HM6264B シリーズ

HM6264B シリーズ
64k SRAM (8-kword×8-bit)
ADJ-203-117B (Z)
Rev. 2.0
H10. 1. 9
概要
HM 62 64 B シリーズは，8 k ワード×8 ビット構成の 6 4k ビットスタティック RA M です。1 .5µm CMO S プロ
セス技術を採用し，高性能，低消費電力を実現しております。
パッケージの種類は，4 50 mil SO P（フットプリントピッチ幅）や 6 00 mil プラスチック DIP ，3 00 mil プラス
チック DIP が用意されてます。
特長
l 高速です。
― アクセス時間：85/100ns（Max）
l 低消費電力です。
― スタンバイ時：10µW（Typ）
― 動作時：15mW（f = 1MHz）（Typ）
l 5V 単一電源です。（± 10%）
l 完全なスタティックメモリです。
― クロック，タイミングストローブを必要としません。
l アクセスとサイクル時間が同じです。
l データ入力と出力が共通です。
― スリーステート出力
l すべての入出力が TTL コンパチブルです。
l バッテリバックアップ動作が可能です。
HM6264B シリーズ
製品ラインアップ
製品名
HM6264BLP-8L
HM6264BLP-10L
HM6264BLSP-8L
HM6264BLSP-10L
HM6264BLFP-8LT
HM6264BLFP-10LT
アクセス時間
パッケージ
600mil 28-pin プラスティック DIP（DP-28）
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
300mil 28-pin プラスティック DIP（DP-28N）
450mil 28-pin プラスティック SOP（FP-28DA）
ピン配置
HM6264BLP/BLSP/BLFP Series
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
28
27
26
25
24
8
9
10
11
12
21
20
19
18
17
VCC
WE
CS2
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
13
14
16
15
I/O5
I/O4
3
4
5
6
7
23
22
(Top view)
ピン説明
記号
ピン名称
記号
ピン名称
A0∼A12
アドレス入力
WE
ライトイネーブル
I/O1∼I/O8
データ入出力
OE
出力イネーブル
CS1
チップセレクト 1
NC
ノーコネクション
CS2
チップセレクト 2
VCC
電源
VSS
接地
2
HM6264B シリーズ
ブロックダイアグラム
A11
A8
A9
A7
A12
A5
A6
A4
Row
decoder
Memory array
256 × 256
I/O1
VCC
VSS
Column I/O
Input
data
control
I/O8
Column decoder
A1 A2 A0 A10 A3
CS2
CS1
Timing pulse generator
Read, Write control
WE
OE
機能表
WE
CS1
CS2
OE
×
H
×
×
モード
電源電流
Dout 端子
参照サイクル
非選択時
I SB ，I SB1
高インピーダンス
—
（パワーダウン）
×
×
L
×
H
L
H
H
出力ディスエーブル
I CC
高インピーダンス
—
H
L
H
L
リード
I CC
Dout
リードサイクル（1）∼（3）
L
L
H
H
ライト
I CC
Din
ライトサイクル（1）
L
L
H
L
I CC
Din
ライトサイクル（2）
【注】 1. ×：H，L のいずれか
3
HM6264B シリーズ
絶対最大定格
項目
電源電圧*
1
端子電圧*
1
記号
定格値
VCC
–0.5∼+7.0
2
単位
V
3
–0.5* ∼VCC + 0.3*
VT
V
許容損失
PT
1.0
W
動作温度
Topr
0∼+70
°C
保存温度
Tstg
–55∼+125
°C
保存温度（バイアス印加時）
Tbias
–10∼+85
°C
【注】 1. VSS に対する許容値
2. パルス半値幅が 50ns 以下の場合，–3.0V
3. 最大電圧 7.0V
推奨 DC 動作条件
（Ta = 0∼+70°C）
項目
記号
Min
Typ
Max
単位
電源電圧
VCC
4.5
5.0
5.5
V
ハイ入力電圧
VSS
VIH
0
2.2
0
—
0
VCC + 0.3
V
V
ロウ入力電圧
VIL
–0.3*1
—
0.8
V
【注】 1. パルス半値幅 50ns 以下の場合，–3.0V
4
HM6264B シリーズ
DC 特性
（V CC = 5V ± 10%，V SS = 0V，Ta = 0∼+70°C）
記号
Min
Typ* 1
Max
単位
入力漏洩電流
|ILI|
—
—
2
µA
Vin = VSS to VCC
出力漏洩電流
|ILO |
—
—
2
µA
CS1 = VIH or CS2 = VIL or OE = VIH
or WE = VIL，VI/O = VSS to VCC
動作時電源電流
I CCDC
—
7
15
項目
測定条件
mA CS1 = VIL，CS2 = VIH，I I/O = 0mA，
他は VIH / VIL
平均動作電流
I CC1
—
30
45
mA 最小サイクル，duty = 100%，
CS1 = VIL，CS2 = VIH，I I/O = 0mA，
他は VIH / VIL
I CC2
—
3
5
mA サイクルタイム 1µs，duty = 100%，
I I/O = 0mA，CS1≦0.2V，CS2≧VCC – 0.2V，
VIH≧VCC – 0.2V，VIL≦0.2V
スタンバイ時電源電流
mA CS1 = VIH，CS2 = VIL
I SB
—
1
3
I SB1
—
2
50
µA
VOL
—
—
0.4
V
I OL = 2.1mA
VOH
2.4
—
—
【注】 1. VCC = 5.0V，Ta = 25°C における参考値
V
I OH = –1mA
CS1≧VCC – 0.2V，CS2≧VCC – 0.2V
or 0V≦CS2≦0.2V，0V≦Vin
出力電圧
容量
（Ta = 25°C，f = 1MHz）
項目
入力容量*
1
入出力容量*
1
記号
Min
Typ
Max
単位
測定条件
Cin
—
—
5
pF
Vin = 0V
CI/O
—
—
7
pF
VI/O = 0V
【注】 1. このパラメータは全数測定されたものではなく，サンプル値です。
5
HM6264B シリーズ
AC 特性
（V CC = 5V ± 10%，Ta = 0∼+70°C）
測定条件
l 入力パルスレベル：0.8V∼2.4V，
l 入力上昇 / 下降時間：10ns
l 入出力タイミング参照レベル：1.5V
l 出力負荷：1TTL ゲート + CL（100pF）（スコープ，ジグ容量を含む）
リードサイクル
項目
記号
HM6264B-8L
HM6264B-10L
単位
リードサイクル時間
t RC
Min
85
Max
—
Min
100
Max
—
ns
アドレスアクセス時間
t AA
—
85
—
100
ns
CS1
t CO1
—
85
—
100
ns
CS2
t CO2
t OE
—
—
85
45
—
—
100
50
ns
ns
チップセレクト・アクセス時間
出力イネーブルアクセス時間
注
CS1
t LZ1
10
—
10
—
ns
2
CS2
出力イネーブル・出力セット時間
t LZ2
t OLZ
10
5
—
—
10
5
—
—
ns
ns
2
2
チップディセレクト・出力フローティング CS1
t HZ1
0
30
0
35
ns
1, 2
CS2
出力ディスエイブル・出力フローティング
t HZ2
t OHZ
0
0
30
30
0
0
35
35
ns
ns
1, 2
1, 2
出力保持時間
t OH
10
—
10
—
ns
チップセレクト出力セット時間
【注】 1. t HZ は，出力が閉回路条件になったときの時間で規定され，出力電圧レベルによっては判定しませ
ん。
2. 温度，電圧条件が同一の場合には t HZ max は t LZ min より小さい。
6
HM6264B シリーズ
リードタイミング波形（1）（WE = V IH）
tRC
Address
Valid address
tAA
tCO1
CS1
tLZ1
tCO2
CS2
tHZ1
tLZ2
tOE
tHZ2
tOLZ
OE
tOHZ
Dout
High Impedance
Valid data
tOH
リードタイミング波形（2）（WE = V IH，OE = V IL）
Address
Valid address
t AA
t OH
Dout
t OH
Valid data
7
HM6264B シリーズ
リードタイミング波形（3）（WE = V IH，OE = V IL）*1
t CO1
CS1
t HZ1
t LZ1
t HZ2
CS2
t CO2
t LZ2
Dout
Valid data
【注】 1. アドレスは CS 1 の立下がりまたは CS 2 の立上がりと同時あるいは，先行して確定する必要があ
ります。
8
HM6264B シリーズ
ライトサイクル
項目
記号
HM6264B-8L
HM6264B-10L
単位
注
ライトサイクル時間
t WC
Min
85
Max
—
Min
100
Max
—
ns
チップ選択時間
t CW
75
—
80
—
ns
2
アドレスセットアップ時間
t AS
0
—
0
—
ns
3
アドレス有効時間
t AW
75
—
80
—
ns
ライトパルス幅
t WP
55
—
60
—
ns
1, 6
アドレス保持時間
t WR
0
—
0
—
ns
4
WE・出力フローティング
t WHZ
0
30
0
35
ns
5
入力データセット時間
t DW
40
—
40
—
ns
入力データ保持時間
t DH
0
—
0
—
ns
WE・出力セット時間
t OW
5
—
5
—
ns
出力ディスエイブル・出力フローティング
t OHZ
0
30
0
35
ns
5
【注】 1. 書き込みは，CS1 がロウ，CS2 がハイ，WE がハイのオーバーラップ中（t WP）に行われます。書
き込み開始は，CS1 のロウ遷移，CS2 のハイ遷移，WE のロウ遷移のうち，最も遅い遷移点で始
まります。書き込み終了は CS1 のハイ遷移，CS2 のロウ遷移，WE のハイ遷移のうち，最も早い
遷移点で終わります。t WP は，書き込み開始から書き込み終了までの時間で規定されます。
2. t CW は，CS1 のロウ遷移と CS2 のハイ遷移の遅い方から書き込み終了までの時間で規定されます。
3. t AS は，アドレス変化から書き込み開始までの時間で規定されます。
4. t W R は，WE または CS 1 のハイ遷移，あるいは CS 2 のロウ遷移のいずれか最も早い遷移から書き
込みサイクルの終りで規定されます。
5. I / O 端子が出力状態にある間，出力と逆位相の入力信号を印加してはなりません。
6. OE ロウ固定の書き込みサイクルでは，t W P はデータの競合を避けるため，次式を満足する必要が
あります。
t WP≧t DW（min）+ t WHZ（max）
9
HM6264B シリーズ
ライトタイミング波形（1）（OE クロック）
tWC
Address
Valid address
OE
tCW
tWR
CS1
*1
CS2
tAW
tAS
tWP
WE
tOHZ
Dout
Din
tDW
High Impedance
High Impedance
tDH
Valid data
【注】 1. CS 1 のロウ遷移，あるいは CS 2 のハイ遷移が WE のロウ遷移と同じ，あるいは WE のロウ遷移
後に生じる場合，出力はハイインピーダンス状態にとどまります。
10
HM6264B シリーズ
ライトタイミング波形（2）（OE ロウ固定）
tWC
Address
Valid address
tAW
tWR
tCW
CS1
*1
CS2
tWP
WE
tAS
tOH
tOW
tWHZ
*2
Dout
tDW
*3
tDH
*4
Din
High Impedance
Valid data
【注】 1. CS 1 のロウ遷移，あるいは CS 2 のハイ遷移が WE のロウ遷移と同じ，あるいは WE のロウ遷移
後に生じる場合，出力はハイインピーダンス状態にとどまります。
2. Dout は，このライトサイクル書き込みデータと同位相です。
3. Dout は，次のアドレスの読み出しデータです。
4. この期間中，CS1 がロウ，CS2 がハイの場合，I / O 端子は出力状態になります。このとき，出力
に対して逆位相のデータ入力信号を印加してはなりません。
11
HM6264B シリーズ
低電源電圧時データ保持特性
（Ta = 0∼+70°C）
記号
Min
Typ* 1
Max
単位
データ保持電源電圧
VDR
2.0
—
—
V
データ保持電流
I CCDR
—
1* 1
25* 2
µA
項目
測定条件* 4
CS1≧VCC – 0.2V，
CS2≧VCC – 0.2V or CS2≦0.2V
VCC = 3.0V，0V≦Vin≦VCC，
CS1≧VCC – 0.2V，
CS2≧VCC – 0.2V or
0V≦CS2≦0.2V
チップセレクトデータ保持時間
動作回復時間
t CDR
0
—
—
ns
tR
t RC* 3
—
—
ns
データ保持波形参照
【注】 1. Ta = 25°C における参考値。
2. Ta = 0∼40°C の場合，10µA max。
3. t RC = リードサイクル時間。
4. CS 2 はアドレスバッファ，WE バッファ，CS 1 バッファ，OE バッファ，Din バッファを制御し
ます。CS2 がデータ保持モードを制御する場合，Vin レベル（アドレス，WE，CS1，OE，I / O）
は高インピーダンス状態にしてもかまいません。CS1 がデータ保持モードを制御する場合，CS2
は CS2≧VCC – 0.2V または 0V≦CS2≦0.2V でなければなりません。他の入力レベル（アドレス，
WE，OE，I / O）は，高インピーダンス状態にしてもかまいません。
低電源電圧時データ保持タイミング波形（1）（CS1 コントロール）
tCDR
Data retention mode
VCC
4.5 V
2.2 V
VDR
CS1
0V
12
CS1 ≥ VCC – 0.2 V
tR
HM6264B シリーズ
低電源電圧時データ保持タイミング波形（2）（CS2 コントロール）
Data retention mode
VCC
4.5 V
tCDR
tR
CS2
VDR
0.4 V
CS2 ≤ 0.2 V
0V
13
HM6264B シリーズ
外形寸法図
HM6264BLP シリーズ（DP-28）
Unit: mm
35.6
36.5 Max
15
13.4
14.6 Max
28
14
1.2
2.54 ± 0.25
0.48 ± 0.10
0.51 Min
1.9 Max
15.24
2.54 Min 5.70 Max
1
+ 0.11
0.25 – 0.05
0° – 15°
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight (reference value)
DP-28
—
Conforms
4.6 g
（次頁へ続く）
14
HM6264B シリーズ
HM6264BLSP シリーズ（DP-28N）
Unit: mm
36.00
6.60
15
14
0.48 ± 0.10
0.51 Min
2.20 Max
2.54 ± 0.25
7.62
5.08 Max
1.30
2.54 Min
1
7.0 Max
37.32 Max
28
+ 0.11
0.25 – 0.05
0° – 15°
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight (reference value)
DP-28N
—
Conforms
2.04 g
（次頁へ続く）
15
HM6264B シリーズ
HM6264BLFP シリーズ（FP-28DA）
Unit: mm
18.00
18.75 Max
15
14
1.27
0.15
0.40 ± 0.08
0.38 ± 0.06
11.80 ± 0.30
1.70
0° – 8°
1.00 ± 0.20
0.20 M
Dimension including the plating thickness
Base material dimension
16
0.15
0.20 +– 0.10
1.12 Max
0.17 ± 0.05
0.15 ± 0.04
1
3.00 Max
8.40
28
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight (reference value)
FP-28DA
Conforms
Conforms
0.82 g
HM6264B シリーズ
1. 本資料に記載された製品及び製品の仕様は，予告なく変更されることがあります。
2. 本資料に記載された内容は，正確かつ信頼し得るものであります。ただし，これら記載された情報，製品
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3 . 本資料によって第三者または( 株)日立製作所の特許権その他権利の実施権を許諾するものではありませ
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4. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。
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関連の医療機器用として日立半導体の採用をお考えのお客様は，当社営業窓口へお客様にてシステム設計
上の対策をして頂けるかを是非ご連絡頂きますようお願い致します。
半導体事業部〒100 東京都千代田区大手町二丁目6番2号（日本ビル）(03) 3270-2111(大代)
北海道支社
東
北
支
社
電機システム統括営業本部
新
潟
支
店
電子統括営業本部
特販第二部
松本電子営業所
高崎電子営業所
横
浜
支
社
(011) 261-3131 (代)
(022) 223-0121 (代)
県
川
央
支
崎営業
店 (0462) 96-6800 (代)
所 (044) 246-1501 (代)
(03) 3258-1111
(025) 241-8161
(03) 3270-2111
(0292) 24-7621
(0263) 36-6632
(0273) 25-2161
(045) 451-5000
沼
金
中
関
中
四
九
津営業
沢
支
部
支
西
支
国
支
国
支
州
支
所
店
社
社
社
社
社
(代)
(代)
(代)
(代)
(0559) 51-3530 (代)
ダイヤル
(076)263-2352 ( イン )
(052) 243-3111 (代)
(06) 616-1111 (大代)
(082) 223-4111 (代)
(0878) 31-2111 (代)
(092) 852-1111 (代)
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17

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