KLA-Tencorの新レチクル検査装置Teron TM 600は2Xnmノードでの

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KLA-Tencor の新レチクル検査装置 TeronTM 600 は 2Xnm ノードでのマスク・デザインの
不連続性に対応します
カリフォルニア州ミルピタス発(平成21年 9 月 14 日), —半導体と関連業界にプロセ
ス・コントロール及び歩留まり管理の解決策を提供する世界のリーディング・カンパニー
KLA-Tencor 社(NASDAQ: KLAC, 本社:カリフォルニア州ミルピタス 日本法人:ケーエ
ルエー・テンコール株式会社) は、本日、Teron 600 シリーズレチクル(マスク)欠陥検査
装置を発表しました。2Xnm ノードロジックデバイス(3Xnm ハーフピッチメモリ)でマス
クデザインは大きな過度期に差し掛かっています。この状況に対応するため、新規に開発
された Teron 600 のプラットフォームはスキャナーの照明条件を検査モードに組み込むこ
とが可能となっとり、既存の業界標準機である TeraScanTMXR に対して欠陥検出感度と計
算機リソグラフィーの能力に関して飛躍的な改善がされています。このような機能は 2Xnm
ノードを特徴づける革新的なレチクルの開発と量産を可能にするために必要なのです。
マスクの設計者は従来ターゲットウエハーパターンに類似したマスクパターンを起こして
から、ウェハ上に希望通りの構造が形成されるよう、マスクの構造に修正を加えるという
方法(光近接効果補正或いは OPC)を採ってきました。193nm のリソ技術をサブ波長の分
野まで延命してきたこの従来の方法は、2Xnm ノードから使えなくなり始めています。この
ため 2Xnm ノードではインバースリソグラフィー技術(ILT )やソースマスク最適化
(SMO )等に代表される計算機リソグラフィー技術が検討されるようになっています。
ILT は通常膨大な数の微細な構造によって複雑なマスクパターンを作り出すために生産が困
難であるのが現実です。ソースマスク最適化(SMO )においては、不均一なスキャナー照
明形状を考慮にいれた計算が必要となり、さらに困難な問題となっています。この照明形
状は、ウエハー上で最適なリソグラフィーの結果を出すために ILT マスクと併用して作用
するように設計されています。
KLA-Tencor のフォトマスク検査事業部担当本部長兼バイス・プレジデントの Brian Haas
は次のように述べています。「2Xnm ノードのデバイス製造に於けるレチクル戦略の著しい
変化はレチクル欠陥検査に不連続性を引き起こしました。レチクル構造が 3Xnm から
2Xnm への縮小から想像していたよりもはるかに小さいうえマスクパターンが分割されてい
るために、検出されたレチクル欠陥を見て、その欠陥がウエハー上に転写され工場内で歩
留まりに壊滅的な打撃を与えうるかどうかをエンジニアが断定することが困難になってき
ているのです。2Xnm ノードでは各工場で使用されているスキャナー照明の詳細をインプッ
トし、偏光の効果とレジストプロセスを考慮に入れた上で、ウエハー上のレチクル欠陥の
インパクトを厳密に計算しなければなりません。Teron 600 は KLA-Tencor の計算機リソグ
ラフィーの分野での強みと6世代に渡るレチクル検査装置開発の経験を土台にしています。
結果として非常に優れた感度と低ノイズなレチクル欠陥検査装置として 2Xnm ノードの持
つ問題点に対応しています。この装置は KLA-Tencor にとっても大きな達成でありお客様そ
して半導体業界に多大な貢献ができるものと信じています。」
KLA-Tencor Confidential
Teron 600 のプラットフォームは柔軟で尚且つ将来を見据えたコンセプトで設計されていま
す。Teron 600 は既に ILT / SMO 、ダブルパターニングリソグラフィー(DPL)そして
EUV(マスクとブランク)用のプロトタイプレチクルの検査に成功しており、1Xnm ノー
ドマスクの光学検査も視野に於いて開発されています。更に Teron 600 は KLA-Tencor の
TeraScan 500 シリーズレチクル欠陥検査装置とミックス&マッチ手法で併用することによ
りクリティカル及びノン・クリティカルレイヤーを含むフォトマスクの製造で大きな投資
効果をお届けします。
新しい Teron 600 のプラットフォームは先進的な光学マスクの製作と EUV マスクの開発を
可能にする幾つかの機能を備えています:
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高解像度レチクル面検査(RPI)のための新たに導入された 193nm 波長、小さいピ
クセル、改善された画像処理技術、そして超低ノイズ動作;
Die-to-database 及び die-to-die 操作モードによる、幅広いレチクルレイアウトにお
ける欠陥検出に対応;
レチクル欠陥のウエハー転写性を予測するウエハー面レジスト像検査(WPI)にレ
ジストモデル及びサブ波長回折効果と偏光効果を完備;
SMO、 ILT またはその他のカスタマイズされた照明形状を使用する場合にレチクル
欠陥の転写性を予想することができる、ユーザー定義型のスキャナー照明モデル;
ヌイサンスをフィルターすることでプロセス開発とマスク製造のサイクルタイムの
迅速化を可能にするウェハ面空間像検査;
キャパシティの最適化とクリティカルとノン・クリティカルレイヤーからのデータ
を効果的に統合するための Teron と TeraScan のプラットフォームの互換性
Teron 600シリーズレチクル欠陥検査装置が 2Xnm ノードのマスク製造に於いてどのように
転写製欠陥無しにマスクを出荷する手助けをするかに関する詳細はhttp://www.klatencor.com/reticle/teron-600.html. Teron 600をご覧ください。
KLA-Tencor について:
KLA-Tencor は半導体製造と関連業界向けの歩留まり管理、およびプロセス管理ソリューシ
ョンにおける世界的なリーディングカンパニーであり、検査およびメトロロジー装置の最
先端技術をお届けするパートナーとして世界中のお客様に信頼されています。KLA-Tencor
の技術は半導体、データストレージ、半導体化合物、太陽電池そして関連するナノエレク
トロニクスの分野で使用されています。業界標準機のポートフォリオと世界に誇る技術者
チームによって30年以上もお客様に優れたソリューションを提供して参りました。カリ
フォルニア州ミルピタスに本社を置き、世界中に販売およびサービス拠点があります。詳
細についてはhttp://www.kla-tencor.com/ をご覧ください。(KLAC-P)
将来見通しに関する記述:本プレスリリースに記載されている過去事例以外の事項、例え
ばチップ上のクリティカルディメンションの縮小、マーケットのそういった傾向の受け入
れ及び微細なクリティカルディメンションに纏わる問題点、及び SMO, ILT, EUV and DPL
と言った最先端リソ技術への技術移行、弊社 Teron の新技術への将来の見通し及び期待さ
れる性能(欠陥検出向上性能及び Teron を使用することによってお客様が実感するかもし
れない優位性を含む)や 1Xnm ノードへの延長性等は Private Securities Litigation
Reform Act of 1995 の安全規則(the safe harbor provisions)に準拠して述べられており
ます。 これらの見通しは現時点での情報によるものであり、新技術の採用の遅延(コス
ト或いは性能的な問題等による原因による)或いは弊社の製品開発の進捗または使用に影
響を及ぼす予期されない技術的な問題もしくは限界等の様々な不確定要素を含むため、実
際の結果はこれらの記述内容と異なる場合があります。KLA-Tencor はこうした記述を更新
する義務を負っておりません。
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