2008年6月期 中間決算説明会

2008年6月期 中間決算説明会
2008年2月21日
レーザーテック株式会社
(6920 JASDAQ)
内 容
1.2008年6月期 中間期業績について
2.2008年6月期 業績予想について
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2
1.2008年6月期 中間期業績について
2.2008年6月期 業績予想について
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3
損益の状況(連結)
売上・利益とも計画を上回る実績。利益率も前年同期に比べ向上。
(単位:百万円)
2007年6月期中間期
実 績
構成比
2008年6月期中間期
計 画
(2007.8.22)
実 績
構成比
対前年同期
増減率
売上高
7,975
100.0%
6,290
6,621
100.0%
△ 17.0%
売上原価
4,320
54.2%
3,093
2,941
44.4%
△ 31.9%
売上総利益
3,655
45.8%
3,197
3,679
55.6%
0.7%
販管費及び一般管理費
1,705
21.4%
2,076
1,877
28.3%
10.1%
営業利益
1,950
24.5%
1,120
1,802
27.2%
△ 7.6%
営業外収益
8
0.1%
18
30
0.5%
275.0%
営業外費用
1
0.0%
19
23
0.3%
2200.0%
1,957
24.5%
1,120
1,809
27.3%
△ 7.6%
特別利益
−
−
−
0
0.0%
−
特別損失
1
0.0%
2
0
0.0% △ 100.0%
1,173
14.7%
690
1,119
経常利益
当期純利益
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16.9%
△ 4.6%
4
連結キャッシュフロー
売上債権の減少等により営業CFが増加
自己株式取得、配当金支払により財務CFが減少
(百万円)
営業CF
投資CF
財務CF
1,500
売上債権の減少 1,105
1,000
947
自己株式取得
配当金支払
△527
△699
500
81
0
△ 52
△ 500
△ 1,000
△ 461
△ 779
投資有価証券取得 △126
投資有価証券売却
194
△ 1,227
△ 1,500
2007年6月期 中間期 2008年6月期 中間期
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財務の状況(連結)
売上債権の減少により流動資産が減少
未払法人税、前受金の減少により流動負債が減少
(単位:百万円)
2007年6月期
実 績
構成比
2008年6月期中間期
実 績
構成比
増減率
流 動 資 産
18,832
86.2%
17,824
85.8%
△ 5.4%
固 定 資 産
3,008
13.8%
2,952
14.2%
△ 1.9%
資 産 合 計
21,840
100.0%
20,778
100.0%
△ 4.9%
流 動 負 債
3,550
16.3%
2,635
12.7%
固 定 負 債
5,241
24.0%
5,254
25.3%
0.2%
負 債 合 計
8,792
40.3%
7,889
38.0%
△ 10.3%
純 資 産 合 計
13,048
59.7%
12,887
62.0%
△ 1.2%
負債及び純資産合計
21,840
100.0%
20,778
100.0%
△ 4.9%
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主な増減要因
売上債権の減少 △1,113
△565
△ 25.8% 未払法人税等の減少
前受金の減少 △290
6
製品別売上高(連結)
半導体・FPD関連は、ともに計画を上回る実績。
顕微鏡は、新製品H1200(WIDE)を11月末に導入。貢献は下期以降。
(単位:百万円)
2007年6月期中間期
実 績
構成比
2008年6月期中間期
計 画
(2007.8.22)
実 績
構成比
対前年同期
増減率
半導体関連装置
1,831
23.0%
3,710
4,266
64.4%
FPD関連装置
5,201
65.2%
1,530
1,571
23.7% △ 69.8%
レーザー顕微鏡
361
4.5%
500
231
3.5% △ 36.0%
サービス
582
7.3%
550
553
8.4%
7,975
100.0%
6,290
6,621
合 計
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133.0%
△ 5.0%
100.0% △ 17.0%
7
その他主要指標(連結)
研究開発、及び人材強化に対する積極投資を継続
(単位:百万円)
2007年6月期中間期
実 績
2008年6月期中間期
実 績
対売上比
対前年同期
増減率
研究開発費
604
716
10.8%
18.5%
減価償却費
55
69
1.0%
25.5%
設備投資額
34
84
1.3%
147.1%
設備投資額 84百万円のうち 50百万円は研究開発センターに伴う費用
従業員(人)
190
217
−
27
役員除く
従業員増加内容;
新卒者の定期採用、及び技術者の積極的採用
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8
受注及び受注残(連結)
FPD関連の受注は、急速に回復基調に向かう。
半導体関連、及び顕微鏡の受注は前年を下回る。
(単位:百万円)
2008年6月期
中間期受注高
2007年6月期
中間期受注高
計画
実績
(2007.8.22)
実績
2008年6月期
中間期受注残高
対前年同期
増減率
実績
対前年同期
増減率
半導体関連装置
4,802
4,290
1,499
△ 68.8%
3,919
△ 21.2%
FPD関連装置
1,210
3,630
1,612
33.2%
4,463
△ 32.3%
レーザー顕微鏡
459
500
347
△ 24.4%
174
△ 16.3%
サービス
555
550
598
7.7%
132
25.7%
7,026
8,970
4,057
△ 42.3%
8,690
△ 26.9%
合 計
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9
新製品・新規製品群
次世代ニーズ対応の新製品、及びデバイス関連市場向けの新規製品を開発
【デバイス関連】
半導体関連装置
半導体関連装置
【マスク関連】
位相差/透過率測定装置
MPM193EX
2008年2月発売
パターン付きウェハ反り /ストレス検査装置
WASAVIシリーズSK300
2007年11月発売
マスクレビューステーション
MRS193EX ArF
2008年2月
マスクブランクス欠陥検査装置
M6640/M6641
2007年9月発売
レーザー顕微鏡
レーザー顕微鏡
FPD関連装置
FPD関連装置
LI7xフォトマスク
検査装置
ペリクル検査貼り付け
システム
2008年春リリース予定
3CCDリアルカラーコンフォーカル顕微鏡
OPTELICS H1200(WIDE)
2007年11月発売
OPTELICS H300(H1200の普及版)
2008年3月発売
G10液晶用大型マスク検査装置(LI7x)、及び
ペリクル検査貼り付けシステム
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10
1.2008年6月期 中間期業績について
2.2008年6月期 業績予想について
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11
市 況
半導体関連装置
‡ メモリーメーカの設備投資は当面減少するが、微細化投資、戦略的投資は継続。
後半から回復を期待
FPD関連装置
‡ 液晶関連の設備投資は堅調
10Gに向けた設備投資が具体化
„ 8Gの新規投資発表が相次ぎ、急速に回復
„
レーザー顕微鏡
‡ 工業用レーザー顕微鏡市場は、半導体・ナノテク向け等の100nm以下へのシフト進む
‡ 量産工場では、人による目視検査から、自動検査市場のニーズが拡大
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12
2008年6月期 業績予想(連結)
液晶関連市場の回復が予想より大幅に遅れ、売上・利益とも計画を下回る
(単位;百万円)
2007年6月期
実 績
構成比
2008年6月期
計 画
予 想
(07.08.22)
(08.02.20)
構成比
対前年同期
増減率
15,874
100.0%
16,300
14,000
100.0%
△ 11.8%
営業利益
3,895
24.5%
4,220
3,000
21.4%
△ 23.0%
経常利益
3,895
24.5%
4,230
3,000
21.4%
△ 23.0%
純利益
2,375
15.0%
2,600
1,900
13.6%
△ 20.0%
売上高
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13
製品別売上高予想(連結)
半導体関連は躍進するも、FPD関連は大型マスク検査装置が計画に比べ
大幅に減少。全体では、前年同期比11.8%の減少を予想
(単位:百万円)
2007年6月期
実 績
2008年6月期
構成比
計 画
予 想
(07.08.22)
(08.02.20)
構成比
対前年同期
増減率
半導体関連装置
4,504
28.4%
8,600
8,160
58.3%
81.2%
FPD関連装置
9,430
59.4%
5,400
3,920
28.0%
△ 58.4%
852
5.4%
1,200
830
5.9%
△ 2.6%
1,088
6.9%
1,100
1,090
7.8%
0.2%
15,874
100.0%
16,300
14,000
100.0%
△ 11.8%
レーザー顕微鏡
サービス
合 計
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14
その他主要指標(連結)
開発、及び人材強化に対する積極投資の継続と、研究開発センターへの投資
(単位:百万円)
2007年6月期
実 績
2008年6月期
予 想
対売上比
対前年同期
増減率
研究開発費
1,162
1,500
10.7%
29.1%
減価償却費
121
259
1.9%
114.0%
設備投資額
892
6,790
48.5%
661.2%
設備投資額 6,790百万のうち 6,677百万円は研究開発センターに伴う費用
従業員数(人)
役員除く
201
232
−
31
従業員増加内容;
新卒者の定期採用、及び技術者の積極採用
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15
製品別受注予想(連結)
半導体関連の受注は決定が遅れ気味だが、液晶関連は急速に回復
(単位:百万円)
2008年6月期
2007年6月期
実績
計 画
予 想
(07.08.22)
(08.02.20)
対前年同期
増減率
半導体関連装置
9,187
9,420
5,350
△ 41.8%
FPD関連装置
3,267
6,430
7,150
118.9%
801
1,200
1,150
43.6%
1,042
1,100
1,150
10.4%
14,297
18,150
14,800
3.5%
レーザー顕微鏡
サービス
合 計
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16
主要新製品の特長 ①半導体
先端ウェハ検査市場に進出。参入第一弾としてSK300、及びTSV300を市場投入
ほぼ全ての大手デバイスメーカー様より、デモ評価依頼が殺到!
製品
開発の狙い
主な特長
市場
パターン付きウェハ
検査装置
WASAVIシリーズ
SK300
SK300
ウェハ全面を高速スキャン
し、ストレス値と分布を自動
計測。
・45nm以降のパターン付きウェハ検
査に対応
・量産ライン向け高速スキャン検査
半導体
デバイスメーカ
TSV300
TSV300
従来困難であった貫通電
極の深さの正確な検査を
可能とし、製品歩留まりを
向上
・コンフォーカル光学系による迷光
排除と白色干渉計による高分解能
・非破壊検査が可能
Wafer Surface Analyzing and
Visualizing System
パターン付きウェハ反り /ストレス検査装置
貫通電極エッチング深さ検査装置
WASAVIシリーズSK300
WASAVIシリーズTSV300
2007年11月発売
2007年11月発売
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17
主要新製品の特長 ②−1.FPDフォトマスク関連
世界初
10G対応
大型フォトマスク検査装置、及びその前後の工程ソリューションをフルラインアップ
製品
開発の狙い
主な特長
市場
G10液晶用大型マスク
検査装置 LI7x、
及び
G10用ペリクル検査・貼り付
けシステム
LI7x
従来以上に高い欠陥検出
感度と高速検査の求められ
る10G対応の検査装置
LI7x
・最大1800mmx2000mm対応
・Die to Die、
及びDie to Database比較
・新TDIセンサーと並列画像処理回
路で従来機25%アップの高速検査
・グレートーン、ハーフトーン対応、
感度0.35μm
・マスク縦置きの省スペース設計
マスクメーカ
G10用ペリクル検査・
貼り付けシステム
大型フォトマスク製造工程
における、ペリクルの検査、
仮貼りから最終貼り付けを
1台で実現
G10用ペリクル検査・貼り付けシステム
・ペリクル自動搬送、及び貼付け
・ペリクル上の異物検査 ・除去
・更に良否判定だけでなく品質管理
や不良解析にも有効
LI7xフォトマスク
検査装置
ペリクル検査貼り付け
システム
2008年春リリース予定
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18
主要新製品の特長 ②−2.FPD修正装置
液晶用TFT・カラーフィルター修正装置 新シリーズを開発
製品
開発の狙い
主な特長
市場
TFT・カラーフィルター
修正装置 新シリーズ
・より鮮明な画像と
タクトタイムの向上に
よる差別化
・純透過照明方法による鮮明画像
純透過型ステージ「Realステージ」開発
パネル
メーカー
・高価なガラスホルダー不要
・ガラスレスホルダーによるステージ高さ
のバラツキを低減(傾き低減による研磨
の安定)
・カラーフィルターの搬出入時間の短縮
2008年春リリース予定
・突起の高さを非接触で計測しテープ研磨
・混色等をレーザーでカットし、インクでカラー修正
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主要新製品の特長 ③顕微鏡
豊富なオプションを用意し、nmからmmまでの幅広い用途に対応
製品
開発の狙い
主な特長
市場
3CCDリアルカラー
コンフォーカル顕微鏡
OPTELICS
H1200(WIDE)
H1200
H1200
最大1200万画素の高精細画
像と、正確・簡単・高速測定で
幅広い用途に対応
・RGB3つのCCDによる鮮明画像
・ノイズのない3D表現
・0.1∼120フレーム/毎秒の可変フ
製造部門、
研究所、
大学等
WIDE(オプション)
・Wave:5波長選択
・Interferometerミラウ干渉計
・Dic:微分干渉観察
・Exceed:AFM原子間力顕鏡
レームモードで高精細から高速測
定まで幅広い目的に対応
・簡単操作
・ナノからミリまで3Dシームレス観察
(AFMオプション)
3CCDリアルカラーコンフォーカル顕微鏡
OPTELICS H1200(WIDE)
2007年11月発売
OPTELICS H300(H1200の普及版)も2008年2月発売、選択肢を拡大
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20
今後の重点取り組み
‡ 半導体
MATRICS、WASAVIシリーズ; デバイスメーカーへの参入強化
MAGICS; マスク関連の最先端プロセスにおけるニーズへの対応
‡ FPD
10G対応ソリューションの提供
8G世代の生産性向上への貢献
‡ 顕微鏡
AFMを含むシームレス・ソリューションで工業分野以外の市場を開拓
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21
3月24日、新研究開発センターでの業務を開始します
‡ 建設工事は予定通り進んでおり、3月24日に移転します
住所:〒222−8552 横浜市港北区新横浜2−10−1
電話:045−478−7111(代表)
FAX:045−476−1061(代表)
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お問い合わせ先
‡ レーザーテック株式会社
取締役管理本部長
内山 秀
‡ TEL
045−544−4111(代)
‡ MAIL
s_uchiyama@Lasertec.co.jp
本資料は、発表日現在において入手可能な情報に基づき作成
したものであります。
実際の業績等は今後の様々な要因により、計画数値と異なる
可能性があることをご承知おきください。
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