50A Avg 800 Volts

50ＡＡvg 800 Ｖolts
ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ
■回路図
CIRCUIT
■外形寸法図
PGH50N8
OUTLINE DRAWING
Dimension:［mm］
総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor
■最大定格 Maximum Rating
項目
Parameter
記号
Symbol
平均出力電流
Average Rectified Output Current
Io (AV)
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
主端子部
Mounting Torque
Terminal
ゲート端子部
Gate Terminal
Tjw
条件
Conditions
TC=125℃（電圧印加なし）
三相全波整流
Non-Biased for Thyristor
3-Phase Full
TC=108℃（電圧印加あり）
Wave Rectified
Biased for Thyristor
125～150℃はｻｲﾘｽﾀ部に順阻止電圧を
印加しない事
Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor
Tstg
Viso
端子－ベース間，AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
Greased
F
定格値
Max. Rated Value
単位
Unit
50
A
50
-40 ～ +150
℃
-40 ～ +125
℃
2500
V
Ｍ５
2.4 ～ 2.8
Ｍ５
2.4 ～ 2.8
－
－
Ｎ・ｍ
■熱特性 Thermal Characteristics
項目
Parameter
記号
Symbol
接触熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(c-f)
条件
Conditions
ｹｰｽ－ﾌｨﾝ間(ﾄｰﾀﾙ)､ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
Case to Fin , Total , Greased
特性値（最大）
Maximum Value
単位
Unit
0.06
℃/Ｗ
ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies)
■最大定格 Maximum Rating
項目
Parameter
くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧
*1
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧
*1
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
項目
Parameter
サージ順電流
Surge Forward Current
電流二乗時間積
I Squared t
許容周波数
Allowable Operating Frequency
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
VRRM
800
V
VRSM
900
V
記号
Symbol
*1
*1
IFSM
I2t
f
条件
Conditions
50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2～10ms
定格値
Max. Rated Value
単位
Unit
600
A
1800
A2ｓ
400
Hz
*1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.
ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies)
■電気的特性 Electrical Characteristics
項目
Parameter
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
記号
Symbol
*1
*1
熱抵抗
Thermal Resistance
条件
Conditions
特性値（最大）
Maximum Value
単位
Unit
3
mA
IRM
Tj = 125℃, VRM= VRRM
VFM
Tj = 25℃, IFM= 50A
1.15
V
Rth(j-c)
接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ)
Junction to Case , Total
0.11
℃/Ｗ
*1：1 ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.
サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 die)
■最大定格 Maximum Rating
項目
Parameter
くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧
*2
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧
*2
Non-Repetitive Peak Off-State Voltage
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
VDRM
800
V
VDSM
900
V
*2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor
項目
Parameter
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間績
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
記号
Symbol
定格値
Max. Rated Value
単位
Unit
1200
A
2～10ms
7200
A2ｓ
VD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs
100
A/μs
PGM
5
W
PG(AV)
1
W
IGM
2
A
VGM
10
V
VRGM
5
V
IＴSM
I2t
di/dt
条件
Conditions
50Hz 正弦半波，1 ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
■電気的特性 Electrical Characteristics
項目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage
記号
Symbol
特性値（最大）
Maximum Value
最小標準最大
Min Typ Max
条件
Conditions
単位
Unit
IDM
Tj = 125℃, VDM= VDRM
VTM
Tj = 25℃, ITM= 50A
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
IGT
VD= 6 V, IT= 1A
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD= 6 V, IT= 1A
VGD
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
0.25
V
dv/dt
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
500
V/μs
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
tq
t gt
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs
15
mA
1.15
V
200
100
50
4.0
2.5
2.0
mA
V
150
μs
6
μs
項目
Parameter
遅れ時間
Delay Time
立ち上がり時間
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance
■質量 Approximate Weight
－－－約２２５ｇ
■定格・特性曲線
記号
Symbol
td
条件
Conditions
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs
tr
特性値（最大）
Maximum Value
最小標準最大
Min Typ Max
単位
Unit
2
μs
4
μs
IL
Tj =25℃
100
mA
IH
Tj =25℃
80
mA
Rth(j-c)
接合部－ケース間
Junction to Case
0.35
℃/W

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