1. 0.1C-18Cr-9Ni-3Cu-Nb,N鋼のクリープ変形に伴う組織変化とその破壊機構光原昌寿、池田賢一、中島英治、早川弘之、楠元淳一、金谷章宏耐熱金属材料123委員会研究報告, 48(1) (2007) 23-27 2. VおよびNb添加高Crフェライト系耐熱鋼の強化機構とΩ値の相関吉田悠、光原昌寿、池田賢一、中島英治、若井隆純耐熱金属材料123委員会研究報告, 48(1) (2007) 49-56 3. 応力急変試験による耐熱鋼のクリープ変形機構の評価早川弘之、金谷章宏、楠元淳一、中島英治耐熱金属材料123委員会研究報告, 48(1) (2007) 29-39 4. Competition and cooperation between lattice-oriented growth and step-templated growth of aligned carbon nanotubes on sapphire H.Ago, K.Iwamoto, N.Uehara, R.Ohdo, K.Ikeda, M.Tsuji Appl. Phys. Lett., 90(12 ) (2007) 123112-1-3 5. 分子動力学法を用いた結晶性材料の粒界構造とエネルギー評価池田賢一九州大学情報基盤センター広報全国共同利用版, 6(3) (2007) 6. アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン薄膜形成挙動のその場加熱観察池田賢一、廣田健、藤本健資、杉本陽平、高田尚記、井誠一郎、中島英治、中島寛日本金属学会誌, 71(2) (2007) 158-163 7. モリブデン<001>Σ5非対称傾角粒界の原子構造池田賢一、森田孝治、中島英治まてりあ, 45(12) (2006) 843 8. アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察池田賢一、中島英治、廣田健、藤本健資、杉本陽平、高田尚記、井誠一郎、中島寛まてりあ, 45(12) (2006) 906 9. 極低速コイルばねクリープ試験法による高温変形挙動の評価池田賢一、藤本健資、石橋正博、中島英治耐熱金属材料123委員会研究報告, 47(3) (2006) 323-328 10. Electrical characterization of high-k gate dielectrics facricated using plasma oxidation and post-deposition annealing of a Hf/SiO2/Si structure Y.Sugimoto, H.Adachi, K.Yamamoto, D.Wang, H.Nakashima, H.Nakashima Materials Science in Semiconductor Processing, 9 (2006) 1031-1036 1 11. Photoluminescence and TEM evaluations of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication: Temperature ramping process D.Wang, S.Ii, K.Ikeda, H.Nakashima, K.Matsumoto, M.Nakamae, H.Nakashima Nucl. Instr. and Mech. in Phys. Res., B253 (2006) 31-36 12. Stress-induced phase transformation of CeO2 doped tetragonal ZrO2 polycrystal H.Matsuo, A.Sasaki, S.Ii, K.Ikeda, H.Nakashima, T.Kudo Proc. of the 8th Cross Straits Symposium on Materials, Energy and Environmental Sciences, (2006) 133-134 13. Isothermal Phase Transformation in Austenitic Steel M.Mitsuhara, K.Ikeda, H.Nakashima, H.Hayakawa, J.Kusumoto, A.Kanaya Proc. of the 8th Cross Straits Symposium on Materials, Energy and Environmental Sciences, (2006) 53-54 14. Photoluminescence Evaluation of Defects Generated during Temperature Ramp-up Process of SiGe-On-Insulator Virtual Substrate Fabrication D.Wang, S.Ii, K.Ikeda, H.Nakashima, H.Nakashima 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, (2006) 2193 -2195 15. Orientation dependence of fracture toughness measured by indentation methods and its relation to surface energy in single crystal silicon M.Tanaka, K.Higashida, H.Nakashima, H.Takagi, M.Fujiwara Int. J. Fract., 139(3-4) (2006) 383-394 16. AIC法により作製される多結晶Si薄膜形成過程のその場観察池田賢一、廣田健、藤本健資、杉本陽平、高田尚記、井誠一郎、中島英治、中島寛九大超高圧電顕室研究報告, 30 (2006) 73-74 17. Fe-Cu合金における転位とCu粒子の相互作用のSTEM観察太田恭平、波多聰、友清芳二、中島英治、池田賢一、土山聡宏、高木節雄九大超高圧電顕室研究報告, 30 (2006) 79-80 18. 単結晶表面の原子配列によってプログラムされた孤立単層カーボンナノチューブの配向成長吾郷浩樹、上原直保、池田賢一、中村和浩、石神直樹、辻正治九大超高圧電顕室研究報告, 30 (2006) 105-106 19. Transmission electron microscopy studies of misfit dislocation structure of Si/SiGe interface in SGOI wafer S.Ii, K.Ikeda, H.Nakashima, K.Matsumoto, M.Nakamae, H.Nakashima Proceeding of 16th International Microscopy Congress(2006), (2006) 1469 20. 高Crフェライト系耐熱鋼のΩ法によるクリープ寿命評価とそのパラメータに及ぼすV・Nb添加量の効果吉田悠、光原昌寿、池田賢一、中島英治、若井隆純耐熱金属材料123委員会研究報告, 47(2) (2006) 109-113 2 21. SUS321鋼の動的γ→α相変態挙動とそのクリープ破壊への影響光原昌寿、池田賢一、中島英治、早川弘之、楠元淳一、金谷章宏耐熱金属材料123委員会研究報告, 47(2) (2006) 155-160 22. Photoluminescence evaluation of defects generated during SiGe-on-insulator virtual substrate fabrication: Temperature ramping process D.Wang, S.Ii, H.Nakashima, K.Ikeda, H.Nakashima, K.Matsumoto, M.Nakamae Appl. Phys. Lett., 89(4) (2006) 041916-1 - 041916-3 23. Structural and electrrical evaluation for strained Si/SiGe on insulator D.Wang, S.Ii, K.Ikeda, H.Nakashima, M.Ninomiya, M.Nakamae, H.Nakashima Thin Solid Films, 508 (2006) 107-111 24. 2.25Cr-1Mo鋼HAZのクリープ変形中における組織変化光原昌寿、寺田大将、池田賢一、吉田冬樹、中島英治、早川弘之九大総理工報告, 28(1) (2006) 9-15 25. Synthesis of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with controllable density on sapphire surface and polarized Raman spectroscopy H.Ago, N.Uehara, K.Ikeda, R.Ohdo, K.Nakamura, M.Tsuji Chem. Phys. Lett., 421(4-6) (2006) 399-403 26. AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程池田賢一、廣田健、藤本健資、杉本陽平、高田尚記、井誠一郎、中島英治、中島寛電子情報通信学会技術報告, 106(5-7) (2006) 13-17 3