第３回
窒化物半導体結晶成長講演会
－窒化物半導体の応用・評価および結晶成長基礎－
2011 年 6 月 17 日～18 日
九州大学 筑紫キャンパス 総合研究棟 筑紫ホール
主催
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
共催
九州大学 応用力学研究所 全国共同利用研究集会、
応用物理学会 結晶工学分科会
後援
日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第 162 委員会
Timetable
6 月 17 日（金）
カテゴリー
講演者
所属
13:00
13:10
Opening
三宅秀人
三重大学
13:10
14:00
基調講演(PL1)
吉川明彦
千葉大学
14:00
14:45
チュートリアル(TU1)
藤岡 洋
東京大学
14:45
15:15
招待講演(IN1)
村上 尚ほか
東京農工大学
15:15
15:40
15:40
16:10
招待講演(IN2)
西川 敦ほか
大阪大学
16:10
17:10
ショートプレゼン(P1)
17:10
18:10
ポスター(P1)
18:15
20:15
休 憩
意見交換会
6 月 18 日（土）
カテゴリー
講演者
所属
09:00
09:45
チュートリアル(TU2)
福山博之
東北大学
09:45
10:15
招待講演(IN3)
赤坂哲也ほか
ＮＴＴ
10:15
11:15
ショートプレゼン(P2)
11:15
12:15
ポスター(P2)
12:15
13:15
昼 食
13:15
13:30
奨励講演(AW1)
藤川紗千恵ほか
理研
13:30
13:45
奨励講演(AW2)
小島一信ほか
京都大学
13:45
14:30
チュートリアル(TU3)
播磨 弘
京都工芸繊維大学
14:30
15:15
チュートリアル(TU4)
桑野範之
九州大学
15:15
15:30
Closing
藤岡 洋
東京大学
日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事リスト
[担当理事]
藤岡 洋（東京大学）、三宅秀人（三重大学）
[理事]
成塚重弥（名城大学）、岩谷素顕（名城大学）、宇治原 徹（名古屋大学）、片山竜二（東北大学）、
寒川義裕（九州大学）、熊谷義直（東京農工大学）、杉山正和（東京大学）、須田 淳（京都大学）、
田中 悟（九州大学）、反保衆志（産業技術総合研究所）、平松和政（三重大学）、松本 功（日酸 EMC）、
本久順一（北海道大学）
目
次
PL1 「窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成と SMART 太陽電池への展開
―InGaN 系窒化物半導体のエピタキシ制御から超薄膜ナノ構造光デバイス開発へ―」
吉川明彦
千葉大学大学院工学研究科、G-COE、VBL、JST-ALCA:SMART 太陽電池 PJ
TU1 「低温 PXD 成長技術を用いた高 In 組成 InGaN の素子応用」
藤岡洋 1,2、田村和也 1、太田実雄 1、井上茂 1、小林篤 1
東京大学生産技術研究所 1、JST-CREST2
IN1
IN2
12
「In 系窒化物半導体の MOVPE、HVPE 成長」
村上 尚 1、富樫理恵 1、稲葉克彦 2、熊谷義直 1、纐纈明伯 1
1
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門、2 株式会社リガク X 線研究所
18
「OMVPE 法により作製した Eu 添加 GaN の発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用」
西川 敦、寺井慶和、藤原康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
26
TU2 「サファイア窒化法の熱力学と窒化機構およびその展開」
福山博之
東北大学 多元物質科学研究所
IN3
1
「表面過飽和度制御による GaN ステップフリー面の形成」
赤坂哲也、小林康之、嘉数 誠
日本電信電話㈱ NTT 物性科学基礎研究所
31
37
AW1 「窒化物半導体を用いた深紫外 LED の開発」
藤川紗千恵 1,2、平山秀樹 1,2
1
独立行政法人理化学研究所、2 独立行政法人科学技術振興機構・CREST
39
AW2 「非極性面窒化物半導体の光学特性に関する理論的検討」
小島一信 1、山口敦史 2、船戸 充 1、川上養一 1、野田 進 1
1
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻、2 金沢工業大学 ものづくり研究所
41
TU3 「GaN 系窒化物半導体のラマン散乱分光法による評価」
-ラマン散乱の基礎からInNやAlGaNなどの最近の話題まで播磨 弘
京都工芸繊維大学
43
しわ
み
TU4 「結晶の皺 を鑑る － 電子顕微鏡による欠陥の解析 －」
桑野範之
九州大学 産学連携センター
67
6 月 17 日（金） [P1]
P1-1
「非極性面 GaN 上に作製した窒化物太陽電池」
中尾達郎1、桑原洋介1、藤山泰治1、藤井崇裕1、杉山 徹1、山本翔太1、岩谷素顕1、
竹内哲也1、上山 智1、赤﨑勇1,3、天野 浩2,3
1
名城大 理工、2 名大 院工、3 名大 赤﨑記念研究センター
75
P1-2
「窒化物太陽電池の電極構造検討」
山本翔太 1、森田義己 1、桑原洋介 1、藤井崇裕 1、杉山 徹 1、岩谷素顕 1、竹内哲也 1、
上山 智 1、赤﨑 勇 1,3、天野 浩 2,3
1
名城大 理工、2 名大 院工、3 名大 赤﨑記念研究センター
76
P1-3
「AlInN 系 GaInN チャネル HFET の検討」
池田和弥1、磯部康裕1、一木宏充1、堀尾尚史1、榊原辰幸1、岩谷素顕1、竹内哲也1、
上山 智1、赤﨑 勇1,3、天野 浩2,3
1
名城大 理工、2 名大 院工、3 名大 赤﨑記念研究センター
77
P1-4
「AlInN MOVPE: model development and verification －MOVPE における AlInN 成膜解析
モデル－」
A.V. Lobanova, A.S. Segal, E.V. Yakovlev
STR Group Ltd.
78
P1-5
「加圧 MOVPE 法を用いた AlInN の結晶成長」
三嶋 晃 1、牧野貴文 1、岩谷素顕 1、竹内哲也 1、上山 智 1、 赤﨑 勇 1,3、坂倉誠也 2,3、
谷川智之 2,3、本田善央 2,3、天野 浩 2,3
1
名城大 理工、2 名大 院工、3 名大・赤崎記念研究センター
79
P1-6
「InGaN 薄膜作製における In 取り込み量の面方位依存性に関する理論検討」
屋山 巴 1、川野 潤 2、寒川義裕 1, 2、柿本浩一 1, 2、纐纈明伯 3
1
九大院工，2 九大応研，3 農工大工
80
P1-7
「 {11-22} GaN 上厚膜 {11-22} InGaN の InN モル分率及び膜厚依存性」
岡田成仁1、只友一行1、桑原崇彰2、桑野範之2,3
1
山口大 院理工、2 九大総理工、3 九大産学連携センター
81
P1-8
「組成および井戸層厚を変調させた InGaN 擬周期構造に関する研究」
坂倉誠也、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野 浩
名大 院工・赤﨑記念研究センター
82
P1-9
「加圧 MOVPE 法による InGaN/GaN MQW 構造の In 組成揺らぎの改善」
大畑俊也, 坂倉誠也, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野 浩
名大 院工・赤﨑記念センター
83
P1-10
「ZnO 基板上に成長した無極性面 InGaN 薄膜の偏光特性」
玉木啓晶1、小林 篤1、太田実雄1、尾嶋正治2,3、藤岡洋1,3
1
東大生研、2 東大院工、3JST-CREST
84
P1-11
「X 線その場観察を用いた MOVPE 法による窒化物半導体の結晶成長」
田中大樹1、飯田大輔1、岩谷素顕1、上山 智1、竹内哲也1、赤碕勇1,2
1
名城大 理工、2 名大 赤碕記念研究センター
85
P1-12
「半極性 InGaN 薄膜内に発生する転位の立体形状観察」
桑原崇彰1、藤田智彰1、桑野範之1,2、栗栖彰宏3、岡田成仁3、只友一行3
1
九大総理工、2 九大産学連携センター、3 山口大 院理工
86
P1-13
「ALD 法で作製した Al2O3/InN ヘテロ構造の評価」
大久保佳奈1、小林 篤1、太田実雄1、尾嶋正治2,3、藤岡洋1,3
1
東大生研、2 東大院工、3JST-CREST
87
P1-14
「MOVPE 法による GaAs(110)上 InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響」
堀田哲郎1、末松真友1、趙 賢哲1、富樫理恵1、稲葉克彦2、村上 尚1、熊谷義直1、纐纈明伯1
1
農工大 院工、2 株式会社リガク
88
P1-15
「温度制御された NH3 分解用 Pt 触媒を用いた MOVPE 法 InN 成長における
マイグレーション促進効果」
杉田憲一、堀田徹、廣長大造、三原章宏、A. G. Bhuiyan、橋本明弘、山本暠勇
福井大 院工
89
P1-16
「HVPE 法による InN/sapphire(0001)テンプレート上 InN 高速成長の検討」
山本 翔1、東川義弘1、富樫理恵1、村上 尚1、熊谷義直1、山口智広2, 3、荒木努2、
名西やすし2, 4、纐纈明伯1
1
農工大 院工、2 立命館大、3 工学院大、4 ソウル国立大
90
6 月 18 日（土） [P2]
P2-1
「窒化物半導体トンネル接合の検討」
加賀 充1、山下浩司1、矢木康太1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山 智1、赤﨑 勇1.3、天野 浩2.3
1
名城大 理工、2 名大 院工、3 名大 赤﨑記念研究センター
91
P2-2
「MOVPE による In0.2Ga0.8N-pn 接合の作製」
出浦桃子、山本智博、大川和宏
理科大 理
92
P2-3
「Mg ドープ GaN 極性反転結晶における結晶成長メカニズムの解明」
舘 毅1、岩瀬賢俊2、野木 努1、青木 徹3、中野貴之2、角谷正友4、福家俊郎2
1
静大院工、2静大工、3静大電研、4物質・材料研究機構
93
P2-4
「3C -SiC/Si 基板上 AlGaN-buffer 層を用いた GaN 成長の歪み制御」
髙谷佳史 1、大内澄人 1、方 浩 1、三宅秀人 1、平松和政 1、浅村英俊 2、川村啓介 2
1
三重大 院工、2 エア・ウォータ株式会社
94
P2-5
「無極性・半極性自立基板を用いた GaN ホモエピタキシャル成長」
神野大樹、馬 蓓、方 浩、三宅秀人、平松和政
三重大 院工
95
P2-6
「HVPE 成長を用いた微細加工 Si 基板上半極性 GaN 自立基板の作製」
平林 了、光 成正、谷川智之、本田善央、山口雅史、天野 浩
名大 院工
96
P2-7
「自立 GaN 結晶を用いたラマン散乱分光の面方位依存性」
馬 蓓 1、神野大樹 1、三宅秀人 1、平松和正 1、播磨 弘 2
1
三重大 院工、2 京都工繊大
97
P2-8
「アンモニアガスを用いた常圧液相成長による GaN 薄膜の成長」
風間正志、岡崎佑馬、成塚重弥、丸山隆弘
名城大 理工
98
P2-9
「GaN 溶液成長シミュレーションによる成長表面の平坦性に関する研究」
河村貴宏 1、寒川義裕 2、柿本浩一 2、小竹茂夫 1、鈴木泰之 1
1
三重大、2 九大 応力研
99
P2-10
「クラックフリーAlN/GaN 多層膜反射鏡の作製」
矢木康太1、加賀 充1、山下浩司1、竹田健一郎1、岩谷素顕1、竹内哲也1、上山 智1、
赤﨑 勇1,3、天野 浩2,3
1
名城大 理工、2 名大 院工、3 名大 赤﨑記念研究センター
100
P2-11
「半極性面 ZnO 基板上に成長した高 Al 組成 AlGaN の偏光特性評価」
上野耕平1、小林 篤2、太田実雄2、藤岡 洋2,3、尾嶋正治1,3
1
東大院工、2東大生研、3JST-CREST
101
P2-12
「a 面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定」
吉田 崇、阿部創平、土屋正樹、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯
農工大 院工
102
P2-13
「水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理による c 面サファイア基板表面分解及び AlN 形成」
猪木孝洋1、国崎 敦1、富樫理恵1、村上 尚1、熊谷義直1、柳 裕之2、纐纈明伯1
1
農工大 院工、2(株)トクヤマ
103
P2-14
「サファイア(0001)基板のステップバンチングを利用した AlN 薄膜における小傾角粒界の低減」
林佑樹，松田和久，Ryan Ganipan Banal, 船戸充，川上養一
京大 院工
104
P2-15
「深い溝加工の 6H-SiC 基板を用いた減圧 HVPE 法による AlN 成長」
強力尚紀、三宅秀人、平松和政
三重大 院工
105
P2-16
「Numerical study of AlN sublimation growth by a fully coupled compressible flow solver」
B. Gao, S. Nakano, K. Kakimoto
RIAM, Kyushu University
106
P2-17
「Li-Al-N 系溶液を用いた AlN 結晶成長」
土岐隆太郎1、寒川義裕1,2,3、屋山 巴1、柿本浩一1,2
1
九大院工、2 九大応力研、3JST PRESTO
107
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