PNZ102

本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
フォトトランジスタ
PNZ102 (PN102)
シリコンプレーナー形
Unit : mm
各種光制御機器用
φ4.6±0.15
6.3±0.3
Glass lens
VCEO
30
VCBO
40
V
VECO
5
V
VEBO
5
V
0.
15
1.
0±
3
IC
50
mA
150
mW
Topr
−25 ∼ +85
°C
Tstg
−30 ∼ +100
°C
1
2
1 : Emitter
2 : Base
φ5.75 max.
3 : Collector
MTGLR103-001 Package
V
PC
守
保存温度
単位
廃
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
動作周囲温度
止
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
エミッタ・コレクタ間電圧(B 開放時)
*
定格
3°
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ損失
記号
±
45°
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ電流
2.54±0.25
2
0.
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
3-φ0.45±0.05
0±
1.
• 高感度
• 分光感度特性が広く，GaAs LED の受光に最適
• 暗電流が小さい : ICEO = 5 nA (typ.)
• 応答速度が速い : tr , tf = 3 µs (typ.)
• ベース端子があるので回路設計上便利
• 標準 TO-18 ヘッダを採用
12.7 min.
■ 特長
注 ) * : 電力低減率は，Ta = 25°C 以上で 1.5 mW/°C
■ 電気的・光学的特性 Ta = 25°C ± 3°C
*1
暗電流
ピーク感度波長
半値角
上昇時間
*2
下降時間
*2
記号
保
守
保
項目
光電流
注 ) 1.
2.
3.
4.
*1
最小
標準
1.5
3.5
最大
単位
VCE = 10 V, L = 100 lx
ICEO
VCE = 10 V
5
λP
VCE = 10 V
800
θ
光電流が 50% になる角度
10
°
tr
VCC = 10 V, ICE(L) = 5 mA,
RL = 100 Ω
3
µs
tf
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
条件
ICE(L)
VCE(sat)
300
3
ICE(L) = 1 mA, L = 500 lx
0.2
0.4
mA
nA
nm
µs
V
測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
分光感度特性：400 nm を超える波長における感度の最大感度に対する比率は 100 % です。
本製品は耐放射線を考慮した設計ではありません。
∗1 : 光源はタングステンランプ(色温度 T = 2 856 K)で測定
∗2 : スイッチングタイム測定回路
Sig. in
VCC
(入力パルス)
50 Ω
90%
10%
Sig. out (出力パルス)
RL
tr
tr : 上昇時間
tf : 下降時間
tf
注 ) 形名の( )内は, 従来品番です
発行年月 : 2004年4月
SHE00005BJD
1
本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
PNZ102
PC  Ta
IC  VCE
20
80
40
0
−20
0
20
40
60
80
12
15 µA
PC = 150 mW
8
10 µA
4
IB = 5 µA
0
20
PC = 150 mW
200 lx
8
150 lx
100 lx
4
30
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
L = 50 lx
0
1
10
20
103
VCE = 10 V
廃
VCE = 10 V
Ta = 25˚C
T = 2 856K
30
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
ICEO  Ta
ICE(L)  Ta
102
VCE = 10 V
T = 2 856K
1
10
102
保
照度 L (lx)
103
10
10 −1
−40
40
80
1
−40
120
0
40
80
120
tr  ICE(L)
103
VCC = 10 V
Ta = 25°C
80
102
相対感度 ∆S (%)
60
100 lx
周囲温度 Ta (°C)
指向特性
保
守
80
0
100
Ta = 25°C
200 lx
10
周囲温度 Ta (°C)
分光感度特性
100
L = 500 lx
1
40
上昇時間 tr (µs)
10 −1
光電流 ICE(L) (mA)
守
1
暗電流 ICEO (nA)
102
10
相対感度 ∆S (%)
10
300 lx
12
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
ICE(L)  L
102
16
400 lx
周囲温度 Ta (°C)
光電流 ICE(L) (mA)
25 µA
Ta = 25°C
T = 2 856K
500 lx
1 000 lx
20 µA
0
100
Ta = 25°C
止
120
10 −2
30 µA
16
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ損失 PC (mW)
160
ICE(L)  VCE
20
光電流 ICE(L) (mA)
200
60
40
RL = 1 kΩ
10
500 Ω
100 Ω
1
20
20
0
200
400
600
800
波長 λ (nm)
2
1 000
1 200
0
30
10
10
半値角 θ (°)
SHE00005BJD
30
10 −1 −1
10
1
10
光電流 ICE(L) (mA)
102
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
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− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
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故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
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