4200-SCS型 半導体特性評価システム 複雑な特性評価をかんたんに device characterization • parametric I-V analysis • stress-meas 4200-SCS 幅広いアプリケーション への明快で経済的な 最適ソリューション •半導体のテクノロジー開発 •半導体プロセスインテグレーション •受入検査 •故障解析 •デバイス信頼性/寿命試験 •ナノテク研究 •可動イオン特性評価 •ドーピングプロファイルの抽出 •High-k 、 Low-k材料研究 •自己発熱を取り除いたテスト •フラッシュメモリ試験 • III-V族デバイスのパルス試験 •有機EL、 液晶ディスプレイ •ホール効果、 van der Pauw 試験 •半導体デバイスモデリング •RFIC,、 ハイパワーMOSFET/BJT特性評価 •界面チャージトラップの評価 ure reliability testing • device modeling • materials research DC 、I-V、C-V、 そしてパルスの試験を 1つの環境で 拡張した豊富な機能 ® Windows ベースのインタフェース トレーニング不要 ワンクリックで連続試験を自動実行 プログラミングは不要 優れた拡張性 構成の組み合わせ、 拡張は自在 リモート構造の0.1fA分解能 プリアンプ ケースレーならではの 微小電流測定 ターンキーソリューションに拡張可能 まず、届いたその日から試験開始 3 完全な統合ソリューション オールインワン RAM増設された工業用PCが高い試験スループットを実現。 堅牢性、 安定性、 安全性も万全。 業界標準Windowsベー スのPCを内蔵し、 煩わし いPCの設定やつなぎ込み が不要。 高速、高精度ADコンバ ータを各SMUに装備 し、 システムのスループッ トを最大化。 大容量ハードディスクを搭載。 試験設定やデータファイルをシ ステム内にストアでき、 快適に操作。 内蔵CD-RWにより、大容量 のバックアップやデータ保存・ 転送が可能。 多くの周辺機器に 簡単に接続できる 内蔵USBインタフェース。 KITE (KEITHLEY Test environment ) •不慣れなユーザもプログラミングせずに効率よく試験をすぐに開始。 •わかりやすい対話式インタフェースをクリックし、 試験パラメータを変更し試験を実行。 •4200-SCSのパルス試験機能を高める3つのアプリケーションパッケージを提供：先端CMOS研究でのチャージトラップ試 験や自己発熱を抑制した試験に向いた4200-PIV-A型、 III-V族や他の高周波FETデバイスのハイパワーパルス試験に最適な 4200-PIV-Q型、 フラッシュや組込みメモリデバイスの試験用の4200-FLASH。 • I-V試験のようにC-V試験を簡素化。 C-V試験の各種サンプルプログラム、 テストライブラリ、 パラメータ抽出サンプルが付属。 •試験設定、 データ、 プロットをExcel(.xls)、 改行付きテキスト(.txt)、 ビットマップ(.bmp)、 JPEG(.jpg)、 TIFF(.tif)形式で出力。 •簡単スタートアップのための各種サンプルテスト、 プロジェクトを同梱。 •CVメータ、 マトリックススイッチ、 パルスジェネレータ、 各種プローバ用ドライバを提供。 •各種モデリングソフト用ドライバオプション。 4 4200-CVU型は、 スロットに直接搭 載し、SMUと同様にポイント&クリッ クのインタフェースで制御可能。 RS-232ポート 業界標準10/100 BASE-Tイーサネッ トにより、 ファイル転送、 ネットワーク プリンタへの印字も容易。 標準パラレルプリンタポート 標準装備のリモートセンス付きローノイズグランドユニット 最大8台のSMUを組込可。 サブfAリモートプリアン プ・オプションは全SMUに装着可。 ハイパワーSMU はSMU収容キャパシティに影響なし。 SVGAモニタポート 追加USB 1.1ポート GPIBインタフェースを使い外部計測器を 制御するか、 Agilent 4145スタイルの コマンドを使い4200-SCSを外部から制御。 波形測定用の8ビットまたは16ビットの2チャンネルデ ジタルオシロスコープが選択可能。取り込んだ波形の 全体でも選択範囲でも測定可能。 拡大するパルスアプリケーション用に最大4つの2chパルスジェ ネレータを搭載可能。I-Vパルス試験から多チャンネル並列AC ストレスを与えるストレス/測定WLR試験まで対応。 プリアンプはプローブステーションの近傍でも離しても設置可 能。 DUTとプリアンプの信号経路を10cmほどまで短くしてケーブ ルの寄生容量やリーク電流の影響をなくすことができるので、 より 正確な高感度測定が可能。 5 直感的でわかりやすいGUI 特性評価を簡単で迅速に 1 提供されるライブラリを使 い、直感的なポイント＆クリ ックインタフェースから試 験の設定を行います。 2 スクリーン上のRunボタンをク リックするだけで、結果がリアル タイムにプロットされます。 3 データはExcelワークシートか ASCII形式、 プロットはビットマッ プ、JPEG、TIFF形式で出力できます。 内蔵のフォーミュレータ、 グラフ、演算 シート機能により、複雑な解析を簡単 に行えます。 6 自動試験シーケンスを簡単実行 プロジェクトナビゲータは試験を体系化し、 そのシーケ ンスを制御します。 試験種の変更、 結果の呼び出しはい たって簡単かつ高速です。 1 つのデバイスに対してさま ざまな試験種を実行するには、 ナビゲータによってデバ イスをクリックし、 Runボタンをクリックするだけです。 Keithley Interactive Test Environment (KITE) は、 ユ ーザがデバイスの振る舞いを素早く理解して頂けるよう設 計されています。試験シーケンスを実行中でも、終了した試 験から、 そのデータやプロットが表示され、 またデバイス性 能の全容がすぐにわかるよう、複数のプロットが同時に観 測できます。 4200-SCS型をC言語ライブラリで拡張 KITEのユーザテストモジュール(UTM)によって 外部機器を拡張したり、先進テストアルゴリズム を採用できます。UTMによって研究ラボユーザ へはC言語サブルーチンのフィルインブランク形 式のインタフェースが提供されます。誰もが必要 とするデータ収集、解析、 レポートの主要機能 は、一つのアプリケーションに統合されています。 また試験の進捗モニタ用に、 リアルタイムでデー タを確認しグラフ化が行えます。標準で提供され ケースレーユーザライブラリツール(KULT)を使 い、試験サブルーチンを試験シーケンスに簡単 に組み込めます。 7 特性評価オプションを拡張 c-v試験もi-vの簡単さ 4200-SCS型の直感的なポイント&クリックインタフェースと強力なKITE(Keithley Interactive Test Environment)が結びつくことで、 4200-CVU型とそのソフトウェアによりI-V試験のセットアッ プや実行をする容易さでC-V試験ができます。 柔軟性があり強力なシステムのテスト実行エンジンに より、 I-V、 C-V、 パルスの試験をひとつのテストとして簡単に融合できるので、 各種測定器を組み合 わせて実現したシステムを置き換え、 単一の緊密に構成されたソリューションとなります。 4200-CVU型を4200-SCS型本 体に直接搭載し、 SMU と同様に KITEのポイント&クリックインタフ ェースで制御できるので、 C-V試験 を熟練者のような器用さで行えま す。MOSCAP、 MOSFETや可動イ オン評価といった各種のサンプル 試験が付属し、 さらに酸化膜厚、 不 純物準位、 空乏層深さ、 フラットバ ンド電圧のような共通のパラメータ 抽出サンプルも含まれます。 周波数 範囲が10kHz〜10MHz、 容量測 定確度が0.1%といった仕様によっ て4200-CVU型は市場にあるどの ソリューションよりも抜きんでてい ます。 8 4200-CVU型の抜きんでた測定確度、 スピード、 使い勝手のよさは、 4200-SCS型が持つ高速デジタル測 定ハードウェアや緊密なハード・ソフトの統合だけでなく、 ケースレーの超ローノイズの設計基準から生ま れています。 これらの特長により、 単一測定のセットアップや事前に組み込まれたテストシーケンスを一つ のマウスクリックで実行するような簡単な作業も、 また複数のC-Vスイープを行って結果を作図するような 高度な作業であっても、 4200-CVU型は他のC-Vメータと同様のスピードでC-Vスイープを実行しプロッ トをリアルタイムに作成します。 モジュール・システムアーキテクチャなので、 4200-CVU型をお客様所有 の4200型に簡単に追加でき、 また新規購入の4200-SCS型のオプションとしても搭載できます。 強力なC-V試験ライブラリとパラメータ抽出サンプル 4200-CVU型にはハードウェアやインタフェースソフトウェア以上のものがあります。 ケースレーの 何十年にもわたるC-V試験技術の経験に裏打ちされた、 幅広いサンプルプログラムやテストライブ ラリ、 そして内蔵のパラメータ抽出サンプルを提供します。 •一般的なMOSFET、ダイオード、キャパシタの標準C‑Vスイープ •MOScap: MOSキャパシタのC-V測定 •MOSFET: MOSFETデバイスのC‑Vスイープ測定 •寿命: MOSキャパシタの結合速度の決定や寿命試験（ゼルプストプロット) •可動イオン: バイアス温度(BT)ストレス法により可動電荷を決定 •容量: MIM(Metal‑Insulator‑Metal)キャパシタのC‑V、C‑fスイープ •PN接合: DUT両端の電圧の関数としてp-n接合やショットキーダイオードの容量を測定 •太陽電池セル: 太陽電池の順方向および逆方向のDCバ イアス特性を測定 •BJT: Cbe、Cbc、Cecなどの端子間容量(0V バイアス時)を測定 •I‑V/C‑Vスイッチ: DC SMU、CVU、707A/708A型スイ ッチマトリックスを一つのプロジェクトで制御 •配線容量: ウェーハ上の配線微小容量のC‑V測定 •ナノワイヤ: ２端子ナノワイヤデバイスのC-Vスイープ測 定 •フラッシュ: 一般的な浮遊ゲート型フラッシュメモリデバ イスのC‑V測定 4200-SCS型のスロットに直接搭載される 4200-CVU型モジュール 9 特性評価オプションを拡張 柔軟なパルス発生と測定 KTE InteractiveはSMU のように4200-SCS 型 本体の1つのスロットに搭載された1台の2chパルス ジェネレータ (4205-PG2型)と2台の2chデジタル オシロスコープをサポートします。この4 2 0 0 - S C S 型 の構 成で、パルス駆 動 、波 形 生 成 、信 号 観 察が 統 合 され 単 純 で 経 済 的 な 試 験 環 境 が できあがります。 4205-PG2型はパルス機能に加えて2つの波形生成モー ドをサポートします。任意波形モードは、最大25MHzの クロック速度で、256Kポイントまでの複雑な波形生成を 行えます。 セグメント ARB™ モード (特許申請中) では、 最大1024セグメントまで設定して簡単に波形の生成、格 納、発生を行えます。 セグメントは異なった時間幅に設定 できるので、波形生成の自由度が格段にあがります。 2チャンネルパルスジェネレータ 4205-PG2型2chパルスジェネレータは高速モー ドで10nsまでの、高電圧モードで ±20V (50Ω 負荷) までの電圧パルスを供給します。 4200-SCS型本体は4個のパルスジェネレータを サポートするので、最大8チャンネルまでのパルス 発生を行えます。 これによりアプリケーションが大 幅に広がり、 チャージポンピング(3値のチャージポ ンピングを含む)、 ストレス/測定WLR試験のため の並列ACストレス、 テストベクタや故障解析のた めのクロック発生、多ピンデバイス試験のためのト リガなどに応用できます。新たなトリガーイン機能 を使うと、多チャンネルのパルス動作の同期が簡 単に行えます。 10 dcを超越 2種類の2chデジタルオシロスコープが選択可能 内蔵型デジタルオシロスコープオプションは、2種類 から選択できるようになりました。 ・4200-SCP2型：8ビット分解能、 サンプルレート 最大2.5ギガサンプル/秒 ・4200-SCP2HR型：16ビット分解能、 サンプルレ ート最大400メガサンプル/秒 どちらも、 プログラミングにより測定とデータ取得を 自動化することができ、 スタンドアロンのGUIアプリ ケーションを使用して従来のオシロスコープタスク を実行することもできます。 スコープは、 タイムドメイ ン(周波数、立上り/立下り時間)と電圧ドメイン(振 幅、 ピーク-ピークなど)の両方での測定が可能です。 11 ターンキーパルスI-V アプリケーションパッケージ 4200-SCSシステムのカスタマイズ費用を削減するため、 ケースレーでは、 特定のパルス試験アプリケーシ ョンのためのハードウェア/ソフトウェアのパッケージを用意しています。 4200-PIV-A パルス I-V パッケージ 2chパルスジェネレータ、 内蔵デジタルオシロスコープ、 結線キット、 さまざまなパルスI-V試験を自動化するた めのパルス生成/データ取得の制御ソフトウェアのパ ッケージです。 特許取得済のケーブルおよびロードラ イン補償ユーティリティにより、 電圧しきい値抽出のた VGS-ID などのトランジスタのI-Vカーブ めの VDS-ID 、 が、 DC時のように描けます。 このパッケージは、 high κ ゲート膜トランジスタや、 SOIなどの先進CMOS技術を はじめ、 チャージトラッピング、 自己発熱などが問題とな るパルスI-V試験に理想的です。 化合物半導体やRFデバイスのパルス測定に： 4200-PIV-Q パルスI-Vパッケージ 4200-PIV-Qは、III-VまたはLDMOS技術のHEMT やFETなどRFトランジスタの静止(Q)点対応パルス が可能なパッケージです。複数のパルスジェネレータ と、 デジタルオシロスコープを組み合わせることによ り、2chパルス(デバイスのゲートとドレインへの印加な ど)、 ハイパワーパルス印加、非ゼロ静止点パルス印加 などのさまざまな新しい機能を提供します。特性変動 の詳しい調査や単一パルスを使用した過渡的な影響 の観測などに便利です。 12 不揮発性メモリテストに：4200-FLASHパッケージ 4つの独立(同期)マルチレベルパルスチャンネルを提供し、 シングルフラッシ ュメモリセルや小規模アレイを高速かつ容易に試験します。NANDまたは NOR技術(MLCを含む)の標準的なフラッシュメモリ試験 (特性評価、耐 久性試験、ディスターブ試験)の実行に必要なコードと結線が含まれてい ます。新しいSegment ARB™波形ジェネレータ、緊密に制御されたインラ イン高耐久性出力リレーによりプログラム、消去サイクルを生成でき、寿命 試験時間を大幅に短縮できます。 内蔵ドライバにより、外部ハードウェアをGPIB経由で制御 Cメータ、 マトリックススイッチ、 プローバ、外部パルスジェ ネレータを半導体特性評価システムに組み込むニーズ はありますか? GPIBアドレスをセットし、GPIBケーブル で結線するだけで、4200-SCS型で試験を実行する準 備が完了します。 ケースレーが提供するユーザテストモジ ュール(UTM)によって、 それらの外部機器のデータがグ ラフ解析ツールへ渡されます。 プローバを制御した試験/ウェーハ・ステッピングの自動化 が可 •Cascade、Suss、Micromanipulator、Signatoneセ ミオートプローバ用のソフトウェアドライバ付属。 •ポイント&クリックだけで、試験をデバイスごとに整理 し、試験シーケンスの実行、 データ格納が可。 13 さまざまなアプリケーション 適応性 ナノテクノロジーアプリケーション 7つの一般的なナノデバイスストラクチャの特性評価のため の、 16種類の対話式テストモジュール(ITM)が用意されてい ます。 4200-SCSに付属しているサンプルプロジェクト、 サンプ ルテストと併用することで、 強力なナノテク開発ソフトウェアア プリケーションとなります。 新しいアプリケーションを開発した り、 新たに発生する試験要求の解決に必要な時間を低減し、 研究に専念できるよう支援します。 4200-SCSは、新しいIEEE スタンダードであるP1650™-2005: IEEE Standard Test Methods for Measurement of Electrical Properties of Carbon Nanotubesをサポートし、 これに準拠しています。 サポートしているナノデバイス: • カーボンナノチューブ • カーボンナノチューブ FET • BioComponent • ナノワイヤ • 分子ワイヤ • 分子トランジスタ • 多ピンナノセル モデリングラボでのデータ収録アプリケーション 4200-SCSは、ProPlus Design Solutionの BSIMProPLUS™、AgilentのIC-CAPモデリングアプリケー ション、SilvacoのUTMOST III SPICEモデリングソフトウェ アとのGPIBインタフェースをサポートしています。 ドライバが 4200-SCSを直接制御するので、1台のモデリングステーショ ンのように動作します。 デバイス寿命を正確かつ経済的に 4205-PG2パルスジェネレータは、新材料、故障メカ ニズム、 クロックデバイスのACストレス試験をDCスト レスと同様にポイント&クリックで行えるように設計さ れています。 14 4200-SCSに組み込まれた 「ストレス-測定」。 パッケージレ ベルおよびウェーハレベルでの信頼性試験に理想的です。 シーケンサはストレス-測定の順序を制御します。4200SCSで作られたテストはその中の測定フェーズに挿入でき ます。 テストシーケンスは完全にユーザが設定でき、 その中 にVt-linなどの対話式モジュール （ITM)やユーザテストモ ジュールを混在できます。各測定のセットアップをしている 間に、複数のテストを実行でき、 スイッチによりストレス中の デバイス群を分離できます。 いくつかのJEDEC準拠のサン プルプロジェクトが標準で添付され、 ホットキャリア注入ま たはチャンネルホットキャリア、NBTI、 ブレークダウン電荷、 エレクトロマイグレーションなどの標準WLR試験プロジェ クトも含まれています。 すべてのプロジェクトは簡単にカスタ マイズでき、個別のWLR要求にもお応えします。 スイッチソリューション スイッチ制御を統合 ケースレーは、 アプリケーションにベストマッチな切り替 えができるよう、3種類の標準マトリックススイッチを用 意しています。 ケースレーの707A型6スロット・スイッチメ インフレーム、708A型1スロット・スイッチメインフレーム をベースに、標準構成品として、 スイッチ部材、 ケーブル、 マトリックススイッチのアセンブルと4200-SCSの試験環 境にマトリックス構成を加えるための手引書が提供され ます。一旦スイッチのインストールが完了すれば、構成 ユーティリティの 「フィルインブランク」方式でパスを指定 し、4200-SCSの信号端子を、 スイッチを介して試料に 接続できます。 スイッチ行列のクロージャーアプリケーシ ョンや、測定器からDUTピンまでの試験信号のルーティ ングを管理するユーザライブラリを覚えてプログラミング する必要はありません。 標準マトリックススイッチ 汎 用 <100pA 7071型 超微小電流 微小電流 <1pA 7072型 <100fA 7174A型 • 部品の自動化 • 基本デバイス特性評価 • 高性能デバイスの特性評価 • リモートセンスアプリケーシ ョンに適合 • ローカルセンス、C-Vメータ、 パルスジェネレータに良好 • 標準三軸同軸ケーブル • プリアンプなしの4200-SCS に最適 • 低価格、高密度ケーブル • 8×12〜8×72に拡張 • プリアンプなしの4200-SCS に適合 • 標準三軸同軸ケーブル • プリアンプ付の4200-SCS に適合 • 8×12〜8×72に拡張 • 8×12〜8×72に拡張 15 さらに高度な測定へ 特性評価の自動化：ACS統合テストシステム ACS統合テストシステム(Automated Characterization Suite)により、 4200-SCSと、 一般的なセミオートおよびフ ルオートウェーハプローバとのインタフェースが容易にな ります。 ACSソフトウェアは、 ウェーハ記述、 テストセットアッ プ、 対話式プローバ制御、 自動化、 テストサマリレポート生 成など、 さまざまな複雑なシステム機能を簡単化します。 同 じテストプラン、 環境で、 セミオートとフルオートを簡単に切 り替えられるので、 操作が非常に柔軟です。 ACS統合テストシステムは、構成自在な 測定器ベースのシステムで、 デバイス、 ウェーハ、 カセットレベルでの 半導体特性評価に最適です。 さまざまな測定器との統合が可能に ACSは4200-SCS 、 ケースレー2600シリーズシステム ® ソースメータ を含むさまざまな外部測定器との統合 を簡単にします。ACSはオープンアーキテクチャを採 用しており、使いやすさを犠牲にせずにプログラミング の柔軟性を最大限に高めます。 16 さらなるデバイス特性評価ソリューション 2600シリーズシステムソースメータ® は、高速な測定 やチャンネル数が要求されるアプリケーションに適し ® ています。 内蔵のTest Script Processor が、I-Vファ ンクション試験で、 比類ないシステムオートメーショ ンと、従来比2〜4倍の試験スループットを確実化し ます。TSP-Link™ のマスター/スレーブ接続が、複 数の2600シリーズシステムソースメータのチャンネル をシームレスに統合し、1つのシステムとしてプログラ ミングし、制御できます。 また、広いダイナミックレンジ （10pA〜10A、1µV〜1100V、20W〜1000W） が必 要なアプリケーションには、 2400シリーズソースメータ を利用できます。 スケーラブルなインスツルメンツグレードのスイッチ ングと多チャンネル測定が必要な電子機器、電子部 品の自動試験には、3700シリーズスイッチシステムと 内蔵DMMオプションが最適です。LXI Class B準 拠で、Test Script Processorを内蔵し、 比類ないシ ステムオートメーション、 スループット、柔軟性を実現 します。 17 主な仕様 電流仕様 電流 レンジ1 最大 電圧 1 A 100mA 100mA 10mA 1mA 100 µA 10 µA 1 µA 100 nA 10 nA 1 nA 100 pA 10 pA 1 pA 21 V 210 V 21 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 210 V 4210-SMU ハイパワー SMU 2 4200-SMU2 ミドルパワー SMU 4200-PA型プリアンプ付の 4200-SMU、4210-SMU 3 分解能 測定 確度 ±(読みの% + A) 1 µA 100 nA 100 nA 10 nA 1 nA 100 pA 10 pA 1 pA 100 fA 10 fA 3 fA 1 fA 0.3 fA 100 aA 0.100 %+200 µA 0.045 %+ 3 µA 0.045 %+ 3 µA 0.037 %+300 nA 0.035 %+ 30 nA 0.033 %+ 3 nA 0.050% +600 pA 0.050% +100 pA 0.050% + 30 pA 0.050 %+ 1 pA 0.050 %+100 fA 0.100 %+ 30 fA 0.500% + 15 fA 1.000% + 10 fA 分解能3 50µA 5µA 5µA 500nA 50nA 5nA 500pA 50pA 5pA 500 fA 50 fA 15 fA 5 fA 1.5 fA 印加 確度 ±(読みの% + A) 0.100 %+350 µA 0.050% + 15 µA 0.050 %+ 15 µA 0.042 %+ 1.5 µA 0.040 %+150 nA 0.038 %+ 15 nA 0.060% + 1.5 nA 0.060% +200 pA 0.060% + 30 pA 0.060 %+ 3 pA 0.060 %+300 fA 0.100 %+ 80 fA 0.500% + 50 fA 1.000% + 40 fA 電圧コンプライアンス: 選択電圧レンジの10%〜フルスケールで絶対値を指定 電圧仕様 電圧 レンジ1 200 V 4 20 V 2 V 200 mV 最大 電流 4200-SMU 4210-SMU 10.5mA 105mA 105mA 105mA 3 分解能 105mA 1.05 A 1.05 A 1.05 A 200 µV 20 µV 2 µV 1 µV 測定 確度 ±(読みの% + V) 分解能3 0.015% + 3mV 0.01 % + 1mV 0.012% +150 µV 0.012% +100 µV 5mV 500 µV 50 µV 5 µV 印加 確度 ±(読みの% + V) 0.02% + 15mV 0.02% + 1.5mV 0.02% +300 µV 0.02% +150 µV 電流コンプライアンス: 選択電流レンジの10%〜フルスケールで絶対値を指定 追加仕様 最大パワー: 22W(4210-SMU)、2.2W(4200-SMU) 共にシンク/ソースの4象限動作 DCフローティング電圧: コモンまたはシャーシから±32Vフロート可 電圧モニタ (VMUモードのSMU): 電圧 レンジ 200 V 20 V 2 V 200mV 測定 分解能 200 µV 20 µV 2 µV 1 µV 測定 確度 ±(読みの% + V) 0.015% + 3mV 0.01% + 1mV 0.012% +110µV 0.012% +80 µV 差動電圧モニタ: 2つのSMUをVMUモードで使うか、各SMUのセンスLo端子を使い、差動電圧モニタが 可 グランドユニット グランドユニット使用時の電圧誤差は4200-SMU、4210-SMU、4200-PA仕様に含ま れ、 それ以外の誤差はなし。 出力端子接続: デュアルトライアキシャル、5ウェイバインディングポスト 最大電流: 2.6A@デュアルトライアキシャル、8.5A@5ウェイバインディングポスト 負荷容量: 制限なし ケーブル抵抗: FORCE ≤1Ω、SENSE ≤10Ω 13 入力インピーダンス: >10 Ω 入力リーク電流: <30pA 測定ノイズ: 測定レンジの0.02% (rms) 18 註 1全レンジはフルスケールの105%まで拡張。 2仕様は4200-PA付き、 なしの両方のレンジに適用。 3規定分解能は基本ノイズで制限。測定分解能は各レンジ6.5桁。印加分解能は各レンジ4.5桁。 4200Vレンジを使用するにはインターロック取り付けが必要。 主なac仕様 4205-PG2 パルスジェネレータ仕様 標準パルス: ±20V (into 50Ω) ±40V (into 1MΩ) 周期: 20ns〜1s プログラミングパルス分解能: 10ns〜DC近傍 任意 (ARB) 波形: 深さ: 256Kポイント/チャンネル タイムベース:20ns/ポイント〜 1s/ポイント、波形全体では固定 タイムベース セグメントARBTM波形: 深さ: 1024セグメント/チャンネル ステップ (各セグメントには異なる持続 時間を設定可能) 4200-PIV-A 仕様 分解能: 100nA サンプルレート: 1GS/s DCオフセット: 主なデジタルオシロスコープ仕様 バンド幅 (50Ω): DC〜750MHz チャンネル数: 2 最大サンプルレート: 1.25ギガサンプル/秒 (1チャンネルあたり ) 2.5ギガサンプル/秒 (1チャンネルインターリーブの場合) オンボードメモリバッファ: 最大1メガサンプル/チャンネル 4200-PIV-q 主な仕様 ゲート/ドレイン電流測定: 10µA 分解能 ± 200V (ドレインで) 最大電流測定: ゲート: 100mA (into 50Ω) ドレイン: 760mA (into 50Ω) パルス印加電圧範囲: 0〜±5V (ゲート) サンプルレート: 200MS/s パルス幅: 40ns〜150ns ゲート/ベースパルス印加: -20V〜+20V (into 50Ω) ドレイン/コレクタ電圧範囲: -38V〜+38V (into 50Ω) 4200-CVU 仕様 測定機能: 測定パラメータ: Cp-G, Cp-D, Cs-Rs, Cs-D, R-jX, Z-theta テスト信号: 周波数範囲: 10kHz〜10MHz 周波数ステップ: 10kHz、1MHz (周波数範囲に依存) 印加周波数確度: ±0.1% 信号出力レベル: 10mV rms 〜 100mV rms 分解能: 1mV rms 確度: ±(10.0% + 1mV rms) 無負荷時(背面パネルで) DCバイアス機能: DC電圧バイアス範囲: ±30V 分解能: 1.0mV スイープ特性: 可能なスイープパラメータ: DCバイアス電圧、 周波数。 パルス幅: 500ns〜999 ms 4200-flash 仕様 パルス印加電圧範囲: 0〜±20V (into 50Ω) 0 〜±40V (into 高インピーダンス) パルス幅: 250ns〜1s DUTピン絶縁のスイッチング時間: 100µs 19 4200 SCS www.keithley.jp PCアップグレードサービス 信頼の指標 ケースレーは、半世紀以上にわたり高感度測定技術を、製 造、QA、研究開発へ、信頼ある測定の指標としてお届けし て参りました。技術革新、 ビジネスモデル激変の中、競争に 切磋琢磨されているお客様へ、 お役に立つ計測ソリューシ ョンをいかに提供するかを常に考えています。 アプリケーションサポート 市場のCPUの進化に合わせ、高速かつ安定した測定環境 で末長くご使用していただくために、 Pentium CPU のアッ プグレードサービスを随時ご提供しています。 データの加工および表示タスクをいつも快適なスピードで 行え、多種の計測や試験データの素早い処理をサポートし ます。詳しくは、営業担当にお問い合わせください。 ケースレーのアプリケーションエンジニアは、全員が高度な 技術バックグランドをもち、質問の回答、製品のデモ、 ソリュ ーションの提案、技術セミナー開催、 システム設計のコンサ ルティングをしています。 また、弊社ウェブサイトでは、有益な アプリケーションノートやプログラム例、技術資料、測定器 ドライバ&ライブラリをご提供しています。 仕様は予告なく変更になる場合があります。 Keithleyの商標はすべてKeithley Instruments, Incに帰属します。 その他の商標は各所有会社に帰属します。 ケースレーインスツルメンツ株式会社 本社■〒105-0022 東京都港区海岸1-11-1 ニューピア竹芝ノースタワー13F■ TEL:03-5733-7555 ■ 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