Technical Program

Technical Program
7th May, 2015 Thursday
東北大学片平さくらホール
2F
Opening (13:00 - 13:10)
三宅秀人（三重大学）
Session I: 基調講演
座長：三宅秀人（三重大学）
P-1, 13:10 - 14:00（基調講演）
窒化物半導体の開発経緯とその将来
東北大学金属材料研究所
松岡隆志
Session II: チュートリアル講演
座長：福山博之（東北大学）
T-Th-1, 14:00 - 14:45（チュートリアル講演）
ワイドギャップ半導体電子デバイス
京都大学大学院工学研究科
須田淳
Coffee break (14:45 - 15:00)
Session III: 招待講演
座長：福山博之（東北大学）
I-Th-1, 15:00 - 15:30（招待講演）
MOVPE 法による InGaN 加圧成長と RAS 法によるその場観察
名古屋大学大学院工学研究科・赤﨑記念研究センター
本田善央，田村彰，山本哲也，久志本真希，天野浩
Session IV: 一般講演
座長：片山竜二（東北大学）
Th-01, 15:30 - 15:33
PAMBE 窒素プラズマ点灯直後成長における成長寄与窒素量の過渡特性による V/III 比の変化
と AlN 成長層の結晶性への影響
京都大学大学院
金子光顕，木本恒暢，須田
淳
Technical Program
Th-02, 15:33 - 15:36
Si 上 AlN ダブルバッファ層の界面反応エピタキシャル成長と RF-MBE 法成長 AlN on Si 膜
の XRD 評価
1
同志社大学界面反応成長研究所，2 同志社大学理工学部，3 アリオス株式会社
大鉢忠 1,2，佐藤祐喜 2，吉門進三 2，和田元 2，竹本菊郞 1，有屋田修 3
Th-03, 15:36 - 15:39
r 面サファイア上への a 面 AlN 成長における基板の前処理効果
1
三重大学大学院工学研究科，2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科
林家弘 1，安井大貴 1，玉置真哉 1，三宅秀人 1,2，平松和政 1
Th-04, 15:39 - 15:42
Effect of Misorientation Angles of a-Plane Sapphire Substrates on Crystal Quality and Surface
Morphology of AlN Films Grown by Nitridation Method
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University
Zaka Ruhma, Makoto Ohtsuka, Masayoshi Adachi, Hiroyuki Fukuyama
Th-05, 15:42 - 15:45
AlN 固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察
1
九州大学大学院工学府，2 九州大学応用力学研究所，3 三重大学大学院工学研究院
草場彰 1，住吉央朗 1，寒川義裕 1,2，三宅秀人 3，柿本浩一 1,2
Th-06, 15:45 - 15:48
Na-Ga 融液中の CN イオンの状態密度解析
1
三重大学大学院工学研究科，2 大阪大学大学院工学系研究科
河村貴宏 1,2，今林弘毅 2，丸山美帆子 2，今出完 2，吉村政志 2，森勇介 2，森川良忠 2
Th-07, 15:48 - 15:51
Na-Flux 法における窒化ガリウム単結晶成長のための数値解析
STR Japan 株式会社，2STR Group - Soft Impact Ltd.
1
飯塚将也 1，向山裕次 1，A.N. Vorobiev2
Technical Program
Th-08, 15:51 - 15:54
Na フラックス法における GaN 結晶モルフォロジーのポイントシードパターン依存性
大阪大学大学院工学系研究科
今西正幸，村上航介，今林弘毅，松尾大輔，高澤秀生，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇
介
Th-09, 15:54 - 15:57
Na フラックス法による選択的転位伝播制御
大阪大学大学院工学研究科
山田拓海，今西正幸，村上航介，今林弘毅，松尾大輔，高澤秀生，丸山美帆子，今出完，吉
村政志，森勇介
Th-10, 15:57 - 16:00
Growth of InN and InGaN on glass and polymer substrates by pulsed sputtering deposition
Institute of Industrial Science，The University of Tokyo，2JST-ACCEL
1
Lye Khe Shin1, Takeki Itoh1, Atsushi Kobayashi1, Kohei Ueno1, Jitsuo Ohta1, Hiroshi Fujioka1,2
Th-11, 16:00 - 16:03
MOVPE 成長した ScAlMgO4 基板上 GaN の構造特性
1
東北大学金属材料研究所，2 福田結晶技術研究所
岩渕拓也 1，窪谷茂幸 1，矢原弘崇 1，谷川智之 1，花田貴 1，片山竜二 1，福田承生 2，松岡隆
志1
Th-12, 16:03 - 16:06
Si 基板上 GaN 結晶成長における AlN 中間層を用いた応力制御のメカニズム
東京大学大学院工学系研究科
鈴木道洋，中村亮裕，杉山正和，中野義昭
Th-13, 16:06 - 16:09
200 mm 枚葉式高速回転 MOCVD 装置による高品質 GaN on Si 成膜とその HEMT 特性
(株)ニューフレアテクノロジー
宮野清孝，家近泰，高橋英志，佐藤裕輔，三谷愼一
Technical Program
Th-14, 16:09 - 16:12
Semi-polar GaN (10¯
13) grown on sputtered AlN/Si (001) substrate by MOVPE
Department of Electrical Engineering & Computer Science, Nagoya University
Lee Hojun, Tadashi Mitsunari, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
Th-15, 16:12 - 16:15
Si 基板上(1¯101)InGaN ストライプレーザー作製に向けた共振器構造
1
名古屋大学大学院工学研究科，2 赤﨑記念研究センター
久志本真希 1，本田善央 1，天野浩 1,2
Th-16, 16:15 - 16:18
MBE 法による Si 基板上への GaN ナノウォール構造の成長及び光学特性
東北大学大学院工学研究科
田村洋典，鐘愛華，羽根一博
Th-17, 16:18 - 16:21
InN の結晶特性と硬度・ヤング率の相関
1
東北大学金属材料研究所，2 東京大学生産技術研究所
出浦桃子 1，大久保泰 1，徳本有紀 2，沓掛健太朗 1，大野裕 1，米永一郎 1
Th-18, 16:21 - 16:24
RF-MBE 法を用いた-In2O3/Sapphire 基板上 InN の成長と構造評価
1
立命館大学大学院理工学研究科，2FLOSFIA
武馬輝 1，増田直 1，荒木努 1，名西憓之 1，織田真也 2，人羅俊実 2
Th-19, 16:24 - 16:27
アンモニア分解触媒援用 MOVPE 法による InN の低温成長
1
福井大学産学官連携本部，2JST-CREST，3 福井大学大学院工学系研究科
山本暠勇 1,2，児玉和樹 2,3，野村裕之 2,3，葛原正明 3
Th-20, 16:27 - 16:30
誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングによる InN エッチング
1
工学院大学，2 立命館大学
鳴谷建人 1，山口智広 1，荒木努 2，名西憓之 2，尾沼猛儀 1，本田徹 1
Technical Program
Th-21, 16:30 - 16:33
THz エリプソメトリーによる GaN 単結晶の評価
1
立命館大学大学院理工学研究科，2 摂南大学，3 日邦プレシジョン，4 東レリサーチセンター，
5
名城大学
達紘平 1，藤井高志 1,3，荒木努 1，名西憓之 1，長島健 2，岩本敏志 3，佐藤幸徳 3，森田直
威 4，杉江隆一 4，上山智 5
Th-22, 16:33 - 16:36
赤外反射分光による GaN の電子密度深さ不均一性評価手法
千葉大学大学院工学研究科
上條隆明，馬ベイ，森田健，石谷善博
Th-23, 16:36 - 16:39
GaN における非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算
千葉大学大学院工学系研究科
岩堀友洋，馬ベイ，森田健，石谷善博
Th-24, 16:39 - 16:42
カーボンナノチューブ電極・GaN-(0001)面界面における電子状態
1
物質・材料研究機構，2 筑波大学数理物質科学研究科
屋山巴 1，岡田晋 2，知京豊裕 1
Th-25, 16:42 - 16:45
Eu 添加 GaN の面内圧縮ひずみ制御による Eu 発光の高輝度化
大阪大学大学院工学研究科
稲葉智宏，小泉淳，藤原康文
一般講演（Poster Presentation I）+ Exhibition (16:45 - 18:15)
片平さくらホール
1F
意見交換会 (18:30 - 19:45)
片平さくらホール
1F
Technical Program
8th May, 2015 Thursday
東北大学片平さくらホール
2F
Session V: チュートリアル講演
座長：荒木努（立命館大学）
T-Fr-1, 9:00 - 9:45（チュートリアル講演）
MOVPE のメカニズム：リアクタスケールから基板表面までのマルチスケールな輸送・反応
における窒化物の特異性
東京大学大学院工学系研究科
杉山正和
T-Fr-2, 9:45 - 10:30（チュートリアル講演）
半極性自立 GaN 基板の作製
1
山口大学理工学研究科，2 豊橋技術科学大学，3 株式会社トクヤマ
只友一行 1，山根啓輔 2，古谷大士 3，橋本健宏 3
Coffee break (10:30 - 10:45)
Session VI: 一般講演
座長：大塚誠（東北大学）
Fr-01, 10:45 - 10:48
N 極性(000¯1)GaN の選択 MOVPE 成長における横方向成長の促進
1
東北大学金属材料研究所，2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科
谷川智之 1，逢坂崇 1，正直花奈子 1，窪谷茂幸 1，片山竜二 1，松岡隆志 1，三宅秀人 2
Fr-02, 10:48 - 10:51
MOVPE 成長 N 極性(000¯
1)p 型 GaN の正孔濃度に与える V/III 原料比の影響
東北大学金属材料研究所
野々田良平，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，片山竜二，松岡隆志
Fr-03, 10:51 - 10:54
MOVPE 法を用いた GaN 両極性同時成長における V/III 比依存性の検討
1
静岡大学大学院工学研究科，2 静岡大学大学院総合科学技術研究科
久瀬健太 1，大隅紀之 2，井上翼 2，中野貴之 2
Technical Program
Fr-04, 10:54 - 10:57
Polarity control of MOVPE-grown GaN on AlN/GaN templates
Institute for Materials Research, Tohoku University
J.H. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Fr-05, 10:57 - 11:00
OVPE 法を用いた−c 面 GaN 結晶成長における極性反転の抑制
1
大阪大学大学院工学研究科，2 伊藤忠プラスチックス（株）
谷山雄紀 1，高津啓彰 1，隅智亮 1，北本啓 1，今出完 1，吉村政志 1，伊瀬村雅士 2，森勇
介1
Fr-06, 11:00 - 11:03
InN 加圧 MOVPE 成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析
1
九州大学工学府航空宇宙工学専攻，2 九州大学応用力学研究所
草場彰 1，寒川義裕 1,2，柿本浩一 1,2
Fr-07, 11:03 - 11:06
横型疑似位相整合 AlN 導波路を用いた深紫外第二高調波発生素子の設計
東北大学金属材料研究所
三谷悠貴，片山竜二，劉陳燁，正直花奈子，谷川智之，窪谷茂幸，松岡隆志
Fr-08, 11:06 - 11:09
青色面発光レーザに向けた GaInN 活性層に関する研究
1
名城大学理工学研究科，2 名古屋大・赤﨑記念研究センター
古田貴士 1, 松井健城 1，堀川航佑 1，小塚祐吾 1，池山和樹 1，岩山章 1，赤木孝信 1，竹内哲
也 1，上山智 1，岩谷素顕 1，赤﨑勇 1,2
Fr-09, 11:09 - 11:12
3C-SiC/Si 基板上 InGaN/GaN 縦型発光ダイオード
1
東北大学金属材料研究所，2 エア・ウォーター総合開発研究所
谷川智之 1，生川満久 2，窪谷茂幸 1，片山竜二 1，松岡隆志 1，川村啓介 2
Fr-10, 11:12 - 11:15
歪補償 AlGaN 障壁層を用いた高 In 組成 InGaN LED の作製
1
東京理科大学応用物理学科，2 名城大学理工学研究科
飯田大輔 1，丹羽一将 2，芦深 1，平原颯太 1，上山智 2，大川和宏 1
Technical Program
Fr-11, 11:15 - 11:18
AlInN 膜および AlInN/GaN 多層膜反射鏡の電気的特性
1
名城大学大学院理工学研究科，2 名古屋大・赤﨑記念研究センター
吉田翔太朗 1，池山和希 1，竹内哲也 1，上山智 1，岩谷素顕 1，赤﨑勇 1,2
Fr-12, 11:18 - 11:21
全 In 組成域で動作可能な+c 面上 InGaN 太陽電池構造の提案
1
東京大学大学院工学系研究科， 2Global Solar+ Initiative, 東京大学
中村亮裕 1，藤井克司 2，杉山正和 1，中野義昭 1
Fr-13, 11:21 - 11:24
GaN 半導体材料における放射線検出特性評価
1
静岡大学大学院工学研究科，2 名古屋大学大学院工学研究科，3 赤﨑記念研究センター，4 静
岡大学電子研究所，5 静岡大学大学院総合科学技術研究科
杉浦睦仁 1，久志本真希 2，光成正 2，山下康平 2，本田善央 2，天野浩 2,3，三村秀典 4，井上
翼 5，青木徹 2，中野貴之 5
Fr-14, 11:24 - 11:27
GaN 系半導体を用いた NEA 半導体フォトカソードの開発
1
名古屋大学大学院工学研究科，2 赤﨑記念研究センター，3 名古屋大学シンクロトロン光研究
センター
佐藤大樹 1，西谷智博 3，本田善央 1，天野浩 1,2
Fr-15, 11:27 - 11:30
窒化物半導体結晶成長の放射光その場 X 線回折
日本原子力研究開発機構
佐々木拓生，高橋正光
Fr-16, 11:30 - 11:33
その場観察 X 線回折法を用いた GaN 上の GaInN 単膜および GaInN/GaN 超格子の評価
1
名城大学大学院理工学研究科，2 名古屋大・赤﨑記念研究センター
大角純也 1，石原耕史 1，山本泰司 1，岩谷素顕 1，竹内哲也 1，上山智 1，赤﨑勇 1,2
Technical Program
Fr-17, 11:33 - 11:36
トリハライド気相成長法を用いた InGaN 成長における NH3 供給分圧の影響
1
東京農工大学大学院工学府， 2 東京農工大学グローバルイノベーション研究機構，
3
Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linköping University
平崎貴英 1，長谷川智康 1，目黒美佐稀 1，村上尚 1，熊谷義直 1，Bo Monemar2,3，纐纈明伯 1
Fr-18, 11:36 - 11:39
歪の異なる GaN 下地層上の InGaN 薄膜成長
(研）物質・材料研究機構，2 工学院大学，3 法政大学，3 中部大学
1
角谷正友 1，豊満直樹 1,2，原田善之 3， J. Wang1， L. Sang1，本田徹 2
Fr-19, 11:39 - 11:42
分光エリプソメトリーによる m 面 AlInN 薄膜の光学特性評価
1
東北大学多元物質科学研究所，2 三菱化学株式会社
小島一信 1，加賀谷大樹 1，山崎芳樹 1，池田宏隆 2，藤戸健史 2，秩父重英 1
Fr-20, 11:42 - 11:45
AlGaN/AlN 量子井戸構造の臨界膜厚と再結合寿命の変化
京都大学大学院工学研究科
市川修平，岩田佳也，船戸充，川上養一
Lunch (11:45 - 12:30)
片平さくらホール
1F
一般講演（Poster Presentation II）+ Exhibition (12:30 - 14:00)
片平さくらホール
1F
Technical Program
Session VII: 招待講演
座長：小島一信（東北大学）
I-Fr-1, 14:15 - 14:45（招待講演）
超高キャリア密度 n 型 AlGaN の結晶成長と電気伝導特性
1
名城大学理工学部，2 名古屋大学・赤﨑記念研究センター
岩谷素顕 1，武田邦宏 1，飯田大輔 1，杉山徹 1，竹内哲也 1，上山智 1，赤﨑勇 1,2
I-Fr-2, 14:45 - 15:15（招待講演）
非極性面 AlN 系深紫外 LED
日本電信電話株式会社 NTT 物性基礎研究所
谷保芳孝，奥村宏典，Ryan Banal，熊倉一英，山本秀樹
I-Fr-3, 15:15 - 15:45（招待講演）
Ga-Al 液相成長法により成長した AlN の極性反転構造
東北大学多元物質科学研究所
安達正芳，福山博之
Closing (15:45 - 16:10)
片平さくらホール
2F
藤岡洋（東京大学）

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