HL6312G/13G 産業・計測用赤色レーザダイオード ADJ-208-284G (Z) 第8版 2000.12 概要 HL6312G/13G は，従来のレーザダイオードの構造 (ダブルヘテロ構造) に変え，多重量子井戸構造 (MQW) を採用，および傾斜基板成長の綿密な検討により， He-Ne ガスレーザに同等な波長を実現した 0.63µm 帯 AlGaInP インデックスガイド型レーザダイオードです。レーザ光照射点が，はっきり見えるため，バーコードリーダ，レベラ用光源を始め，各種光応用機器の光源に適しています。また，完全気密封止していますので、高信頼性を実現しています。特長 l 赤色光発振：635nm Typ l 高温連続動作：TC = 50°C, PO = 5mW l 低動作電圧：2.7V Max l 縦シングルモード発振 l モニタダイオードを内蔵 l TM モード発振パッケージタイプ • HL6312G/13G: G2 内部回路 • HL6312G 1 内部回路 • HL6313G 1 3 PD LD 2 3 PD LD 2 HL6312G/13G 絶対最大定格 (TC = 25°C) 項目記号光出力定格値単位 PO 5 mW PO(Pulse) 6* mW LD 逆電圧 VR(LD) 2 V PD 逆電圧 VR(PD) 30 V 動作温度 Topr –10∼+50 °C 保存温度 Tstg –40∼+85 °C 光出力 (パルス) 注) パルス条件：PW ≦ 1µs, duty ≦ 50% 光学的電気的特性 (TC = 25°C) 項目記号 Min Typ Max 単位光出力 PO 5 — — mW しきい値電流 Ith 20 45 70 mA キンクフリー動作電流 I OP − 55 85 mA PO = 5mW 動作電圧 VOP − − 2.7 V PO = 5mW ビーム拡がり角 (水平) θ// 5 8 11 deg. PO = 5mW ビーム拡がり角 (垂直) θ⊥ 25 31 37 deg. 非点隔差 AS — 8 — µm PO = 5mW, NA = 0.55 発振波長 λp 625 635 640 nm PO = 5mW モニタ電流 IS 0.2 0.4 0.8 mA PO = 5mW, VR(PD) = 5V 注) 2 測定条件 PO = 5mW 本製品は，活性層に平行な方向に磁界が，垂直な方向に電界が振動しています。 HL6312G/13G 特性曲線モニタ電流対光出力特性光出力対順電流特性 5 0.5 光出力 PO (mW) 4 モニタ電流 IS (mA) TC = 0°C 3 50°C 25°C 2 TC = 25°C VR(PD) = 5 V 0.4 0.3 0.2 0.1 1 0 0 0 20 40 60 80 100 0 1 順電流 IF (mA) 2 3 4 5 光出力 PO (mW) 発振波長 TC = 25°C ファーフィールドパターン PO = 5 mW PO = 5 mW 相対強度相対強度垂直方向 PO = 3 mW 水平方向 −40 −20 0 20 ビーム拡がり角 (deg.) 40 PO = 1 mW 625 630 635 640 波長 λp (nm) 645 650 3 HL6312G/13G しきい値電流対ケース温度特性スロープ効率対ケース温度特性 0.5 しきい値電流 Ith (mA) スロープ効率 ηs (mW/mA) 100 10 0.3 0.2 0.1 0 0 10 20 30 40 50 0 20 30 40 ケース温度 TC (°C) モニタ電流対ケース温度特性発振波長対ケース温度特性 646 PO = 5 mW VR(PD) = 5 V 50 PO = 5 mW 644 発振波長 λp (nm) 0.8 10 ケース温度 TC (°C) 1 モニタ電流 IS (mA) 0.4 0.6 0.4 0.2 642 640 638 636 634 632 0 0 4 10 20 30 40 ケース温度 TC (°C) 50 630 0 10 20 30 40 ケース温度 TC (°C) 50 HL6312G/13G 偏光比対光出力特性非点隔差対光出力特性 20 500 TC = 25°C TC = 25°C NA = 0.55 400 NA = 0.4 300 偏光比非点隔差 AS (µm) 15 10 NA = 0.25 200 5 100 0 0 0 1 2 3 4 5 1 2 3 4 光出力 PO (mW) 光出力 PO (mW) 静電破壊特性 (MIL法) 静電破壊特性 (MIL法) 100 5 100 順方向 N = 10pcs ∆Io ≥ 10%判定逆方向 N = 10pcs ∆Io ≥ 10%判定 80 良品残存率 (%) 80 良品残存率 (%) 0 60 40 20 60 40 20 0 0 0 200 400 600 800 1000 1200 印加電圧 (V) 0 1000 2000 3000 4000 印加電圧 (V) 5 HL6312G/13G 外形寸法図 φ 9.0 +0 –0.025 1.0 ± 0.1 0.4 +0.1 –0 Unit: mm Glass φ 7.2 +0.3 –0.2 φ 6.2 ± 0.2 (φ2.0) 3.5 ± 0.2 9±1 2.45 Emitting Point 3 – φ 0.45 ± 0.1 1 2 1.5 ± 0.1 0.3 (90°) (0.65) 3 3 1 2 φ 2.54 ± 0.35 Hitachi Code JEDEC EIAJ Mass (reference value) 6 LD/G2 — — 1.1 g HL6312G/13G ご注意 1 . 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。 2 . 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知的所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を負いませんので予めご了承ください。 3 . 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しましては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。 4 . 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種安全装置，ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は，事前に弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。 5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきましては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないようにフェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。 6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。 7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。 8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願いします。 1 . レーザー光を見ないで下さい。レーザー光が直接及び間接的 (反射光，輻射光) に目に入ると，その強度によっては失明の恐れがあります。万一，目に入った場合には，直ちに医師の診断を受けて下さい。 7 HL6312G/13G 半導体グループ北海道支社東北支社関東支社新潟支店茨城支店群馬支店電子統括営業本部松本営業所横浜支社〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号（日本ビル）(03) 3270-2111(大代) (011) 261-3131 (代) (0462) 96-6800 (代) 県央支店 (022) 223-0121 (代) (0559) 51-3530 (代) 沼津営業所ダイヤル) (03) 3212-1111 (代) (076)263-2351 ( 金沢支店イン (052) 243-3111 (代) (025) 241-8161 (代) 中部支社 (06) 6616-1111 (大代) (029) 271-9411 (代) 関西支社 (082) 223-4111 (代) (027) 325-2161 中国支社 (087) 831-2111 (代) (03) 3270-2111 (代) 四国支社 (089) 943-1333 (代) (0263) 36-6632 愛媛支店 (092) 852-1111 (代) (045) 451-5000 (代) 九州支社 ■ 技術的なお問合せおよび資料のご請求は、上記の担当営業または下記へどうぞ。〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 (日本ビル) 株式会社日立製作所半導体グループ電子統括営業本部総合問合せ窓口：半導体カスタマサービスセンタ E-Mail：[email protected] 電話 (03) 5201-5220(直) ドキュメント請求窓口：半導体ドキュメント管理室 E-Mail：[email protected] 電話 (03) 5201-5189(直) ● 製品仕様は、改良のため変更することがあります。 Copyright  Hitachi, Ltd., 2000. All rights reserved. Printed in Japan. (株)日立製作所半導体グループのホームページにおいて、製品情報を豊富にお届けしております。ぜひご覧ください。 http://www.hitachi.co.jp/Sicd/ Colophon2.0 8