書換え回数産総研ＳＣＲシステム・機器メーカーＦＥＯＬデバイスＢＥＯＬデバイス半導体メーカー 300mmφ ウエハ、BEOLプラットフォーム ●研究開発体制超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)) プロジェクトリーダ住広直孝副プロジェクトリーダ木村紳一郎 ① 磁性変化デバイス研究 GL 杉井寿博つくば事業所デバイス技術富士通（株）富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ（株）センサ技術三菱電機（㈱） ② 相変化デバイス研究 GL 高浦則克つくば事業所 ③ 原子移動型ｽｲｯﾁﾃﾞﾊﾞｲｽ研究 ④ 三次元ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ配線技術研究 GL 酒井忠司つくば事業所川崎分室 GL 波田博光つくば事業所製膜技術㈱日立国際電気デバイス技術㈱日立製作所デバイス技術日本電気（株）平坦化技術㈱荏原製作所製膜技術東京ｴﾚｸﾄﾛﾝ㈱配線技術㈱東芝、 ⑤ ﾅﾉﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ構造ﾃﾞﾊﾞｲｽ研究 GL 杉井信之つくば事業所デバイス技術ﾙﾈｻｽｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ㈱ｴﾋﾟﾌﾟﾛｾｽ開発㈱日立国際電気  共通TEGにより、企業クリーンルームでFEOL（ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ工程）まで試作  BEOL（配線工程）プラットフォームを開発、つくば事業所（産総研スーパークリーンルーム）でBEOLデバイスを試作  複数グループの融合技術を開発共同研究契約産業技術総合研究所スーパークリーンルームにおいてBEOLデバイスを試作 ①磁性変化ﾃﾞﾊﾞｲｽ技術立命館大、神戸大 ②相変化ﾃﾞﾊﾞｲｽ技術産総研、中央大、筑波大 ③原子移動型ｽｲｯﾁ技術東京大、筑波大、産総研 ④ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ配線技術慶應大、芝浦工大、東京工芸大 ⑤ﾅﾉﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ配線技術共同東大、電気通信大、実施芝浦工大、慶應大、東大、京都大、京都工繊大、大阪大、産総研、東京理科大合計 20研究室（13大学、1独法）