2. Beschreibung von Zweitoren durch S-Parameter Definition von Zweitor-Größen Streuparameter (S-Parameter) und Streumatrix Verstärkung Stabilität Rauschen Anpass-Netzwerke 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 1 WS 2016/2017 Definition von Zweitor-Größen ZS U1 bs,bG US I2 I1 1 a1 aG b1 Zweitor [S] 2 U2 b2 ZL a2 bL 1 (Zs-Z0)/(Zs+Z0)= rS 2 r1 r2 ZS Z1 Ps aL P1 Z2 P2 rL ZL PL Aufgabe 3 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 2 WS 2016/2017 Streuparameter und Streumatrix Reziprozität (Kirchhoff‘scher Umkehrsatz erfüllt) = [S ] S] oder S12 [= T S21 Symmetrie (Z1 = Z2 bei gleicher Last; außerdem Reziprozität) Verlustlosigkeit (Wirkleistungen P1 = P2, Unitarität) = [S * ] ⋅ [S ] T [1] oder = ∑ Sij 1 2 i Rückwirkungsfreiheit (Unilateralität) Es gibt keine verlustlosen Zweitore, die als Einwegleitungen wirken. 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 3 WS 2016/2017 Verstärkung Spannungsverstärkung Stromverstärkung ZS I1 1 U1 bs,bG I2 a1 b1 aG Zweitor [S] 2 U2 b2 a2 Ps ZL bL 1 rS aL 2 r1 P1 r2 P2 rL PL Wirkleistung an Last Wirkleistung von Quelle 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 4 WS 2016/2017 ZS Leistungsverstärkung – Definitionen und Folgerungen I2 I1 1 U1 2 U2 Zweitor [S] ZL 1 rS Ps 2 r2 r1 P1 P2 rL PL Klemmenleistungsverstärkung (power gain) [S], rL Verfügbare Leistungsverstärkung (available power gain) rS, [S] S L Maximale Leistungsverstärkung [S], (maximum power gain) r =r *, r =r * S 1 Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 L 2 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 5 WS 2016/2017 Aufgabe 4 Übertragungsleistungsverstärkung (transducer power gain) r , [S], r 2. Schaltungen Unilateraler und bilateraler Gewinn Rückwirkungsfreies Zweitor (S12 = 0 und S21 ≠ 0): r1 und r2 werden unabhängig von äußerer Beschaltung Fehler durch Vernachlässigung der Rückwirkung G0= |S21|2 GuS rS’=0 rS S11 GuL S22 rL rL’=0 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 6 WS 2016/2017 Kreise konstanter Verstärkung S12=0, CFY10, 12 GHz GuS [dB] = GuL [dB] = 2.3 2.1 1 1 0 0 -2 -2 -5 -5 Eingangsebene (rS) Mmax=S11* Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Ortskurven der Zeigerspitzen von rS und rL, für die GS und GL Ausgangsebene (rL) feste Werte haben. Mmax=S22* Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 7 WS 2016/2017 2. Schaltungen Stabilität 1 I2 I1 Eine Schaltung ist stabil, wenn zeitlich begrenzte Störungen nicht anklingen Zweitor [S] 1 Maschenregeln (Beschaltung) ZS, rS 2 +j r1rS -1 instabil +1 -1 ω=0 σ Bedingung für Stabilität r1 (jω) rS (jω) 0˜ ω˜ 4 p = σ + jω -j Komplexe Ebene für p für Re{p} < 0 Re (r1rS) Komplexe Ebene für r1rS Analog für S → L und 1 → 2 Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 8 WS 2016/2017 Ortskurven-Verfahren Strecker-Nyquist Im (r1rS) ω stabil ZL, rL Z2, r2 Z1, r1 jω I(p) im Zeitbereich 2 2. Schaltungen Unbedingte Stabilität Eine Schaltung sei mit passiven Impedanzen ZS und ZL beschaltet. Unbedingte oder absolute Stabilität 1 I1 I2 2 Zweitor [S] 1 ZS, rS 2 Z1, r1 Z2, r2 ZL, rL Schaltung kann ohne Stabilitätsverlust mit beliebigen passiven Widerständen und Reaktanzen beschaltet werden 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 9 WS 2016/2017 Stabilitätskreise (für gegebene Frequenz) Bestimme in rS-Ebene die Grenz-Kreise mit |r2| = 1 Bestimme in rL-Ebene die Grenz-Kreise mit |r1| = 1 (vgl. folgendes Beispiel) Kreismittelpunkt ML und Kreisradius RL Analog für MS und RS Stabilitätsanalyse: Für rL = 0 ist r1 = S11; unbedingt stabil: |S11| ≤ 1 |S11| < 1 liegt außerhalb des Kreises |r1| = 1 Stabilitätsorte: |rL| ≤ 1 UND außerhalb des Kreises |r1| = 1 Unbedingte oder absolute Stabilität (in rS-Ebene und rL-Ebene gleichzeitig) Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 10 WS 2016/2017 Aufgabe 5 Zweitor kann beidseitig leistungsangepasst werden 2. Schaltungen CFY10 GaAs MESFET (Siemens) Stabilitätskreise Beispiel (rS-Ebene) f [GHz] = 2 4 6 8 10 12 14 S11* 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 11 WS 2016/2017 CFY10 GaAs MESFET (Siemens) Stabilitätskreise Beispiel (rL-Ebene) f [GHz] = 2 4 6 8 10 12 14 S22* 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 12 WS 2016/2017 Stabilität und Gewinne Unterdrückung von Selbsterregung bei bedingter Stabilität 1. Fehlanpassung Zweitor – Quelle / Last Variabilität 2. Bedämpfung an Ein- und/oder Ausgang Bandbreite 3. Neutralisation der internen Rückkopplung Verstärkung VSWR Dämpfung Bandbreite Leistungsverstärkung unbedingt stabiler Zweitore Vor-/Rückwärtsverhältnis: Maximaler verfügbarer Gewinn (maximum available gain) Maximaler stabiler Gewinn (#1,2) (maximum stable gain) Unilateraler Gewinn (#3) (unilateral power gain) 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 13 WS 2016/2017 Gewinne unbedingt stabiler Zweitore 40 CFY10 (Source) 35 Gewinn [dB] 30 25 GuÜmax U 6dB/Oktave 20 MSG 15 10 2 |S | 5 0 MAG 21 1 10 Frequenz f [GHz] f 100 max 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 14 WS 2016/2017 Rauschen Rauschen = stochastisches Störsignal Behandlung von Effektivwerten statt Amplituden Quellen: Thermisches Rauschen, Schrotrauschen, 1/f-Rauschen, ... Unvermeidbar, aber minimierbar 1 ~ Is ~ U1 YS ~ I2 ~ I1 Zweitor [S] 1 (Y0-Ys)/(Y0+Ys) = rS 2 ~ U2 YL 2 Rauschen in Stromquelle und Zweitor Last ist per Definition rauschfrei rL = (Y0-YL)/(Y0+YL) Extraktion Rauschquellen mittels Ersatzschaltbild Richtung Quelle → Rauschfreie Schaltelemente und Ersatzquellen 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 15 WS 2016/2017 Rauschersatzschaltbild von Quelle und Zweitor Signalquelle ~ Is Wirkleitwert Gs Rauschtemperatur Ts YS=GS+jBS TS ~ Is = ~ is YS=GS+jBS Zweitor Rauschquellen-Extraktion (Kleinsignalaussteuerung) (Un)korrelierte Rauschquellen (rauschfreier Korrelationsleitwert Yc) 1 ~ I1 ~ U1 1 ~ I2 Zweitor [S] ~ U2 ~ I1 1 ~ U1 = 1' ~ u 1 ~ i ~ I1' ~ U 1' Zweitor [S] ~ U2 1' 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 16 WS 2016/2017 Un/korrelierte Rauschersatzquellen ~ I1 1 ~ U1 1 1' ~ u ~ i ~ I2 ~ I1' Zweitor [S] ~ U 1' ~ U2 1' 1 ~ ~ u I1 1' ~ U1 = ~ U 1' ~ Yc in 1 ~ I2 ~ I1' Zweitor [S] 2 ~ U2 -Yc 1' 2 Rauscheigenschaften des Zweitors durch GU, RI und Yc=Gc+jBc beschrieben 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 17 WS 2016/2017 Rauschzahl Rauschersatzquelle: Innenleitwert Ys, Rauschurstrom ik (Quelle und Zweitor) 2 1' Zweitor [S] Ys ~ ik 1' YL 2 Standardrauschzahl und Systemrauschzahl Fsyst = Reale Gesamtrauschleistung im Lastleitwert YL Rauschleistung in YL bei ideal rauschfreiem Zweitor Rauschkenngrößen GI, RU, Gc, Bc von Arbeitspunkt und Frequenz abhängig 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 18 WS 2016/2017 Minimierung der Rauschzahl Fz hängt nichtlinear von Quellenadmittanz YS = GS + jBS ab Quelle und Zweitor sind rauschangepasst, wenn Rauschzahl minimal wird Rauschabstimmung Rauschanpassung 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 19 WS 2016/2017 Rauschzahlkreise (rs-Ebene) GuS/GuS,max [dB]= F/Fmin [dB] = 0 0 -1 1 -2 2 -3 3 CFY10, 6 GHz UDS=4V, ID=15 mA Rauschanpassung und Leistungsanpassung sind nicht gleichzeitig realisierbar! Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 2. Schaltungen Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 20 WS 2016/2017 Kettenschaltung rauschender Zweitore Zs=Zs0 1 2 1 1 PvS rs0 2 1 Pv2(1) Zweitor n [S](n) Gv(n) F(n) 2 r2(1) Pv2(2) 2 1 Zweitor 2 [S](2) Gv(2) F(2) Zweitor 1 [S](1) Gv(1) F(1) US 2 ZL 2 1 r2(2) Pv2(n) r2(n) PL rL Übertragungsleistungsverstärkung PL/PvS der Kette Gesamtrauschzahl der Kette (Friis) Die ersten Kettenglieder bestimmen Gesamtrauschzahl 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 21 WS 2016/2017 Leistungsverstärkung und Beschaltungsaspekte Klemmenleistungsverstärkung [S], rL Verfügbare Leistungsverstärkung rS, [S] Übertragungsleistungsverstärkung rS, [S], rL 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 22 WS 2016/2017 Anpassnetzwerke Typischer einstufiger Transistorverstärker ZS=Z0 Anpassnetzwerk AN1 [S](1) US 2 1 2 1 1 1 rS’=0 S11K 2 Anpassnetzwerk AN2 [S](3) [S](2) 2 1 2 1 rS r1 r2 ZL=Z0 2 rL S22K rL’=0 Aufgaben • Ziel (z.B. Leistungs- oder Rauschanpassung) legt rS und/oder rL fest • Werte für rS und/oder rL bestimmen r1 und r2 • Entwurf eines Anpassnetzwerkes (CAD, Smith-Diagramm als Hilfe) o DC-Leitungen für AP-Einstellung berücksichtigen o Transformationselemente müssen realisierbar sein (Werte, Toleranzen) o Transformationswege sollten möglichst kurz sein (Verluste, Bandbreite) 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 23 WS 2016/2017 Allgemeines zu Anpassnetzwerken 1. Kreise konstanter Güte (Verluste und Bandbreite) ⇒ Netzwerk muss innerhalb der Kreissektoren bleiben ⇒ Kurze Transformationswege und viele (ideale) Elemente: verlustarm, breitbandig 2. Anpass-Elemente ⇒ verlustarm ⇒ abgleichbar / rekonfigurierbar 3. Weitere Anpass-Funktionen ⇒ Frequenzgang (Selektivität) ⇒ Phasenreserve (Stabilität) Q2 > Q 1 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 24 WS 2016/2017 CFY10 Transistor-Streuparameter 90 60 120 3.5 3 |S | 2.5 21 2 1.5 2 1 0.5 1 0 f [GHz] = 30 15 Anpassung erfolgt immer Aufbau-, Arbeitspunkt1 2 1 und Frequenzspezifisch ! 2 0 f [GHz] = 15 S 11 210 330 240 S 300 270 90 0.1 0.08 |S | 12 0.06 0.04 0.02 0 22 15 60 120 30 2 1 B 15 Rb Lpar 0 f [GHz] = Cpar 210 R Koll. L cbe G C 330 S11 E 240 E S22 300 2. Schaltungen 270 Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 25 WS 2016/2017 Anpassnetzwerke: Beispiel Ziel: Rauschanpassung Eingang, Leistungsanpassung Ausgang, f = 6 GHz, 50 Ω Bezugssystem! Stabilität gewährleistet? rSopt = −0.24 + j0.33 ⇒ r2 = 0.59 − j 0.57 ⇒ GS‘ = 6.53 dB rLopt = r2* = 0.59 + j 0.57 ⇒ GL‘ = 0 dB F GL‘ ⇒ GÜ,dB = G0,dB + GS‘,dB + GL‘,dB = 13.95 dB ⇒ F = Fmin = 1.45 dB CFY10: UDS=4V, ID=15 mA, |S21|2=7.42 dB Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 2. Schaltungen Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 26 WS 2016/2017 Beispiel eines Anpassnetzwerkes 1/2 Anpassung mit zwei konzentrierten Blindelementen. Ls Cp rs'=0 rs Lp . Ls Cs Cp Lp Cs rL rL'=0 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 27 WS 2016/2017 Beispiel eines Anpassnetzwerkes 2/2 Anpassung mit zwei Leitungsstücken. λ/4-Transformator plus λ/8-Parallelstichleitung mit Kurzschluss (Parallel-L) Ls Cp λ/4-Transformator plus λ/8-Serienstichleitung mit Kurzschluss (Serien-L) 2. Schaltungen Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 28 WS 2016/2017 Anhang: Kreisparameter (Zusammenfassung) Bedingung Mittelpunkt Radius Stabilitätskreise in rS-Ebene mit |r2|=1 Bemerkung rL-Ebene: tausche 1↔2 Rauschzahlkreise in rS-Ebene Bilateraler Gewinn in rL-Ebene Bilateraler Gewinn in rS-Ebene Bilateraler Gewinn in rS‘-Ebene wie in rL -Ebene, tausche 2 ↔ 1 und L ↔ S‘ Bilateraler Gewinn in rL‘-Ebene wie in rS -Ebene, tausche 1 ↔ 2 und S ↔ L‘ Unilateraler Gewinn in rS-Ebene Unilateraler Gewinn in rL-Ebene wie in rS -Ebene, tausche 1 ↔ 2 und S ↔ L Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik www.tu-ilmenau.de/hmt Seit 1961 2. Schaltungen Schaltungen und Bausteine der HMT Prof. Dr. M. Hein Seite 29 WS 2016/2017
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