日本学術振興会第 162 委員会 第9回ワイドバンドギャップ半導体セミナー 1.期 間: 平成 27 年 10 月 22 日(木)~10 月 24 日(土) 2.場 所: 長浜ロイヤルホテル http://www.daiwaresort.jp/nagahama/ 〒526-0066 滋賀県長浜市大島町 38 電話: 0749-64-2000 3.スケジュール 10月22日(木) 10月23日(金) 9:00~12:00 電子デバイス(II) 09:00~10:20 (80分) (4) GaN電子デバイス 橋詰保(北海道大学) 休憩 20分 10:40~12:00 (80分) (5) ダイヤモンド電子デバイス 小出康夫(NIMS) 10月24日(土) 9:00~12:30 酸化物半導体 09:00~10:00 (60分) (9) 酸化物半導体・デバイス 藤田静雄(京都大学) 休憩 20分 最近の話題から (II) 10:20~11:20 (60分) (10) GaN基板の最近の進展と展望 森勇介(大阪大学) 11:20~12:20 (60分) 総合ディスカッション 12:20~12:30 (10分) 閉校挨拶 12:00~13:10 受付 12:00~13:00 昼食 13:10~18:00 13:10-13:40 (30分) 開校挨拶; 吉川明彦(第162委員会委員長) オリエンテーション; 藤田静雄(京都大学) 13:00~18:00 光デバイス 13:00~14:20 (80分) (6) GaN光デバイスの基礎 船戸充(京都大学) 半導体基礎 13:40~14:40 (60分) (1) 結晶成長における熱力学 尾鍋研太郎(東京大学名誉教授) 14:40~16:00 (80分) (7) GaN光デバイスの展開 船戸充(京都大学) 休憩 20分 休憩 20分 休憩 20分 電子デバイス(I) 15:00~16:20 (80分) (2) ワイドギャップ半導体電子デバイス の基礎 木本恒暢(京都大学) 休憩 20分 16:40~18:00 (80分) (3) SiC電子デバイス 木本恒暢(京都大学) 18:00~18:30 (30分) チェックイン 18:30~20:00 (90分) 夕食 20:00~20:30 (30分) 座談 “半導体夜話” 名西 之(立命館大学) 20:30~ フリーディスカッション 最近の話題から (I) 16:20~17:20 (60分) (8) 深紫外発光デバイスに向けての課題と 展望 三宅秀人(三重大学) 17:20~18:30 (70分) 総合ディスカッション 18:30~20:00 (90分) 夕食 20:00~ フリーディスカッション
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