9 応用物性 10 スピントロニクス・マグネティクス 19 ディップペン・ナノリソグラフィーによる半導体単層カーボンナノチューブ トランジスタの作製 産総研光技術 1，産総研 ナノチューブ研究センター 2， 産総研ナノテク部門 3 ○（PC）Tong Wang1， Said Kazaoui2，清水禎樹 3，牛島洋史 1 △ 20 原子間力顕微鏡を用いた自己形成 InAs 量子ドット単電子トランジスタの作製 東大生研 1，東大ナノ量子機構 2，CREST-JST3，東大先端研 4 ○小林弘侑 1， 守谷 頼 1，柴田憲治 1，増渕 覚 1，平川一彦 1,2,3， 石田悟己 4，荒川泰彦 1,2，町田友樹 1,2,3 21 分子定規法と電子線描画法により作製した Nb ナノギャップ電極を用いた単 電子トランジスタの電子輸送特性 理化学研究所 1，千葉大院融合 2，分子科学研究所 3，九大院工応化 4 ○（D） 西野貴幸 1,2，根岸良太 1，河尾真宏 3，小澤寛晃 4，石橋幸治 1,2 22 π共役系保護基を有する Au ナノ粒子を用いた二重トンネル接合の抵抗値 東工大応セラ 1，筑波大 2，CREST-JST3 ○皆川慶嘉 1,3，加納伸也 1,3， 東 康男 1,3，金原正幸 2,3，寺西利治 2,3，真島 豊 1,3 23 走査型トンネル顕微鏡を用いたポルフィリン分子の電気的特性の観察 東工大応セラ 1，筑波大 2，名古屋大 3，CREST-JST4 ○加納伸也 1,4， 皆川慶嘉 1,4，東 康男 1,4，田中大介 2,4，金原正幸 2,4，寺西利治 2,4， 山田泰之 3,4，田中健太郎 3,4，真島 豊 1,4 -----------------------------------------------------------------------------------9.4 熱電変換 3 月 19 日 9:30 ∼ 18:15 19a-ZC - 1 ∼ 11 1 擬 1 次元酸化物伝導体 SrNbO3.4 の異方的熱電変換特性 早大理工 1，早大高等研 2，JST さきがけ 3，ヘルシンキ工科大 4 林洋一郎 1，○小林 航 2,3，寺崎一郎 1， 山内尚雄 4，Maarit Karppinen4 2 ZnO の熱電特性における HIP 処理効果 兵庫県大院工 1，金属技研 2 ○納庄裕介 1，中川和彦 1，喜田慎也 1， 尾ノ井正裕 2，森 英喜 1，吉田晴彦 1 3 Al と Sm,Ni,Fe を共ドープした ZnO の熱電特性 秋田県大システム科学技術 1，秋田県産業技術総合研究センター 2 ○（B） 小田 学 1，長南安紀 1，小宮山崇夫 1， 山口博之 1，青山 隆 1，杉山重彰 2 4 A, B サイト置換したペロブスカイト型酸化物の熱物性 九大院総理工 ○（PC）菅原 徹，大瀧倫卓 △ 5 デラフォサイト型 CuFe0.5-xCr0.5MgxO2 固溶体の熱電特性 東北大院工 ○野崎友大，林 慶，宮崎 譲，梶谷 剛 11 顕微ラマン分光法による熱電材料のマイクロ領域における表面分析 北陸先端科学技術大学院大学 ○元古隆博，田中淳也， 有賀智紀，小矢野幹夫 12 サーマルプローブ法による 3 次元熱電能分布の観察 産総研 ○山本 淳 休 憩 16:45 ∼ 17:00 13 Bi ナノワイヤーにおける輸送特性の有効質量依存性 茨城大工 1，埼玉大工 2 ○市毛雄基 1，松本 剛 1，池谷政洋 1， 小峰啓史 1，杉田龍二 1，青野友祐 1，村田正行 2， 中村太紀 2，長谷川靖洋 2 14 Bi ナノワイヤーにおける表面ポテンシャルがナノワイヤー輸送特性に及ぼす 影響 茨城大学 1，埼玉大学 2 松本 剛 1，○市毛雄基 1，池谷政洋 1， 小峰啓史 1，杉田龍二 1，青野友佑 1，村田正行 2， 中村太紀 2，長谷川靖洋 2 △ 15 Bi ナノワイヤーにおける熱電特性の結晶方向依存性 埼玉大学 1，茨城大学 2 ○村田正行 1，中村太紀 1，山本浩也 1， 長谷川靖洋 1，小峰啓史 2 16 ナノワイヤー形状での熱電材料の熱伝導率変化 埼玉大学 1，茨城大学 2 ○長谷川靖洋 1，村田正行 1， 中村太紀 1，山本浩也 1，小峰啓史 2 17 高熱起電力熱電材料の自己冷却デバイスへの応用 横国大工 1，防衛大理工 2，中部大工 3 ○中津川博 1， 岡本庸一 2，山口作太郎 3 -----------------------------------------------------------------------------------9.5 新機能材料・新物性 3 月 20 日 9:00 ∼ 11:15 20a-ZC - 1 ∼ 8 1 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分） 金微小接合におけるエレクトロマイグレーションの素過程 東大生研 1，CREST-JST2，東大ナノ量子機構 3 ○梅野顕憲 1,2,3， 吉田健治 1,2,3，坂田修一 1,2,3，平川一彦 1,2,3 2 シアノ錯体接合体の機能性と膜形態 筑波大数理 ○柴田恭幸，守友 浩 3 Cr2O3+x 半導体の電気･光学特性と VOC 完全分解への応用 横国大院工 ○平松裕貴，岩本 亮，高橋宏雄，鈴木 茂，水口 仁 4 α -Fe2O3 半導体の電気的性質と VOC 分解への応用 横国大工 1，横国大院工 2 ○由井悠基 1，伊東慎平 2， 高橋宏雄 2，鈴木 茂 2，水口 仁 2 休 憩 10:45 ∼ 11:00 6 層状コバルト酸化物 LixCoO2 (3): 電気抵抗率測定 北大院工 1，東工大応セラ研 2，ヘルシンキ工大 3 ○杉本雄太 1， 本橋輝樹 1，鱒渕友治 1，笹川崇男 2，山内尚雄 2,3，吉川信一 1 7 層状コバルト酸化物 LixCoO2 (4): 熱電変換特性と電子構造 北大院工 1，東工大応セラ研 2，ヘルシンキ工大 3 ○本橋輝樹 1， 杉本雄太 1，鱒渕友治 1，笹川崇男 2，山内尚雄 2,3，吉川信一 1 8 層状コバルト酸化物 AxCoO2 (A = Na, Ca, Sr, Ba) における層間イオンの規 則配列と熱電特性 東北大院工 1，東北大金研 2，原子力機構 3 五十嵐大 1， ○ 宮崎 譲 1，湯葢邦夫 2，井川直樹 3，梶谷 剛 1 9 酸化カルシウムコバルトにおける熱電特性の焼結温度依存性 兵庫県大院工 ○喜田慎也，納庄裕介，中川和彦，森 英喜，吉田晴彦 10 エアロゾルデポジション法により作製した熱電変換材料の熱電特性 豊橋技科大工 ○濱崎恭瓶，鄭 廣鉉，井上光輝，中村雄一 11 酸化物 /Bi2Te3 カスケード熱電モジュールの発電特性 産総研 1，JST CREST2 ○舟橋良次 1,2，浦田さおり 1， 浦田友幸 2，岩崎佳奈子 1，松村葉子 1，小菅厚子 1 昼 食 12:30 ∼ 13:30 19p-ZC - 1 ∼ 17 1 ボロンカーバイドのｎ型カウンターパート化合物の緻密化 物材機構 ○森 孝雄，西村聡之，David Berthebaud 2 低温熱電材料 Bi0.88Sb0.12 への 3d 遷移金属の添加効果 II 北陸先端大マテリアル ○鬼頭大地，酒井健悟，有賀智紀，小矢野幹夫 3 Na を利用したβ -FeSi2 バルク体の合成と熱電特性 東北大多元研 ○山田高広，苅谷英里，森戸春彦，山根久典 4 Ba8-xEuxGa16Si30 クラスレートの結晶構造および熱電特性の評価 山口東理大 1，JST, CREST2 ○中林貴大 1，外園昌弘 1，阿武宏明 1,2 5 SiGeAu 薄膜の結晶化過程の熱処理温度依存性 防大機能材料 ○（D）滝口裕章，福井一人，岡本庸一，宮崎 尚，守本 純 △ 6 エピタキシャル Si/SiGeB 多層膜の熱電現象におけるキャリヤの低次元化効果 金大自然研 ○的場彰成，佐々木公洋 休 憩 15:00 ∼ 15:15 7 SOI 基板のゼーベック係数に与える高濃度ドーピング効果 静大電研 ○池田浩也，サレ ファイズ 8 SnEuTe 及び SnSrTe 薄膜の熱電特性 静岡大工 1，静岡大院工 2 ○石田明広 1，土屋拓朗 2，山田智広 2 9 半導体・量子井戸構造のゼーベック効果 静岡大工 ○石田明広 10 ポイントコンタクト法を用いた微小試料の熱電性能測定 II 北陸先端大マテリアル ○畑山健治，有賀智紀，小矢野幹夫 休 憩 10:00 ∼ 10:15 5 マグネタイトナノ粒子を分散配置した ITO の電気特性 九工大院工 1，物材機構 2，阪大産研 3 ○岡田浩一 1，古曵重美 1， 下岡弘和 1，新井正男 2，三留正則 2，田中秀和 3 6 Fe3O4 ナノ粒子／希土類混晶 RITO コンポジットの合成とその磁気特性 九工大院工 1，物材機構 2，東北大 3 ○真鍋拓朗 1，岡田浩一 1， 古曵重美 1，下岡弘和 1，出口博之 1，美藤正樹 1， 三留正則 2，宍戸統悦 3 7 アルカリ金属添加希土類ジフタロシアニンの磁性 埼玉大 1，理研 2，阪大極限 3 ○岩崎 惇 1，松島康介 1，本多善太郎 1， 福田武司 1，鎌田憲彦 1，香取浩子 2，萩原政幸 3 8 超重力場処理後の超イオン伝導体α -AgI 中の同位体の空間分布 原子力機構 1，熊本大学 2 ○小野正雄 1，ティン ハオ 1，岡安 悟 1， 井口裕介 2，江坂文孝 1，バグン ラバヤ 2， 春木理恵 1，真下 茂 2,1 ------------------------------------------------------------------------------------ 10 スピントロニクス・マグネティクス ●関連シンポジウム「スピントロニクスデバイスの新展開」(3 月 18 日 ( 木 )13:00-18:00, ZJ 会場 ) が p. ○に，掲載されています . -----------------------------------------------------------------------------------10.1 新物質創生･物性探索 3 月 17 日 9:00 ∼ 18:15 17a-ZH - 1 ∼ 11 1 Co2MnSi/Ag/Co2MnSi CPP-GMR 素子における磁気伝導特性の熱処理温度依 存性 東北大金研 ○（M1C）泉健之亮，桜庭裕弥，スボロジャティ ボス， 齊藤今朝美，高梨弘毅 2 MgAl2O4/ ホイスラー合金の界面歪効果と磁気･電子構造 ○ 名大院工 藤田裕人，深谷直人， 竹田陽一，植田研二，浅野秀文 △ 3 半金属ホイスラー合金 Fe2VAl 薄膜を用いた磁性多層膜におけるスピン依存伝 導特性 東北大院工 1，東北大 WPI2 ○（D）窪田崇秀 1，大兼幹彦 1， 水上成美 2，永沼 博 1，安藤康夫 1 △ 4 RTA を用いたフルホイスラー合金 Co2FeAlxSi1-x の形成と評価 東工大院像情報 1，科学機構 CREST2 ○佐藤充浩 1， 髙村陽太 1，菅原 聡 1,2 △ 5 Co2FeSi/SiOxNy/Si トンネル接合の形成とその構造評価 東工大像情報 1，東大電気系 2，科技機構 CREST3 ○（M1）林 建吾 1， 髙村陽太 1，中根了昌 2，菅原 聡 1,3 （ 71 ） 休 憩 10:15 ∼ 10:30 10 スピントロニクス・マグネティクス 6 ホイスラー型合金 Ru2Mn1-xCrxGe の磁気的および電気的特性 青学大理工 1，NIMS2，KFT3 ○廣瀬 誠 1，水崎壮一郎 1， 永田勇二郎 1，小澤忠司 2，野呂良彦 3 ▲ 7 Defects induced in nonstoichiometric Co2MnGe thin films investigated △ through saturation magnetization 北大院情報科学 ○（D）李 桂芳，平 智幸，平田進之佑， 本田祐輔，松田健一，植村哲也，山本眞史 △ 8 Co2MnGe/MgO/Co2MnGe 強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス 特性 北大院情報科学 ○（M1）平田進之佑，平 智幸，石川貴之， 松田健一，植村哲也，山本眞史 9 L10 型 FeNi の電子状態とその磁気トンネル接合における電気伝導の第一原理 計算 東北大・通研 ○桑原恭志，三浦良雄，阿部和多加，白井正文 10 FePt/MgO/CoPt 垂直磁化トンネル磁気接合素子の極微構造 東北大院工 1，東北大金研 2 ○井波暢人 1，永沼 博 1，宮崎孝道 1， 佐藤和久 2，今野豊彦 2，金 国天 1，大兼幹彦 1，安藤康夫 1 △ 11 キャパシタ構造を用いた CoFeB の磁気特性の電界制御 東北大学通研 ○金井 駿，遠藤将起，池田正二，松倉文礼，大野英男 21 GaGdN/AlGaN 多重量子井戸超格子構造中の磁気ポーラロン 阪大産研 ○周 逸凱，Almokhtar M，谷 弘敦， 江村修一，長谷川繁彦，朝日 一 -----------------------------------------------------------------------------------10.1 新物質創生･物性探索 3 月 18 日 9:00 ∼ 12:00 18a-ZK - 1 ∼ 11 1 巨大 TMR 効果に影響を及ぼす C60-Co 化合物の電子 / スピン状態 (II) 原研先端基礎 1，分子研 2，千葉大融合 3，東大院理 4，京大エネルギー 5 ○（P） 松本吉弘 1，境 誠司 1，圓谷志郎 1，永松伸一 2，北條育子 3， 藤川高志 3，島田敏宏 4，楢本 洋 1，前田佳均 1,5，横山利彦 2 2 巨大 TMR 効果を示すフラーレン - コバルト薄膜に於けるスピン偏極電流 原研先端基礎セ 1，東北大金研 2，物材機構磁性材料セ 3，京大エネルギー 科学 4 ○境 誠司 1，松本吉弘 1，圓谷志郎 1，菅井 勇 2， 三谷誠司 3，高梨弘毅 1,2，前田佳均 1,4 3 縦型 Rubrene-Co ナノコンポジット素子における磁気抵抗効果 阪大基礎工 1，JST さきがけ 2 ○塩見元輝 1，阪井裕孝 1，畑中大樹 1， 関 剛斎 1，野崎隆行 1，新庄輝也 1，鈴木義茂 1，白石誠司 1,2 4 Rubrene-Co ナノコンポジットの電気伝導機構と磁気抵抗効果のチャネル長 依存性 阪大基礎工 1，JST さきがけ 2 ○阪井裕孝 1，畑中大樹 1， 野崎隆行 1，新庄輝也 1，白石誠司 1,2，鈴木義茂 1 5 有機薄膜へのホットキャリア注入 阪大基礎工 1，JST さきがけ 2 ○（M2）畑中大樹 1，関 剛斎 1， 野崎隆行 1，新庄輝也 1，鈴木義茂 1，白石誠司 1,2 昼 食 12:00 ∼ 12:45 17p-ZH - 1 ∼ 21 1 NiFe2O4 スピネルを用いたスピンフィルター素子の試作 産総研エレ 1，さきがけ 2，東北大金研 3 ○長浜太郎 1,2， 杉原 敦 1,3，湯浅新治 1 2 MgO(001) 基板への高配向強磁性 Fe4N 薄膜の MBE 成長 筑波大院電子・物理工学 ○伊藤啓太，李 根衡，末益 崇 3 アモルファスフェリ磁性体 GdFe での光誘起歳差運動観測による磁気特性評 価 NHK 技研 1，東工大像情報 2 ○（P）橋本佑介 1，宗片比呂夫 2， 青島賢一 1，久我 淳 1，清水直樹 1 4 (Ga,Mn)As MTJ の高周波応答 東工大理工 1，東工大量エレ研 2 ○井上雄太 1，山口 武 2，吉野淳二 1 △ 5 強磁性 (Ga,Mn)As 細線における全光学的 90 度磁化スイッチング 東工大・像情報 ○（M2）青山 淳，小林 暁，宗片比呂夫 6 磁気光学効果の局所検出による (Ga,Mn)As 細線の 90 度磁化スイッチ 東工大・像情報 ○中原大輔，青山 淳，須田慶太， 小林 暁，宗片比呂夫 7 スピン依存共鳴トンネル分光を用いた強磁性半導体 GaMnAs における価電子 帯解析 東大院工 1，科技機構さきがけ 2 ○大矢 忍 1,2，宗田伊理也 1， ナムハイ ファム 1，田中雅明 1 △ 8 強磁性半導体 GaMnAs 表面層に形成された量子準位の系統的観測 東大工 1，科技機構 さきがけ 2 ○（B）高田健太 1， 大矢 忍 1,2，田中雅明 1 △ 9 (Ga,Mn)As における Dresselhaus スピン軌道相互作用有効磁界 東北大通研 ○（D）遠藤将起，松倉文礼，大野英男 休 憩 15:00 ∼ 15:15 10 NiFe/GaAs ハイブリッド構造の室温ゼロ磁場におけるスピン相互作用 東大工 1，東北大工 2，リコー 3 ○西林一彦 1，川添 忠 1，斉藤 伸 2， 高橋 研 2，守 哲司 3，福田浩章 3，大津元一 1 11 低温成長 GaAs における局在スピン間の相互作用 北陸先端科学技術大学院大学 ○ Daewon Jung，岩滝幸司，大塚信雄 12 極薄酸化ガリウム層挿入による Fe/n-GaAs 接合のショットキー障壁高さの抑 制 産総研エレ 1，東邦大理 2 ○齋藤秀和 1，峰野祐輔 2， 湯浅新治 1，安藤功兒 1 13 ZnTe(001) 上に MBE 成長した二元化合物 CrTe の構造と磁化特性 筑波大院数理物質 1，物材機構 2 ○西尾陽太郎 1，石川弘一郎 1， 黒田眞司 1，三留正則 2，板東義雄 2 14 四元混晶半導体 (Cd,Mn,Cr)Te の MBE 成長と磁化特性 筑波大院数理物質 ○石川弘一郎，黒田眞司 △ 15 Ge(111) 基板上に MBE 成長した Ge1-xMnx 薄膜の磁性及び構造評価 東大工 1，科技機構さきがけ 2 ○（DC）矢田慎介 1，岡崎亮平 1， 大矢 忍 1,2，田中雅明 1 ▲ 16 MnGa 合金薄膜の構造と磁気特性の組成依存性 WPI-AIMR, Tohoku Univ.1，Department of Applied Physics,2 ○（P） 呉 峰 1，水上成美 1，渡邉大輔 1，E. P Sajitha1， 永沼 博 2，大兼幹彦 2，安藤康夫 2，宮崎照宣 1 17 MnSb 結晶薄膜の作製・評価と磁気異方性 東工大・像情報 ○（M1）吉田大祐，半那 拓，宗片比呂夫 18 Mn ドープ ZnSnAs2 薄膜の Mn 濃度依存性 長岡技大 ○大前洸斗，Joel Asubar，羽子田賢，我妻優二， 石橋隆幸，神保良夫，内富直隆 19 低温成長 GaCrN の作製とその評価 阪大産研 樊 鵬瀚，○周 逸凱，谷 弘敦， 東晃太郎，長谷川繁彦，朝日 一 △ 20 希薄磁性半導体超格子 GaAsGd/GaAs の MBE 法による作製と光学特性・磁 気特性の評価 香川大学工学部 1，香川大学教育学部 2 ○（M1C）杉山紀朗 1， 高田尚樹 1，宮川勇人 1，小柴 俊 1，高橋尚志 2， 鶴町徳昭 1，中西俊介 1，伊藤 寛 1 休 憩 10:15 ∼ 10:30 6 グラファイト及びダイヤモンド上強磁性金属薄膜成長の観察 大阪大基礎工 1，JST さきがけ 2，筑波大（院）図書館情報メディア研 3， 産総研エネルギー 4 ○吉國翔太 1，関 剛斎 1，新庄輝也 1， 鈴木義茂 1，白石誠司 1,2，水落憲和 2,3，山崎 聡 4 7 単層グラフェンへの室温スピン注入 阪大院基礎工 1，JST さきがけ 2 ○三苫伸彦 1，高野 琢 1， 白石誠司 1,2，野崎隆行 1，新庄輝也 1，鈴木義茂 1 8 Ni(111) 表面上単層グラフェンのスピン偏極 物質材料研究機構 1，中国科学技術大学 2，原子力開発機構 3 孫 霞 1,2，圓谷志郎 3，倉橋光紀 1，鈴木 拓 1，○山内 泰 1 △ 9 Silicon on Insulator (SOI) 基板での磁気抵抗効果の観測 東京農工大学院工 ○豊福貴士，西村信也，桑原洋介，白樫淳一 △10 ディスクリートシリコン半導体における磁気抵抗効果の観測 農工大院工 ○西村信也，豊福貴士，桑原洋介，白樫淳一 11 Si:Ce(3 3) 再構成表面を用いた Ce 高濃度ドーピングとその磁気特性に及ぼ す影響 大阪府大院・工 ○櫻井周作，進藤大輔，藤村紀文 -----------------------------------------------------------------------------------10.2 スピンデバイス・回路・計測技術 3 月 17 日 9:00 ∼ 18:00 17a-ZJ - 1 ∼ 11 1 InAs 系 HEMT における Dresselhaus 効果の歪みによる制御 北大量集センター ○松田 喬，陽 完治 2 スピン軌道相互作用の結晶方位依存性がスピン緩和へ及ぼす影響 東北大工 1，JST- さきがけ 2 ○国橋要司 1，好田 誠 1,2，新田淳作 1 3 InGaAs リング配列を用いた電気的スピン制御と面内磁場がスピン干渉効果に 与える影響 東北大工 1，PRESTO-JST2 ○（M2）高木 淳 1，好田 誠 1,2，新田淳作 1 ▲ 4 半導体細線構造における Rashba 及び Dresselhaus スピン軌道相互作用の相 対的強さの電気的検出 東北大工 1，PRESTO-JST2 ○（M2）Moulis Sylvain1，好田 誠 1,2，新田淳作 1 △ 5 p-InMnAs/n-InAs/Nb 接合におけるスピン偏極キャリアの検出 物材機構 MANA1，東理大 2，NTT 物性基礎研 3，東工大・像情報 4 ○西沢 望 1，板橋宣幸 2，赤崎達志 3，小林 暁 4， 宗片比呂夫 4，高柳英明 1,2 6 マグネタイト薄膜から InGaAs/AlGaAs 量子井戸へのスピン偏極率の測定 北大量集 1，北大電科研 2 ○鈴木健司 1，熊野英和 2， 江尻剛士 1，バブ バベッシュ 1，陽 完治 1 休 憩 10:30 ∼ 10:45 7 スピン軌道相互作用を取り入れた Fe/GaAs 接合におけるコンダクタンスのス ピン分極率 名大工 1，関大システム理工 2 ○（P）本多周太 1， 井上順一郎 1，伊藤博介 2 8 スピン注入書込み型スピン MOSFET の総合基本動作の実証 東芝研開セ ○丸亀孝生，井口智明，石川瑞恵，杉山英行，斉藤好昭 9 擬似スピン MOSFET の作製と評価 東工大像情報 1，東大院工 2，物材機構 3，東工大総理工 4， 科技機構 CREST5 ○周藤悠介 1,5，中根了昌 2,5， Wenhong Wang3,5，介川裕章 3,5，山本修一郎 4,5， 田中雅明 2,5，猪俣浩一郎 3,5，菅原 聡 1,5 10 超低消費電力プロセッサ用 6T-2MTJ 型不揮発キャッシュ 東芝 ○安部恵子，野村久美子，池川純夫，岸 達也， 與田博明，藤田 忍 （ 72 ） 10 スピントロニクス・マグネティクス 11 スピンダイス : トンネル磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器 産総研 ○関 貴之，福島章雄，薬師寺啓，久保田均， 湯浅新治，安藤功兒 3 電子線ホログラフィ法による CoFeB/Ru/CoFeB 積層フェリ構造の層間結合 状態の観察 日立基礎研 ○菅原 昭，原田 研，山田将貴， 平家誠嗣，橋詰冨博，高橋宏昌 4 MFM 探針 - 試料間相互作用のシミュレーションによる検討 山口大 1，山口東理大工 2，物材機構国際ナノアーキテクトニクス 3， 産総研ナノ電子 4 久保英則 1，Hazurina A.S.1，○浅田裕法 1， 眞砂卓史 2，倉持宏美 3，高野史好 4，秋永広幸 4 5 CNT-MFM 探針用磁性コート材料の検討 物材機構国際ナノアーキテクトニクス 1，山口東理大工 2，山口大 3， 産総研ナノ電子 4 ○（PC）倉持宏実 1，眞砂卓史 2，浅田裕法 3， 高野史好 4，中山知信 1，秋永広幸 4 6 CNT-MFM 探針および通常 MFM 探針の磁化状態シミュレーション 山口東理大工 1，山口大 2，物材機構国際ナノアーキテクトニクス 3， 産総研ナノ電子 4 ○眞砂卓史 1，浅田裕法 2， 倉持宏実 3，高野史好 4，秋永広幸 4 昼 食 12:00 ∼ 13:00 17p-ZJ - 1 ∼ 19 1 NOL 中の導電チャネルの電気抵抗率 東北大工 ○渡辺佳之，河崎昇平，土井正晶，佐橋政司 2 種々の強磁性金属の横スピン侵入長測定 東北大工 1，筑波大 2，産総研 3 玉川 聖 1，谷口 知 2,3，家形 諭 3， 今村裕志 3，永沼 博 1，○大兼幹彦 1，安藤康夫 1 3 緩和係数αと強磁性共鳴半値幅Δ H の関係 Magnontech1，キーコム 2 ○武田 茂 1，鈴木洋介 2 4 MAMR 書き込みヘッド用 STO における磁場発生層のダンピング定数による 検討 東北大工 ○（D）廬 承模，門間大輔，三宅耕作，土井正晶，佐橋政司 △ 5 積層フェリ固定層を有する CPP-GMR 素子における高周波発振特性 東北大院工 1，東北大 WPI2 ○河田祐紀 1，永沼 博 1， 大兼幹彦 1，水上成美 2，宮﨑照宣 2，安藤康夫 1 6 NCMR 素子におけるスピントルクマイクロ波発振の Pin 層磁化状態依存性 東北大工 1，東芝 研究開発センター 2 ○中村徹哉 1，鈴木裕章 1， 奥冨譲仁 1，土井正晶 1，福家ひろみ 2，岩崎仁志 2，佐橋政司 1 7 スピントルク発振素子を利用した高速再生ヘッドの SN 比 東芝研究開発センター ○水島公一，工藤 究，永澤鶴美，佐藤利江 8 パルス磁場によるスピントルク発振素子の周波数変調 - シミュレーション 東芝研究開発センター ○工藤 究，永澤鶴美，水島公一， 首藤浩文，佐藤利江 9 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルクダイオード電圧の磁場角度依 存性 阪大院基礎工 1，産総研 2，キヤノンアネルバ 3 ○石橋翔太 1，関 剛斎 1， 野崎隆行 1，鈴木義茂 1,2，家形 諭 2，久保田均 2，福島章雄 2， 湯浅新治 2，前原大樹 3，永峰佳紀 3，恒川孝二 3， David D. Djayaprawira3，渡辺直樹 3 10 Fe-rich 組成 CoFeB フリー層を有する強磁性トンネル接合素子におけるスピ ントルク発振 阪大院基礎工 1，産総研 2，キヤノンアネルバ 3 ○（M1）升方康智 1， 石橋翔太 1，冨田博之 1，関 剛斎 1，野崎隆行 1，鈴木義茂 1,2， 久保田均 2，福島章雄 2，湯浅新治 2，前原大樹 3，永峰佳紀 3， 恒川孝二 3，D.D. Djayaprawira3，渡辺直樹 3 休 憩 15:30 ∼ 15:45 △ 11 強磁性 / 常磁性金属薄膜接合のスピンポンピングによるスピン流生成 東北大金研 1，慶大理工 2，JST さきがけ 3 ○吉野達郎 1， 安藤和也 1,2，梶原瑛祐 2，中山裕康 2，齊藤英治 1,3 ▲ 12 パーマロイ線中のスピン波伝搬に関する電気的生成・制御・検出 東北大工 1，JST-PRESTO2 ○ Lihui Bai1，好田 誠 1,2，新田淳作 1 13 パーマロイ細線におけるパルス電流による磁気縞生成 大阪府大ナノ科学・材料セ 1，理化学研究所 2，九大稲盛フロンティア 3， 日立基礎研 4，大阪府大マテリアル 5，電通大情報 6，東大物性研 7 ○戸川欣彦 1,2，木村 崇 2,3，原田 研 2,4，外村 彰 2,4， 森 茂生 5，仲谷栄伸 6，大谷義近 2,7 △ 14 磁化ダイナミクス誘起逆スピンホール効果を用いたスピン拡散長定量法 慶大理工 1，東北大金研 2，JST さきがけ 3 ○（M2）中山裕康 1,2， 安藤和也 1,2，針井一哉 1,2，吉野達郎 1,2，齊藤英治 1,2,3 15 Au のスピンホール効果に対する Fe 及び Pt 不純物濃度依存性 東北大金研 1，物材機構 2 ○（D）菅井 勇 1，三谷誠司 2，高梨弘毅 1 △ 16 スピンバッテリーにおける起電力の構造依存特性 東大院工 ○秋山了太，ナムハイ ファム，田中雅明 △ 17 サブミクロンサイズ Cu-Ni/Au 接合におけるペルチェ冷却効果 産総研 1，物材研 2，東北大金研 3 ○（DC）杉原 敦 1,3，薬師寺啓 1， 福島章雄 1，久保田均 1，湯浅新治 1，山本 淳 1，小塚雅也 2， 大久保忠勝 2，宝野和博 2，高梨弘毅 3 △ 18 巨大ペルチェ効果を示す Cu-Ni/Au 接合のレーザーアトムプローブ解析 筑波大数理 1，物材機構 2，産総研 3，東北大金研 4 ○（D）小塚雅也 1， 大久保忠勝 2，杉原 敦 3,4，高梨弘毅 4，薬師寺啓 3， 福島章雄 3，宝野和博 2,1 19 La1-XSrXMnO3 セラミックスの磁気伝導特性の焼成温度および焼成時間依存性 甲南大理工 1，甲南大ナノテク研 2，阪大院理 3，産総研 ナノテク研 4 ○星野晃範 1，小堀裕己 1,2，山崎篤志 1,2，杉村 陽 1,2， 谷口年史 3，田中深幸 4，内藤泰久 4，清水哲夫 4 -----------------------------------------------------------------------------------10.2 スピンデバイス・回路・計測技術 3 月 18 日 9:00 ∼ 12:00 18a-ZJ - 1 ∼ 11 1 FeB 膜を用いた積層膜の層間交換結合 産総研 ○猿谷武史，久保田均，家形 諭，野間賢二，薬師寺啓， 福島章雄，湯浅新治，安藤功兒 2 強磁性絶縁体マグヘマイトγ -Fe2O3 の電子状態 1 2 関大シス理工 ，名大工 ，筑波大物工 3 ○伊藤博介 1，本多周太 2， 井上順一郎 2，柳原英人 3，喜多英治 3 休 憩 10:30 ∼ 10:45 7 GdFe フリー層を用いた GMR 膜の磁気イメージングによる評価 長岡技科大物材 1，NHK 技研 2 ○石橋隆幸 1，北西俊清 1，押野勇樹 1， 青島賢一 2，船橋信彦 2，町田賢司 2，久我 淳 2，清水直樹 2 8 ２次元ベクトル磁場検出・磁気力顕微鏡を用いた多結晶 La0.7Sr0.3MnO3 薄膜 の磁区構造解析 秋田大工資 1，名古屋大院工 2，西南大物理 ( 中国 )3 ○吉村 哲 1， 江川元太 1，李 正 1，齊藤 準 1，浅野秀文 2，李 国慶 3 9 磁性ガーネット 2 次元配列からの偏光回折と磁化特性のキャラクタリゼー ション 長岡技科大 ○江本顕雄，小坂明正，塩田達俊，小野浩司，石橋隆幸 10 Co フェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製 ○高橋有紀子，葛西伸哉，古林孝夫，三谷誠司， 猪俣浩一郎，宝野和博 11 サブミクロン光変調素子に向けた垂直磁化トンネル接合の作製 東京電機大学 1，NHK 技研 2 ○古川敬二 1，町田賢司 2，船橋信彦 2， 青島賢一 2，久我 淳 2，原 和裕 1，清水直樹 2 -----------------------------------------------------------------------------------10.2 スピンデバイス・回路・計測技術 3 月 19 日 9:00 ∼ 18:15 19a-ZJ - 1 ∼ 11 △ 1 平行結合 CoFeB/Ru/CoFeB 積層フリー層における熱擾乱耐性と反転電流密度 産総研 ○（P）家形 諭，久保田均，関 貴之，薬師寺啓， 福島章雄，湯浅新治，安藤功兒 2 サブナノ秒領域のスピン注入磁化反転評価のための TMR 素子の作製 東北大院工 ○（DC）青木達也，家形 諭，永沼 博，大兼幹彦，安藤康夫 3 MgO 障壁強磁性トンネル接合のサブナノ秒領域のスピン注入磁化反転 東北大院工 ○（DC）青木達也，安藤康夫，大兼幹彦，永沼 博 △ 4 ユニポーラ電流によるトンネル磁気抵抗素子の磁化方向制御 東大生研 1，東大ナノ量子機構 2 ○守谷 頼 1，町田友樹 1,2 5 Keldysh アプローチによる磁性トンネル接合におけるスピントルクの計算 日立基礎研 1，産総研ナノテク 2，東北大金研 3，JST-CREST4 ○市村雅彦 1,4，濱田智之 1,4，今村裕志 2， 高橋三郎 3,4，前川禎通 3,4 6 積層フェリ自由層における電流誘起プリセッションモード 日立基礎研 1，東北大金研 2，JST,CREST3 ○菅野量子 1,3， 市村雅彦 1,3，高橋三郎 2,3，前川禎通 2,3 休 憩 10:30 ∼ 10:45 7 積層自由層のスピン注入磁化反転特性に対する困難軸磁場印加効果 東北大 1，富士電機 HD2 ○小野拓也 1,2，永沼 博 1， 大兼幹彦 1，安藤康夫 1 △ 8 CoFe/Pd 多層膜を電極に用いた垂直 MTJ における TMR 特性と熱処理耐性 東北大通研 1，日立基礎研 2 ○（M1）水沼広太朗 1，池田正二 1， 山本浩之 2,1，甘 華東 1，三浦勝哉 2,1，早川 純 2， 伊藤顕知 2，松倉文礼 1，大野英男 1 9 垂直磁化 GMR 素子の高速スピン注入磁化反転 阪大院基礎工 1，東芝研究開発センター 2 ○冨田博之 1，野崎隆行 1， 関 剛斎 1，永瀬俊彦 2，西山勝哉 2，北川英二 2，吉川将寿 2， 大坊忠臣 2，長嶺 真 2，岸 達也 2，池川純夫 2， 下村尚治 2，與田博明 2，鈴木義茂 1 10 Ag 中間層を用いた垂直磁化 GMR 膜および CPP-GMR 素子 NHK 技研 1，長岡技科大 2 ○青島賢一 1，押野勇樹 2，船橋信彦 1， 町田賢司 1，久我 淳 1，石橋隆幸 2，清水直樹 1 11 Pt/Co 多層膜を用いた垂直磁化 GMR 膜の磁気光学特性 長岡技術科学大学→長岡技大 1，NHK 放送技術研究所→ NHK 技研 2， 東京電機大学→東京電機大 3 ○永沼昌之 1，石橋隆幸 1，町田賢司 2， 古川敬二 3，青島賢一 2，清水直樹 2，久我 淳 2，船橋信彦 2 昼 食 12:00 ∼ 13:00 19p-ZJ - 1 ∼ 20 （ 73 ） 1 垂直磁気異方性を有する Co/Ni 細線における電流注入磁壁移動 (3) 京大化研 1，NEC デバプラ研 2，電通大情報工 3 ○千葉大地 1，小山知弘 1， 山田 元 1，上田浩平 1，谷川博信 2，深見俊輔 2，鈴木哲広 2， 大嶋則和 2，石綿延行 2，仲谷栄伸 3，小野輝男 1 10 スピントロニクス・マグネティクス 11 超伝導 2 垂直磁化 MnGa エピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗 特性 東北大 WPI 機構 1，東北大院工 2 ○渡邉大輔 1，Feng Wu1， 水上成美 1，E.P. Sajitha1，永沼 博 2，大兼幹彦 2， 安藤康夫 2，宮﨑照宣 1 ▲ 3 「講演奨励賞受賞記念講演」（15 分） MgO 障壁を有する二重トンネル接合の室温における 1056% の巨大トンネル 磁気抵抗効果 東北大学 ○ Lixian Jiang，永沼 博，大兼幹彦，安藤康夫 4 2 重 MgO 障壁 CoFeB 電極 MTJ のトンネル磁気抵抗特性と積層構造 東北大通研 1，日立基礎研 2，物材機構 3 ○池田正二 1，甘 華東 1， 水沼広太朗 1，山本浩之 2,1，三浦勝哉 2,1，早川 純 2， 松倉文礼 1，大久保忠勝 3，宝野和博 3，大野英男 1 5 超薄膜 FeCo/MgO/Fe 接合における磁気異方性の電界制御 大阪大学院基礎工 1，JST さきがけ 2 ○塩田陽一 1，野崎隆行 1,2， 新庄輝也 1，白石誠司 1，鈴木義茂 1 △ 6 フルエピタキシャル Fe/MgAl2O4/Fe 強磁性トンネル接合の TMR 効果 物材機構 ○介川裕章，Huixin Xiu，新関智彦，Wenhong Wang， 葛西伸哉，古林孝夫，大久保忠勝，三谷誠司， 猪俣浩一郎，宝野和博 7 低 RA 高 MR を示す垂直型 MgO-MTJ の作製 産総研 ○薬師寺啓，野間賢二，久保田均，猿谷武史，福島章雄， 長浜太郎，湯浅新治，安藤功兒 8 マグネシウム自然酸化 MgO バリア MTJ の絶縁破壊特性 ( その 2) 1 2 ○ 富士通研 ，富士通 吉田親子 1，梅原慎二郎 2，李 永珉 1， 青木正樹 1，杉井寿博 1 9 MgO トンネル障壁上における積層フェリ構造の作製 産総研 1，キヤノンアネルバ 2 ○室岡勇太 1，久保田均 1，薬師寺啓 1， 福島章雄 1，湯浅新治 1，安藤功兒 1，前原大樹 2，西村和正 2， 恒川孝二 2，ダビッド ジャヤプラウィラ 2 10 自然酸化により作製した MgO-MTJ の電気伝導特性 産総研 1，キヤノンアネルバ 2 ○関 貴之 1，福島章雄 1，薬師寺啓 1， 久保田均 1，湯浅新治 1，安藤功兒 1，前原大樹 2，山形伸二 2， 奥山博基 2，恒川孝二 2，ジャヤプラウィラ ダビッド 2 休 憩 15:30 ∼ 15:45 11 フルエピタキシャル Fe/Ag/MgO/Fe(001) トンネル接合の作製 物材機構 ○（PC）新関智彦，三谷誠司 12 高耐環境性 HDP-CVD SiN 保護膜を有する MTJ 素子のアニール耐性 ＮＥＣ デバプラ研 ○内海浩昭，末光克巳，木下啓藏 ▲ 13 Fabrication of Heusler-alloy-based magnetic tunnel junctions having an △ upper Co2MnSi electrode with various Mn compositions and having a Co50Fe50 lower electrode 北大院情報科学 ○（D）劉 宏喜，石川貴之， 松田健一，植村哲也，山本眞史 14 多結晶 Co2Fe(Al,Si) を用いた強磁性トンネル接合の評価 東芝研開セ ○石川瑞恵，丸亀孝生，井口智明，杉山英行，斉藤好昭 15 Co2MnSi 電極強磁性トンネル接合からなるスピントランジスタ構造の作製 東北大工 ○大平祐介，大兼幹彦，永沼 博，安藤康夫 16 L10-FePt/Co2MnSi 積層電極を用いた強磁性トンネル接合の作製 東北大院工 1，東北大金研 2 平塚喬士 1，○（D）金 国天 1，桜庭裕弥 2， 窪田崇秀 1，井波暢人 1，永沼 博 1，大兼幹彦 1， 高梨弘毅 2，安藤康夫 1 17 Co2MnSi/MgO/Co2MnSi 磁気トンネル接合におけるスピン反転過程を含む弾 道的電気伝導度の第一原理計算 東北大・通研 ○三浦良雄，阿部和多加，白井正文 △ 18 Co2FeAl0.5Si0.5 ホイスラー合金を用いた CPP-GMR 素子 筑波大数理物質 1，物材機構 2 ○中谷友也 1,2，古林孝夫 2，葛西伸哉 2， 介川裕章 2，高橋有紀子 2，三谷誠司 2，宝野和博 2,1 △ 19 Co2MnSi/n-GaAs 接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果と結晶磁気異方 性に対する接合界面構造依存性 北大院情報科学 ○（M1）原田雅亘，秋保貴史， 植村哲也，松田健一，山本眞史 △ 20 強磁性金属 / 誘電体薄膜における磁気異方性電界効果の第一原理計算 金沢大 1，東北大 2 ○辻川雅人 1，小田竜樹 1，三浦良雄 2，白井正文 2 10.4 光･量子スピントロニクス 3 月 19 日 9:30 ∼ 12:00 19a-ZA - 5 ∼ 13 1 ∼ 4 9:10 ∼ 9:30（10.3 磁気記録媒体・磁気センサー） 5 GaAs/AlGaAs (110) 量子井戸中の電子スピン緩和時間に対する電場効果 奈良先端大物質 ○揖場 聡，黄 晋二，河口仁司 6 GdFe フェリ磁性薄膜における磁化の 2 パルスダイナミックス制御 東工大像情報 1，NHK 技研 2 ○西林一彦 1，須田慶太 1， 久我 淳 2，橋本佑介 2，宗片比呂夫 1 △ 7 時間分解ポンププローブ反射計測法による InGaAs/GaAs 単一量子井戸のス ピン緩和の観測 早大理工 1，LPN-CNRS, France2，SINANO-CAS3 ○牛見健則 1， 納所秀宇 1，浅見健志 1，Lianhe Li2，Jean Harmand2， Shulong Lu3，竹内 淳 1 △ 8 InGaAs/AlAsSb 多重量子井戸の低温 (150 K) でのスピン緩和時間測定 早大理工 1，産総研 2 ○笹山和俊 1，牛頭信一郎 2，物集照夫 2， 和泉壮太朗 1，佐伯 悠 1，貫井貴夫 1，竹内 淳 1 休 憩 10:30 ∼ 10:45 9 半導体自己組織化量子ドットへのスピン注入における注入時のスピン緩和 北大院情報科学 ○田村宣裕，山崎達誌郎，菅原広剛，村山明宏 10 希薄磁性半導体量子井戸における磁気ポーラロンの形成時間と電子スピン緩 和 北大院情報科学 ○山崎達誌郎，田村宣裕，菅原広剛，村山明宏 11 Ga をドープした ZnO 薄膜の電子スピンダイナミクスの観測 筑波大物理 1，スタンレー電気 2 ○野澤伸介 1，冨本慎一 1， 加藤裕幸 2，佐野道宏 2，松本貴裕 2，舛本泰章 1 △ 12 電子濃度の異なる n 型 GaAs におけるスピンホール効果の評価 東北大通研 ○松坂俊一郎，大野裕三，大野英男 △ 13 半導体量子井戸中における核スピン緩和時間の歪依存性 東北大通研 ○（D）小野真証，佐藤源輝，石原 淳， 松坂俊一郎，大野裕三，大野英男 ------------------------------------------------------------------------------------ 11 超伝導 ●関連シンポジウム「超伝導分科会企画「超伝導で 進む 未来技術の最新動向 超伝導 の物流・交通への展開 」」(3 月 17 日 ( 水 )13:00 17:30,ZM 会場 ) が p. ○に , 掲載され ています . -----------------------------------------------------------------------------------11.1 基礎物性 3 月 17 日 9:00 ∼ 12:05 17a-ZM - 1 ∼ 9 1 高還元温度領域における超伝導揺らぎ比熱の理論計算 小山高専 1，大阪電通大 2 飯沼裕哉 1，榎本博行 2，○森 夏樹 1 2 金属組成が異なる Bi2212 単結晶に対する電子線照射効果 東大院工 ○影島慶明，下山淳一，荻野 拓，岸尾光二 3 石英封管法による Pr2Ba4Cu7O15-y の合成 高知工大環境理工 1，東大院工 2 ○堀井 滋 1，下山淳一 2 △ 4 ソフト化学法を用いたα -MOCl(M=Y, La) における新超伝導物質探索 東北大工 ○柳生穂高，加藤雅恒，野地 尚，小池洋二 △ 5 還元剤 CaH2 を用いた層状ペロブスカイト型銅酸化物 T -La2CuO4 の低温合成 東北大院工 ○（M2）高松智寿，加藤雅恒，野地 尚，小池洋二 6 Ar 気流中における R-123 単結晶ウィスカーの育成 山梨大院クリスタル研 1，NIMS2 ○長尾雅則 1，綿打敏司 1， 田中 功 1，高野義彦 2，前田 弘 2 休 憩 10:30 ∼ 10:45 7 T 構造母物質 RE2CuO4 の超伝導特性の RE 依存性 農工大 1，NTT 物性研 2，産総研 3 ○池田 愛 1，松本 理 1， 山本秀樹 2，真部高明 3，内藤方夫 1 8 T -(La,Sm)2CuO4 バルク試料の低温合成と超伝導特性 農工大工 ○上田真也，浅井翔太，内藤方夫 9 「第 10 回応用物理学会業績賞（研究業績）受賞記念講演」（50 分） 高温超伝導のアキレス腱 超伝導揺らぎ問題と 20 年かかった線材の実用化 科学技術振興機構 ○北澤宏一 -----------------------------------------------------------------------------------10.3 磁気記録媒体･磁気センサー 3 月 19 日 19a-ZA - 1 ∼ 4 ショートプレゼンテーション（各 5 分）9:10 ∼ 9:30 19aZA-1 ∼ 4 ポスター展示時間 13:00 ∼ 15:00 1 CoPt 薄膜の磁気特性に対する Cr 添加効果 山形大工 1，東京藝大 2 ○太田康平 1，稲葉信幸 1，桐野文良 2 2 垂直磁化膜におけるマイクロ波アシスト磁化反転 阪大基礎工 1，富士通 2 ○吉岡 孝 1，野崎隆行 1，関 剛斎 1， 白石誠司 1，新庄輝也 1，上原裕二 2，鈴木義茂 1 3 (Co,Ru)Fe2O4 薄膜の磁気・電気特性 東大工 ○岩本藤行，関 宗俊，田畑 仁 4 Cr2O3 薄膜上でのカーボンナノチューブの成長 日大理工 ○米林 豊，槇島啓介，大月俊平，石塚大祐， 山本 寛，岩田展幸 5 ∼ 13 9:30 ∼ 12:00（10.4 光・量子スピントロニクス） -----------------------------------------------------------------------------------11.1 基礎物性 3 月 18 日 9:00 ∼ 17:00 18a-V - 1 ∼ 13 ------------------------------------------------------------------------------------ （ 74 ） 1 MOD 法によるメサ型 Bi-2212 固有ジョセフソン接合素子の製作 防衛大工 ○濱中公志，立木 隆，内田貴司 2 パルス電流法による Bi-2212 固有ジョセフソン接合の特性評価 II 長岡技科大 ○（M1）須永 悟，廣瀬将圭，加藤孝弘，濱崎勝義 3 シャント抵抗付き Bi-2212 固有接合 SQUID の磁場特性 長岡技大 1，NICT2 ○加藤孝弘 1，三輪 淳 1，島影 尚 2， 末松久幸 1，濱崎勝義 1 4 周期的ポテンシャルを導入した磁束フロー発振器の検討 小山高専 1，山形大工 2，東北大通研 3 ○山田靖幸 1， 中島健介 2，中島康治 3
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