サイリスタアプリケーションノート Nihon Inter Electronics Corporation ――――――――――――――――――――――――――――――――――――― ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 日本インター株式会社 Nihon Inter Electronics Corporation ――――――――――――――――――――――――――――――――――――― です。 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 日本インター株式会社 Nihon Inter Electronics Corporation ――――――――――――――――――――――――――――――――――――― サイリスタのデータシートにはゲート特性として 次のようなグラフがあります。 このグラフは-40℃、25℃、そして 125℃で、全 てオン（トリガ）させることができるゲート電流 とゲート電圧とを表しています。例えば上記製品 の場合 25℃では、DC で 100mA のゲート電流を 流せば全ての素子をオンさせることができ、その 時のゲート・カソード間電圧は 2.5V 以下であるこ とを表しています。 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 日本インター株式会社 Nihon Inter Electronics Corporation ――――――――――――――――――――――――――――――――――――― ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 日本インター株式会社 Nihon Inter Electronics Corporation ――――――――――――――――――――――――――――――――――――― ４．熱設計 （ヒートシンクの選定） サイリスタのベースはモジュール型、スタッド型に 関わらず銅となっています。しかしヒートシンクに 取り付けない状態では、温度上昇が大きく、ほとんど 電流は流せません。使用状況に合った適切なヒートシ ンクと組み合わせて、はじめて所定の能力を発揮しま す。またヒートシンクの表面や素子の取り付け面には 接合部温度をTj、フィン温度をTf としますと Tj－Tf＝47×（0.5＋0.2）＝32.9（℃） となり、サイリスタの最高接合部温度は125℃なの で、フィン温度 Tf は125－32.9＝92.1℃まで許容 されることになります。 Tf－Ta＝Rth(f-a)×47×2(素子) 熱伝導性コンパウンド（信越シリコンG746 など）を から、周囲温度Ta が50℃とすればフィンの熱抵 薄く均一に塗布してください。接触熱抵抗は、これを 前提として規定されています。 抗は Ｒth(f-a)≦（92.1－50）/ 94＝0.45（℃/W） それではモジュール型サイリスタPDT608（60A800V となります。 2 素子入り）で1 素子当たり正弦半波（SINEWAVE） 40A 印加した場合の熱計算をします。 ここではPDT608 に1 素子当たり40Ａを流すとし 熱抵抗は次のように規定されています。 て、フィン熱抵抗を計算しました。 熱抵抗（接合部－ケース間熱抵抗） 0.5℃/Ｗ 接触熱抵抗（ケース－フィン間熱抵抗）0.2℃/Ｗ また電力損失は以下のグラフから 47Ｗ これを参考にして、使用サイリスタと流す電流に応 じたヒートシンクをお選び下さい。 と読み取れます。 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 日本インター株式会社 Nihon Inter Electronics Corporation ――――――――――――――――――――――――――――――――――――― ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 日本インター株式会社
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