R1173x シリーズ 超低オン抵抗/低電圧対応LDO NO.JA-129-120417 ■ 概要 R1173xシリーズはCMOSの正電圧ボルテージレギュレータICで、基準電圧源、誤差増幅器、出力電圧設定用 抵抗網、チップイネーブル回路、短絡電流制限回路、サーマルシャットダウン回路、等から構成されています。 出力電圧がIC内で固定されているR1173xxx1と外部抵抗分割により出力電圧を設定可能なR1173x001の2種類 のバージョンをご用意しています。 R1173xシリーズは超低オン抵抗トランジスタを内蔵による超低入出力電圧差で1Aの大出力電流を実現し、 CMOSプロセスによりバイポーラ型の大電流レギュレータと比べ大幅に低消費電流となっています。また、入力 電圧は1.4V、出力電圧は0.8Vからと低電圧に対応し、低電圧化したシステム電源に最適です。 高密度実装用の小型パッケージからハイワッテージ対応パッケージまで幅広くご用意しています。 端子配置はR1170xシリーズやR1172xシリーズと異なる独自仕様となっており、R1173xxx1とR1173x001の相 互で置き換えが可能になっています。 ■ 特長 ● 出力電流 ·································································· 1A ● 消費電流 ·································································· TYP. 60μA ● 消費電流 (スタンバイ時) ········································ TYP. 0.1μA(Topt=25℃) ● 入力電圧範囲 ··························································· 1.4V~6.0V ● 出力電圧範囲 ··························································· 出力電圧固定版:0.8V~5.0V(0.1V単位) 出力電圧外調版:1.0V~VIN ∗その他の電圧はマーキング情報をご参照ください。 ● 入出力電圧差 ··························································· TYP. 0.32V(VOUT=1.5V、IOUT=1A時) TYP. 0.18V(VOUT=2.8V、IOUT=1A時) ● リップル除去率 ······················································· TYP. 70dB (VOUT=2.8V) ● 出力電圧精度 ··························································· ±2.0% ● 出力電圧の温度係数 ·············································· TYP. ±100ppm/℃ ● ● ● ● 入力安定度······························································· TYP. 0.05%/V 負荷安定度······························································· TYP. -2mV(IOUT=300mA時)、TYP. -3mV (IOUT=1A時) パッケージ······························································· SOT-89-5、HSON-6、HSOP-6J 立ち上がり時の突入電流が小さい ·························· TYP. 500mA ● 短絡電流制限回路内蔵············································· TYP. 250mA ● 過電流保護回路内蔵 ● セラミックコンデンサ対応 ····································· CIN=セラミック4.7μF COUT=タンタル4.7μF(VOUT<1.0V) COUT=セラミック4.7μF(VOUT≧1.0V) ● サーマルシャットダウン回路内蔵 ■ アプリケーション ● バッテリー使用機器の定電圧源 ● カメラ、ビデオ、携帯用通信機器の定電圧源 ● ノートPC、家庭用電気製品の定電圧源 1 R1173x ■ ブロック図 R1173xxx1B VDD R1173xxx1D VOUT VDD VOUT Vref Vref Current Limit Current Limit GND CE GND CE R1173x001B VDD R1173x001D VOUT VDD VOUT ADJ ADJ Vref Vref Current Limit CE 2 Current Limit GND CE GND R1173x ■ セレクションガイド R1173xシリーズは、出力電圧、CE端子の極性、オートディスチャージ機能の有無、パッケージ等を用途によっ て選択指定することができます。 製品名 パッケージ 1 リール個数 鉛フリー ハロゲンフリー R1173Dxx1∗-TR-FE HSON-6 3,000pcs ○ ○ R1173Hxx1∗-T1-FE SOT-89-5 1,000pcs ○ ○ R1173Sxx1∗-E2-FE HSOP-6J 1,000pcs ○ ○ xx :出力電圧を 0.8V(08)~5.0V(50)まで、0.1V 単位で指定 (出力電圧外調版は(00)に固定) (その他の電圧はマーキング情報をご参照ください。) ∗ :オートディスチャージ機能の有無を下記から選択 (B)オートディスチャージ機能なし (D)オートディスチャージ機能あり オートディスチャージ機能とは、アクティブ状態からスタンバイ状態にチップイネーブル信号を切替えた時 に、外付けコンデンサにたまった電荷を抜き、出力を素早く0Vに落とす機能です。 3 R1173x ■ 端子接続図 z SOT-89-5 z HSON-6 Top View 5 4 6 5 z HSOP-6J Bottom View 4 4 5 6 6 5 4 1 2 3 ∗ ∗ 1 2 1 3 2 3 ∗ 3 2 1 ■ 端子説明 ●SOT-89-5 端子番号 1 端子名 機 ADJ ADJ 端子(R1173H001x) NC ノーコネクション(R1173Hxx1x) 能 グラウンド端子 2 GND 3 CE チップイネーブル端子("H"アクティブ) 4 VDD 入力端子 5 VOUT 出力端子 ●HSON-6 端子番号 1 2 3 端子名 機 VOUT* 1 出力端子 VOUT* 1 出力端子 ADJ ADJ 端子(R1173D001x) NC ノーコネクション(R1173Dxx1x) 能 グラウンド端子 4 GND 5 CE チップイネーブル端子("H"アクティブ) 6 VDD 入力端子 ∗) 丸く囲んでいる点線部分にあるタブ、および、タブ吊りリードは基板電位(GND)です。 タブはGND端子と接続する(推奨)か、オープンとしてください。 タブ吊りリードは基板設計の際に他の配線とショートしないようにご注意ください。 ∗1)基板実装時には、VOUT ピン同士を必ず接続してください。 4 R1173x ●HSOP-6J 端子番号 端子名 1 VOUT 機 出力端子 1 2 グラウンド端子 GND* 3 4 能 ADJ ADJ 端子(R1173S001x) NC ノーコネクション(R1173Sxx1x) チップイネーブル端子("H"アクティブ) CE 1 5 GND* 6 VDD グラウンド端子 入力端子 ∗1)基板実装時には、VOUT ピン同士を必ず接続してください。 ■ 絶対最大定格 記 号 VIN 項 定 格 6.5 入力電圧 VCE 入力電圧 (CE 端子) VOUT 出力電圧 PD 目 単 位 V −0.3~6.5 V −0.3~VIN+0.3 V 許容損失 (SOT-89-5) (標準実装条件)* 900 許容損失 (HSON-6) (標準実装条件)* 900 許容損失 (HSOP-6J) (標準実装条件)* 1700 mW Topt 動作周囲温度 −40~85 °C Tstg 保存周囲温度 −55~125 °C ∗)許容損失、標準実装条件については、パッケージ情報に詳しく記述していますのでご参照ください。 絶対最大定格 絶対最大定格に記載された値を超えた条件下に置くことはデバイスに永久的な破壊をもたらすことがある ばかりか、デバイス及びそれを使用している機器の信頼性及び安全性に悪影響をもたらします。 絶対最大定格値でデバイスが機能動作をすることは保証していません。 動作定格(電気的特性)について 半導体が使用される応用電子機器は半導体がその動作定格範囲で動作するように設計する必要がありま す。ノイズ、サージといえどもその範囲を超えると半導体の正常な動作は期待できなくなります。 また動作定格の範囲外で動作させ続けた場合は、その半導体が本来持っている信頼性を維持できなくなり ます。 5 R1173x ■ 電気的特性 R1173xxx1B/D(出力電圧内部設定タイプ) 記 号 項 VIN 入力電圧 ISS 消費電流 目 Istandby 消費電流(スタンバイ時) VOUT ΔVOUT/ ΔIOUT VDIF Topt=25°C 出力電圧 負荷安定度 条 件 MIN. TYP. 1.4 MAX. 単位 6.0 V VIN−VOUT=1.0V, VIN=VCE, IOUT=0A 60 100 μA VIN=6.0V, VCE=0V 0.1 1.0 μA VOUT>1.5V ×0.98 ×1.02 V VOUT≦1.5V −30 +30 mV VIN−VOUT=0.3V, 1mA≦IOUT≦300mA ※VOUT≦1.1V の時は VIN=1.4V −15 VIN−VOUT=1.0V IOUT=100mA 15 mV VIN−VOUT=0.3V, 1mA≦IOUT≦1A ※VOUT≦1.1V の時は VIN=1.7V 入出力電圧差 −2 −3 下表参照 入力安定度 IOUT=100mA, VOUT+0.5V≦VIN≦6.0V ※VOUT≦0.9V の時は 1.4V≦VIN≦6.0V リップル除去率 f=1kHz(VOUT≦4.0V) f=1kHz(VOUT>4.0V) リップル 0.5Vp-p VIN−VOUT=1.0V, IOUT=100mA ※VOUT≦1.2V の時は VIN−VOUT=1.5V, IOUT=100mA 出力電圧温度係数 IOUT=100mA −40°C≦Topt≦85°C ILIM 出力電流制限 VIN−VOUT=1.0V ISC 短絡電流 VOUT=0V RPD CE プルダウン抵抗 1.9 VCEH CE 入力電圧 ”H” VCEL CE 入力電圧 ”L” TTSD サーマルシャットダウン 検出温度 ジャンクション温度 150 °C TTSR サーマルシャットダウン 解除温度 ジャンクション温度 120 °C 出力雑音電圧 BW=10Hz~100kHz 30 μVrms ΔVOUT/ ΔVIN RR ΔVOUT/ ΔTopt en 0.05 0.20 70 60 dB ppm /°C ±100 1 A 250 5.0 mA 15.0 MΩ 1.0 6.0 V 0 0.4 V ● 出力電圧別電気的特性 Topt=25°C 入出力電圧差 VDIF(V) 出力電圧 VOUT(V) 6 %/V IOUT=300mA TYP. MAX. IOUT=1A TYP. 0.8≦VOUT<0.9 0.33 0.57 0.72 0.9≦VOUT<1.0 0.22 0.47 0.64 1.0≦VOUT<1.5 0.18 0.32 0.56 1.5≦VOUT<2.6 0.10 0.15 0.32 2.6≦VOUT 0.05 0.10 0.18 R1173x R1173x001B/D(出力電圧外部設定タイプ) 記 号 項 目 Topt=25°C 条 件 MIN. TYP. MAX. 単位 6.0 V VIN 入力電圧 ISS 消費電流 VOUT=VADJ, VIN=2.0V, VIN=VCE 60 100 μA Istandby 消費電流 (スタンバイ時) VIN=6.0V, VCE=0V 0.1 1.0 μA VOUT アジャスト端子出力電圧 VOUT=VADJ, VIN=2.0V, IOUT=100mA 1.000 1.030 V VIN V RVOUT ΔVOUT/ ΔIOUT 1.4 出力電圧範囲 負荷安定度 0.970 1.0 VIN=1.4V 1mA≦IOUT≦300mA −15 −2 15 mV VIN=1.7V 1mA≦IOUT≦1A −3 IOUT=300mA 0.18 IOUT=1A 0.56 入力安定度 VOUT=VADJ, IOUT=100mA 1.5V≦VIN≦6.0V 0.05 リップル除去率 f=1kHz リップル 0.5Vp-p, VOUT=VADJ VIN=2.5V, IOUT=100mA 出力電圧温度係数 IOUT=100mA −40°C≦Topt≦85°C ILIM 出力電流制限 VOUT=VADJ, VIN=2.0V ISC 短絡電流 VOUT=VADJ=0V RPD CE プルダウン抵抗 1.9 VCEH CE 入力電圧 ”H” VCEL CE 入力電圧 ”L” TTSD サーマルシャットダウン検出温度 ジャンクション温度 150 °C TTSR サーマルシャットダウン解除温度 ジャンクション温度 120 °C 出力雑音電圧 BW=10Hz~100kHz 30 μVrms VDIF ΔVOUT/ ΔVIN RR ΔVOUT/ ΔTopt en 入出力電圧差 VOUT=VADJ 0.32 0.20 V %/V 70 dB ±100 ppm /°C 1 A 250 5.0 mA 15.0 MΩ 1.0 6.0 V 0 0.4 V 7 R1173x ■ 基本回路例と外付け部品に関する注意点 VDD VIN C1 VOUT OUTF C2 GND ADJ R1173xxx シリーズ VOUT IOUT V CE 基本回路例(内部固定タイプ) ● 基板実装について VDD、および、GND配線は、電流が流れるため配線のインピーダンスが高いとノイズのまわり込みや動作が不 安定になる原因になるので充分強化して下さい。また、VDD端子-GND端子間に4.7μF程度以上のコンデンサC1 をできるだけ配線が短くなるようにつけて下さい。 ● 位相補償について 本ICは、出力負荷が変化しても安定に動作させるために、出力段にて位相補償を行っています。 このため、VOUT端子と電源GND間にできるだけ配線が短くなるようにコンデンサC2を必ず入れて下さい。推奨 値は以下の通りです。 表.C2 推奨値 出力電圧 C2 推奨値 VOUT<1.0V タンタル 4.7μF 以上 1.0≦VOUT<3.3V 3.3≦VOUT 推奨部品 京セラ 4.7μF (1608 サイズ) セラミック 4.7μF 以上 村田製作所 4.7μF (1608 サイズ) 村田製作所 10μF (1608 サイズ) セラミック 4.7μF 以上 [型番:CM105X5R475M06AB] [型番:GRM188R60J475KE19B] [型番:GRM188B30G106ME46B] 京セラ 4.7μF (薄 2012 サイズ) [型番:CT21X5R475M06AB] [型番:GRM188B30G106ME46B] 村田製作所 10μF (1608 サイズ) 注1) タンタルコンデンサを使用する場合は、直列等価抵抗(ESR)の値が大きいと、出力が発振する可能性が ありますので、周波数特性を含めて十分評価してください。 注2) コンデンサのサイズ、製造元や品番により容量値のバイアス依存性や温度特性などが異なりますので、 基本回路例に示すコンデンサ以外を使用する場合は十分評価してください。 8 R1173x ■ 出力電圧外部設定タイプに関する注意点( R1173x001x バージョン ) VOUT R2 I2 ADJ VOUT IIC RIC R3 I3 1.0V GND 出力電圧の設定は、以下の式により決定されます。 I2=IIC+I3·································································································································· (1) I3=1.0 / R3······························································································································· (2) (1)、(2)より I2=IIC+1.0 / R3························································································································ (3) ここで VOUT=1.0+R2×I2 ····················································································································· (4) であるため、上式 (4) に (3) を代入して、 VOUT =1.0+R2 × ( IIC+1.0 / R3 ) =( 1.0 + R2 / R3 )+R2 × IIC ······························································································ (5) となります。上式 (5) における第2項 R2×IIC が誤差の原因となります。 ここで、IICについて考えてみますと、 IIC=1.0 / RIC ······························································································································ (6) ですので、誤差の原因となる R2×IICは次のようになります。 R2×IIC=R2×1.0 / RIC =1.0×R2 / RIC ··············································································································· (7) 従って、R2≪RICならば誤差を微少なものとすることができます。 以下に「RIC温度特性例」を掲載します。 R1173x001x 2.0 RIC(MΩ) 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 -50 -25 0 25 50 Topt ( 75 ) 100 ※ グラフは「特性例」ですので、 実際に使用の際はお客様の 使用条件下にて充分評価し て下さい。 9 R1173x ■ 特性例 1) 出力電圧対出力電流特性例 (Topt=25°C) R1173x151x 0.9 1.6 0.8 1.4 0.7 1.2 VOUT(V) VOUT(V) R1173x081x 0.6 0.5 1.0 0.8 0.4 0.6 VDD=1.4V VDD=1.5V VDD=1.6V VDD=2.0V VDD=2.8V 0.3 0.2 0.1 0.0 0 500 1000 1500 IOUT(mA) 0.4 VDD=1.8V VDD=2.5V VDD=3.5V 0.2 0.0 2000 0 3.2 4.5 2.8 4.0 2.4 3.5 2.0 1.6 3.0 2.5 1.5 0.8 VDD=3.3V VDD=4.0V VDD=5.0V 0.4 0.0 VDD=4.3V VDD=5.0V VDD=6.0V 1.0 0.5 0.0 0 500 1000 1500 IOUT(mA) 2000 R1173x501x 6.0 5.0 VOUT(V) 2000 2.0 1.2 4.0 3.0 2.0 VDD=5.3V VDD=6.0V 1.0 0.0 0 10 1000 1500 IOUT(mA) R1173x401x VOUT(V) VOUT(V) R1173x301x 500 500 1000 1500 IOUT(mA) 2000 0 500 1000 1500 IOUT(mA) 2000 R1173x 2) 出力電圧対入力電圧特性例 (Topt=25°C) R1173x081x R1173x151x 1.2 1.6 1.4 VOUT(V) VOUT(V) 1.0 0.8 0.6 1.2 1.0 0.8 IOUT=1mA IOUT=50mA IOUT=99mA IOUT=300mA 0.4 0.2 IOUT=1mA IOUT=50mA IOUT=99mA IOUT=300mA 0.6 0.4 0.2 0.0 0.0 0 1 2 3 4 VIN(V) 5 6 0 1 3.2 4.5 2.8 4.0 2.4 3.5 2.0 1.6 0.8 0.4 4 VIN(V) 5 6 3.0 2.5 2.0 IOUT=1mA IOUT=50mA IOUT=99mA IOUT=300mA 1.2 3 R1173x401x VOUT(V) VOUT(V) R1173x301x 2 IOUT=1mA IOUT=50mA IOUT=99mA IOUT=300mA 1.5 1.0 0.5 0.0 0.0 0 1 2 3 4 VIN(V) 5 6 0 1 2 3 4 VIN(V) 5 6 VOUT(V) R1173x501x 5.5 5.0 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 IOUT=1mA IOUT=50mA IOUT=99mA IOUT=300mA 0 1 2 3 4 VIN(V) 5 6 11 R1173x 3) 消費電流対入力電圧特性例 (Topt=25°C) R1173x151x 70 70 60 60 ISS(μA) ISS(μA) R1173x081x 50 40 50 40 30 30 20 20 10 10 0 0 0 1 2 3 4 VIN(V) 5 6 0 1 70 70 60 60 50 40 5 6 5 6 40 30 20 20 10 10 0 0 1 2 3 4 VIN(V) 5 6 5 6 R1173x501x 70 60 ISS(μA) 4 VIN(V) 50 30 0 50 40 30 20 10 0 0 12 3 R1173x401x ISS(μA) ISS(μA) R1173x301x 2 1 2 3 4 VIN(V) 0 1 2 3 4 VIN(V) R1173x 4) 出力電圧対周囲温度特性例 (IOUT=100mA) R1173x081x R1173x151x VIN=2.5V 1.53 0.82 1.52 VOUT(V) VOUT(V) VIN=1.8V 0.83 0.81 0.80 1.51 1.50 0.79 1.49 0.78 1.48 0.77 1.47 0.76 -50 -25 0 25 50 Topt(°C) 75 1.46 -50 100 -25 R1173x301x 0 25 50 Topt(°C) VIN=6.0V 5.02 3.04 5.00 VOUT(V) VOUT(V) VIN=4.0V 3.02 3.00 4.98 4.96 2.98 4.94 2.96 4.92 2.94 4.90 -25 0 25 50 Topt(°C) 100 R1173x501x 3.06 2.92 -50 75 75 4.88 -50 100 -25 0 25 50 Topt(°C) 75 100 5) 消費電流対周囲温度特性例 R1173x081x 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 -50 -25 0 25 50 Topt(°C) 75 100 VIN=2.5V 80 ISS(μA) ISS(μA) R1173x151x VIN=1.8V 0 -50 -25 0 25 50 Topt(°C) 75 100 13 R1173x R1173x301x R1173x501x VIN=6.0V 80 70 70 60 60 ISS(μA) ISS(μA) VIN=4.0V 80 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 -50 -25 0 25 50 Topt(°C) 75 0 -50 100 -25 0 25 50 Topt(°C) 75 100 6) 入出力電圧差対出力電流特性例 R1173x091x 800 700 700 600 VDIF(mV) VDIF(mV) R1173x081x 600 500 500 400 400 300 300 85 25 -40 200 100 85 25 -40 200 100 0 0 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 0 1000 R1173x101x 600 800 IOUT(mA) 1000 400 500 VDIF(mV) VDIF(mV) 400 R1173x151x 700 400 300 350 300 250 200 200 150 85 25 -40 100 85 25 -40 100 50 0 0 0 14 200 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 R1173x R1173x301x R1173x501x 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 VDIF(mV) VDIF(mV) 250 200 150 100 85 25 -40 50 0 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 0 1000 7) 入出力電圧差対出力電圧特性例 85 25 -40 200 600 800 IOUT(mA) 1000 8) 0.8V 品使用可能動作範囲 R1173xxx1x R1173x081x 800 1.8 100mA 200mA 400mA 600mA 800mA 1000mA 700 600 500 400 1.6 VIN(V) VDIF(mV) 400 1.4 1.2 300 200 1.0 100 0.8 0 0 1 2 3 4 VREG(V) 5 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 9) リップル除去率 対 入力バイアス電圧特性 R1173x301x R1173x301x VIN=4.0VDC+0.5Vp-p, IOUT=1mA 90 90 80 80 RR(dB) RR(dB) VIN=4.0VDC+0.2Vp-p, IOUT=1mA 70 60 50 60 50 40 40 200Hz 1kHz 10kHz 100kHz 30 20 10 0 3.0 70 3.1 3.2 3.3 VIN(V) 3.4 3.5 200Hz 1kHz 10kHz 100kHz 30 20 10 0 3.0 3.1 3.2 3.3 VIN(V) 3.4 3.5 15 R1173x R1173x301x R1173x301x VIN=4.0VDC+0.5Vp-p, IOUT=10mA 90 80 80 RR(dB) RR(dB) VIN=4.0VDC+0.2Vp-p, IOUT=10mA 90 70 60 50 60 50 40 40 200Hz 1kHz 10kHz 100kHz 30 20 10 0 3.0 70 3.1 3.2 3.3 VIN(V) 3.4 200Hz 1kHz 10kHz 100kHz 30 20 10 0 3.0 3.5 3.1 R1173x301x VIN=4.0VDC+0.2Vp-p, IOUT=100mA 3.4 3.5 VIN=4.0VDC+0.5Vp-p, IOUT=100mA 90 80 80 RR(dB) RR(dB) 3.3 VIN(V) R1173x301x 90 70 60 50 70 60 50 40 200Hz 1kHz 10kHz 100kHz 40 200Hz 1kHz 10kHz 100kHz 30 20 10 0 3.0 3.2 3.1 3.2 3.3 VIN(V) 3.4 30 20 10 0 3.0 3.5 3.1 3.2 3.3 VIN(V) 3.4 3.5 10) リップル除去率対周波数特性例 R1173x081x R1173x101x 80 90 70 80 60 50 30 20 60 40 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=100mA 30 20 10 0 0.1 70 50 40 16 VIN=2.0VDC+0.5Vp-p, COUT=Ceramic 4.7μF RR(dB) RR(dB) VIN=1.8VDC+0.5Vp-p, COUT=Tantalum 4.7μF IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=100mA 10 1 10 f(kHz) 100 0 0.1 1 10 f(kHz) 100 R1173x R1173x301x R1173x401x VIN=5.0VDC+0.5Vp-p, COUT=Ceramic 4.7μF 90 90 80 80 RR(dB) RR(dB) VIN=4.0VDC+0.5Vp-p, COUT=Ceramic 4.7μF 70 60 50 20 40 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=100mA 30 20 10 0 0.1 60 50 40 30 70 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=100mA 10 1 10 f(kHz) 0 0.1 100 R1173x451x 1 80 70 70 RR(dB) RR(dB) VIN=6.0VDC+0.5Vp-p, COUT=Ceramic 4.7μF 80 60 50 40 20 60 50 40 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=100mA 30 20 10 0 0.1 100 R1173x501x VIN=5.5VDC+0.5Vp-p, COUT=Ceramic 4.7μF 30 10 f(kHz) IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=100mA 10 1 10 f(kHz) 0 0.1 100 1 10 f(kHz) 100 11) 入力過渡応答特性例 (Tr=Tf=5μs, IOUT=100mA) R1173x081x R1173x101x 4 0.88 3 1.08 3 0.86 2 1.06 2 0.84 1 1.04 1 0.82 0 1.02 0 VOUT(V) 1.10 0.80 1.00 0.78 0.98 0.76 VIN(V) COUT=Ceramic 4.7μF 4 VIN(V) VOUT(V) COUT=Tantalum 4.7μF 0.90 0.96 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 17 R1173x R1173x301x R1173x501x 7 3.12 5 5.12 6 3.09 4 5.09 5 3.06 3 5.06 4 3.03 2 5.03 3 3.00 1 5.00 2 2.97 0 4.97 1 4.94 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) VOUT(V) 5.15 2.94 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) VIN(V) COUT=Ceramic 4.7μF 6 VIN(V) VOUT(V) COUT=Ceramic 4.7μF 3.15 12) 負荷過渡応答特性例 (Tr=Tf=500ns) R1173x081x R1173x081x 600 1.00 150 0.98 400 0.96 100 0.92 200 0.92 50 0.86 0 0.88 0 VOUT(V) 1.04 0.80 0.84 0.74 0.80 0.68 0.76 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 0 4 6 8 10 12 14 16 18 20 T(μs) R1173x081x VIN=1.8V, CIN=COUT=Tantalum 4.7μF VIN=1.8V, CIN=COUT=Tantalum 4.7μF, COUT=Tantalum 10μF 40 1.00 0.96 20 0.96 20 0.92 0 0.92 0 0.88 VOUT(V) 1.00 IOUT(mA) VOUT(V) 2 40 0.88 0.84 0.84 0.80 0.80 0.76 0.76 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) IOUT(mA) R1173x081x 18 IOUT(mA) VIN=1.8V, CIN=COUT=Tantalum 4.7μF IOUT(mA) VOUT(V) VIN=1.8V, CIN=COUT=Tantalum 4.7μF R1173x R1173x101x R1173x101x 1.4 600 1.3 400 1.3 400 1.2 200 1.2 200 1.1 0 1.1 0 VOUT(V) 600 IOUT(mA) 1.0 1.0 0.9 0.9 0.8 0.8 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) R1173x101x R1173x101x 1.20 150 1.16 100 1.16 100 1.12 50 1.12 50 1.08 0 1.08 0 VOUT(V) 150 IOUT(mA) VOUT(V) 1.20 1.04 1.04 1.00 1.00 0.96 0.96 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 T(μs) 0 R1173x101x 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 T(μs) R1173x101x VIN=2.0V, CIN=Ceramic 4.7μF, COUT=Ceramic 10μF VIN=2.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 40 1.20 40 1.15 20 1.15 20 1.10 0 1.10 0 1.05 VOUT(V) 1.20 IOUT(mA) VOUT(V) IOUT(mA) VIN=2.0V, CIN=Ceramic 4.7μF, COUT=Ceramic 10μF VIN=2.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 1.05 1.00 1.00 0.95 0.95 IOUT(mA) VOUT(V) 1.4 IOUT(mA) VIN=2.0V, CIN=Ceramic 4.7μF, COUT=Ceramic 10μF VIN=2.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 0.90 0.90 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 T(μs) 19 R1173x R1173x301x R1173x301x 3.8 600 3.6 400 3.6 400 3.4 200 3.4 200 3.2 0 3.2 0 VOUT(V) 600 IOUT(mA) 3.0 3.0 2.8 2.8 2.6 2.6 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 T(μs) 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 T(μs) R1173x301x R1173x301x VIN=4.0V, CIN=Ceramic 4.7μF, COUT=Ceramic 10μF 150 3.20 150 3.16 100 3.16 100 3.12 50 3.12 50 3.08 0 3.08 0 VOUT(V) 3.20 IOUT(mA) VOUT(V) VIN=4.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 3.04 3.04 3.00 3.00 2.96 2.96 0 4 0 8 12 16 20 24 28 32 36 40 T(μs) R1173x301x 4 6 8 10 12 14 16 18 20 T(μs) VIN=4.0V, CIN=Ceramic 4.7μF, COUT=Ceramic 10μF 40 3.20 40 3.15 20 3.15 20 3.10 0 3.10 0 3.05 VOUT(V) 3.20 IOUT(mA) VOUT(V) 2 R1173x301x VIN=4.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 3.05 3.00 3.00 2.95 2.95 2.90 2.90 0 20 IOUT(mA) 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 T(μs) 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 T(μs) IOUT(mA) VOUT(V) 3.8 IOUT(mA) VIN=4.0V, CIN=Ceramic 4.7μF, COUT=Ceramic 10μF VIN=4.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF R1173x R1173x501x R1173x501x 150 5.75 400 5.16 100 5.50 200 5.12 50 5.25 0 5.08 0 VOUT(V) 5.20 5.00 5.04 4.75 5.00 4.50 IOUT(mA) VIN=6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 600 IOUT(mA) VOUT(V) VIN=6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 6.00 4.96 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 T(μs) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 T(μs) R1173x501x 40 5.15 20 5.10 0 5.05 IOUT(mA) VOUT(V) VIN=6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 5.20 5.00 4.95 4.90 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 T(μs) 13) CE 立ち上がり時間特性例 R1173x081x R1173x501x -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 T(μs) 8 8 6 6 4 4 2 2 IOUT=0mA IOUT=100mA IOUT=300mA VIN (V) 0 -40 0 60 160 T(μs) 260 VCE(V) VOUT(V) 10 0 CE IOUT=0mA IOUT=100mA IOUT=300mA VCE VCE(V) VIN=6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 0.0 CE VOUT(V) VIN=1.8V, CIN=COUT=Tantalum 4.7μF 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 360 21 R1173x 14) CE 立下り時間特性例 R1173x081D R1173x501D VIN=6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 8 IOUT=0mA IOUT=100mA IOUT=300mA VIN (V) 10 8 6 4 2 VCE(V) 12 VOUT(V) IOUT=0mA IOUT=100mA IOUT=300mA VCE 14 VCE(V) 2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 0.0 0 6 CE 4 CE VOUT(V) VIN=1.8V, CIN=COUT=Tantalum 4.7μF 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 2 0 -0.4 0 0.6 1.6 T(ms) 2.6 3.6 -0.2 0 0.2 0.6 1 T(ms) 1.4 1.8 15) 突入電流特性例 (IOUT=100mA, CIN=none) VIN=2.0V, COUT=Tantalum 4.7μF VIN=2.0V, COUT=Tantalum 10μF 2.4 CE 1.6 2.4 CE 1.6 0.8 VCE, CE 0.0 CE 0.0 0.8 400 200 600 IVDD(mA) 600 400 200 0 -40 22 0 40 80 T(μs) 120 160 0 -40 0 40 80 T(μs) 120 160 IVDD(mA) VCE, R1173x081x VOUT(V) VOUT(V) R1173x081x R1173x R1173x301x R1173x301x CEജ㔚 VCE, ജ㔚 VOUT(V) 4 CE 2 CE 1 0 4 CEജ㔚 3 2 ജ㔚 1 0 600 400 200 IVDD(mA) 600 400 200 ⓭㔚ᵹ 0 -40 0 40 80 T(μs) 120 -40 160 0 R1173x501x 160 VIN=6.0V, COUT=Ceramic 10μF 8 VOUT(V) VOUT(V) 120 R1173x501x VIN=6.0V, COUT=Ceramic 4.7μF CE 6 8 CE 6 4 VCE, 4 VCE, 40 80 ᤨ㑆 T(μs) 0 ⓭㔚ᵹ IVDD(mA) VCE, 3 VIN=4.0V, COUT=Ceramic 10μF 5 2 0 CE CE 0 2 400 200 600 IVDD(mA) 600 400 200 0 -40 0 40 80 T(μs) 120 160 IVDD(mA) VOUT(V) VIN=4.0V, COUT=Ceramic 4.7μF 5 0 -40 0 40 80 T(μs) 120 160 23 R1173x 16) 直列等価抵抗限界値対負荷電流特性例 0.8V to 3.3V 出力品 : COUT=4.7μF(京セラ CM105X5R475M06AB) 5.0V 出力品 : COUT=4.7μF(京セラ CT21X5R475K06AB) CE VOUT R1173xxx1B COUT S.A VIN GND CIN VIN スペクトラム アナライザ ESR IOUT 本ICの出力コンデンサはセラミックタイプを推奨しますが、他の低ESRタイプのコンデンサも使用可能です。 参考までに上図の回路で測定したノイズレベルが40μV(平均値)以下になる出力電流IOUTと直列等価抵抗ESR の関係を以下に示します。 測定条件 ⋅ VIN=VOUT+1V ⋅ ノイズ周波数帯域 ⋅ 測定温度 ⋅ 網掛け部分 : 10Hz~1MHz : 25°C : ノイズレベルが 40μV(平均値)以下 R1173x081x R1173x081x VIN=1.4V to 6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF VIN=1.4V to 6.0V, CIN=Ceramic 4.7μF,COUT=Ceramic 10μF 100 ESR(Ω) ESR(Ω) 100 Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.1 Topt=-40°C 1 0.1 0.01 0.01 0 24 Topt=85°C 10 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 R1173x R1173x101x R1173x301x VIN=1.4V to 6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF VIN=3.1V to 6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF 100 ESR(Ω) ESR(Ω) 100 Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.1 Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.1 0.01 0.01 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 R1173x501x VIN=3.1V to 6.0V, CIN=COUT=Ceramic 4.7μF ESR(Ω) 100 Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.1 0.01 0 200 400 600 800 IOUT(mA) 1000 25 本ドキュメント掲載の技術情報及び半導体のご使用につきましては以下の点にご注意ください。 1. 本ドキュメントに記載しております製品及び製品仕様は、改良などのため、予告なく変更することが あります。又、製造を中止する場合もありますので、ご採用にあたりましては当社又は販売店に最 新の情報をお問合せください。 2. 文書による当社の承諾なしで、本ドキュメントの一部、又は全部をいかなる形でも転載又は複製され ることは、堅くお断り申し上げます。 3. 本ドキュメントに記載しております製品及び技術情報のうち、「外国為替及び外国貿易管理法」に 該当するものを輸出される場合、又は国外に持ち出される場合は、同法に基づき日本国政府の輸 出許可が必要です。 4. 本ドキュメントに記載しております製品及び技術情報は、製品を理解していただくためのものであり、 その使用に関して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証、又は実施権の許諾 を意味するものではありません。 5. 本ドキュメントに記載しております製品は、標準用途として一般的電子機器(事務機、通信機器、 計測機器、家電製品、ゲーム機など)に使用されることを意図して設計されております。故障や誤 動作が人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある特別な品質、信頼性が要求される装置 (航空宇宙機器、原子力制御システム、交通機器、輸送機器、燃焼機器、各種安全装置、生 命維持装置等)に使用される際には、必ず事前に当社にご相談ください。 6. 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生します。故 障の結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせない冗長設計、延焼対策設計、 誤動作防止設計等安全設計に十分ご留意ください。誤った使用又は不適切な使用に起因するい かなる損害等についても、当社は責任を負いかねますのでご了承ください。 7. 本ドキュメントに記載しております製品は、耐放射線設計はなされておりません。 8. 本ドキュメント記載製品に関する詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら当 社又は販売店までご照会ください。 電子デバイスカンパニー ■リコーは、1999 年度の日本経営品質賞を受賞しました。 リコーは、今後ともお客様満足度の向上を目指し、この経営品質向上プログラムと その成果を社会の皆様と共有していきます。 ■鉛フリー製品は全てRoHS指令準拠しております。 全面鉛フリー化を完了し、RoHS指令に適合しました。2006 年 4月1日 以降は基本的に鉛フリー品のみを納入いたします。 リコー電子デバイスに関する詳しい内容をお知りになりたい方は下記へアクセスしてください。 http://www.ricoh.co.jp/LSI/ 本ドキュメント掲載製品に関するお問い合せは下記宛てまでお願いします。 ●東日本地区 〒 140-8655 東京都品川区東品川3-32-3 03(5479)2854(直) FAX 03(5479)0502 ●西日本地区 〒 563-8501 大阪府池田市姫室町13-1 072(748)6262(直) FAX 072(753)2120 ■「ISO 14001」の認証を取得しています。 リコーグループは、国内・海外の全生産拠点に加え、国内販売グループ会社で環境マネジメント システムの国際規格である、 「ISO 14001」の認証を取得しています。 ●お問い合わせ・ご用命は…
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