最先端電子デバイス用高性能ウェハーめっき装置

No.
E4.4534
最先端電子デバイス用
高性能ウェハーめっき装置
商品名
ウェハー用フェイスアップ式、及び縦型ディップ式電解めっき装置
メーカー
株式会社　東設
フェイスアップ式
C to C 2-Loader/2-Cell 全自動電解めっき装置
商品説明
縦型ディップ式
多用途11槽ラック自動搬送式めっき装置
１）フェイスアップ式は、磁性体や TSV( シリコン貫通電極 ) などのめっきプロセスに適してい
ます。
パドル撹拌および補助電極による電流分布の制御により均一性の高い成膜が可能。
２）縦型ディップ式は、多機能端末小型電子部品、マイクロバンプ等の大量生産用に適しています。
パドル撹拌および遮蔽板による電流分布の制御により均一性の高い成膜が可能。
ニッケル、金、銅、磁性体などのめっき膜種に対応可能。
○両者とも、ウェハーサイズは 3 インチから 12 インチまで対応可能。
○研究開発から量産向けまで、ご要望の仕様に応じて卓上実験機、半自動機、カセット To カセッ
ト式、全自動装置の設計製作を行います。
本商品の
優位性
１）フェイスアップ式は、面内膜厚均一性を± 2％以内、めっき膜成分のばらつきを± 0.5％以内
に保証することが可能。
パドルによる液の撹拌にて細く深い穴へめっき液を導き、より優れた充填めっきを行います。
アスペクト比は 10 まで対応可能。
腐食性の強い Fe 成分組成の高いめっき ( 磁性体めっき等 ) においては、めっき成膜直後の
急速ストロングリンス ( 特許登録番号：4695567) により錆のない安定したプロセスを
ご提供致します。
２）縦型ディップ式は、
多数のめっき槽を設計、
配置する事が可能です。量産のための高スループッ
ト装置です。
お客様のウェハー形状、厚みに合致させた独自のホルダー共同開発をご提案致します。
活用事例
及び提案
・ハードディスクドライブヘッド、磁気センサー向け磁性膜めっき (NiFe, CoFe, CoFeNi)
・スマートフォン、タブレット用 WLP 電子部品配線、バンプ向け Ni、Au、Cu めっき
・3 次元半導体デバイス、MEMS 向け TSV Cu フィリング、マイクロバンプ、Cu 配線めっき
お問い
合わせ先
（公財）東京都中小企業振興公社　総合支援部国際化支援室
TEL 03-3438-2026　FAX　03-3433-7164
E-mail [email protected]　URL http://www.tokyo-trade-center.or.jp/
※（公財）東京都中小企業振興公社は、東京都が設立した「公益財団法人」です。
本商品は、
（公財）東京都中小企業振興公社が実施する
海外販路開拓支援事業の支援対象商品です。
No.
E4.4534
High Performance Wafer Electro-Plating Tool
for State-Of-The-Art Electronic Devices
Product Name
Electro Plating Station Face-up type and Vertical Dipping type.
Manufacturer
Tosetz Inc.
Face up type
C to C 2-Loader/2-Cell
Fully Automated Electro Plating Station
Vertical dipping type
Multi-Purpose 11 cells Rack handling
Automated Electro Plating Station
1) Face up type is fit for Magnetic Layering and TSV filling process. This tool is also possible to make
Product
Information uniform films on the wafer by means of paddle shacking and deflector controlling.
2) Vertical dipping type is fit for volume production such as multifunction terminal devices, micro bump,
etc. This tool can make uniform films on the wafer by means of Paddle shacking, current shield plate
adjustment for current distribution. This tool is for Nickel, Gold, and Cupper plating process.
○ Face up and Vertical dipping type both is available for 3 to 12 inch wafers.
○ We can make much type of customized tools such as basic R&D tool, or volume production tool
followed by customer requirements. For example, table tap tool for examination, semi auto tool, and
C to C full automated tool.
Features 1) Face up type guarantees less than 2% thickness uniformity on the wafer and ±0.5% composition
uniformity in the film. For Cu filling process, paddle shacking conduce the plating solution into the VIA
Holes and also allow to proceed aspect ratio 10.
For corrosive layer such as high iron concentration film which is required quick and strong rinsing as
deposion. This tool has a special rinsing system under the cell.
2) Vertical dipping type is able to arrange a lot of process tanks for volume production.
(high through put processing if customer is required.) In order to run the specified customer wafer,
we can create new type of wafer holder.
Usage
Examples
・Magnetic alloy plating (NiFe, CoFe, CoFeNi) for HDD Head, magnetic sensor.
・Ni, Au, Cu plating of WLP process for smartphone and tablet electrical parts.
・Cu TSV, micro bump, wiring plating for 3D-ICs, MEMS.
Please
Tokyo Metropolitan Small and Medium Enterprise Support Center/ Tokyo Trade Center
send your TEL +81-3-3438-2026　FAX +81-3-3433-7164
inquiry to E-mail [email protected]　URL http://www.tokyo-trade-center.or.jp/
Tokyo Metropolitan SME Support Center, is founded by
Tokyo Metropolitan Government to assist SME in Tokyo,
supports the overseas promotion of this product.
No.
E4.4534
最尖端电子元件用高性能晶圆电镀装置
商品名
晶圆用面朝上式及纵型浸式电解镀层装置
生产厂商
株式会社　东设
面朝上式
C to C 2-Loader/2-Cell 全自动电解镀层装置
商品说明
纵型浸式
11槽齿条自动运送式多种电镀金装置
１）面朝上式适用于磁性体或 TSV（硅贯通电极）等电镀工艺。
采用桨式搅拌并用辅助电极控制电流分布，能使成膜获得很高的均匀性。
２）纵型浸式适用于多功能终端小型电子元件、微型隆起等的大量生产。
采用桨式搅拌并用遮蔽板控制电流分布，能使成膜获得很高的均匀性。
可用于镍、金、铜、磁性体等各种电镀膜。
○两者均能用于 3 英寸到 12 英寸的晶圆。
○从研制阶段到量产要求，均能按照用户提出的规格进行台式实验机、半自动机、插盒 To 插盒式、
全自动装置等的设计和制作。
本商品的优
越性
１）面朝上式可保证面内膜厚均匀性达到 ±2％以内，镀膜成分的不均匀性控制在 ±0.5％以内。
采用桨轮对液体进行搅拌，能将电镀液引入细小深孔内，使充填电镀效果更为优异。
深度比最大可达到 10。
对腐蚀性很强的 Fe 成分组成很高的电镀 ( 磁性体电镀等 )，我们在电镀成膜后立即进行快速强
力冲洗 ( 专利注册编号：4695567)，提供不会生锈的稳定工艺。
２）纵型浸式能够设计和配置多个电镀槽。是用于量产的高通过量装置。
为了适合用户的晶圆形状和厚度，建议用户与我们共同开发特殊的保持架。
活用事例
及提案
・硬盘驱动器磁头用磁性膜 (NiFe, CoFe, CoFeNi) 及其他磁性膜　・用于手机、平板电脑平板用电子元件　S.A.W Filter 配线、UBM 的 NiAu 电镀
・用于 3 维半导体元件的 TSV Cu 拟合、Cu 微型隆起形成、Cu MEMS 配线电镀
问询窗口
（公财）东京都中小企业振兴公社综合支援部国际化支援室
TEL 03-3438-2026　FAX　03-3433-7164
E-mail [email protected]　URL http://www.tokyo-trade-center.or.jp/
※（公财）东京都中小企业振兴公社是由东京都设立的“公益财团法人”
本商品属于（公财）东京都中小企业振兴公社实施的
海外销路开拓支援事业的支援对象商品。

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