2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 トランジスタ 中電力増幅用 (80V, 1A) 2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 z外形寸法図 (Unit : mm) 2SD1898 1.5 +0.2 −0.1 2.5+0.2 −0.1 4.0±0.3 0.5±0.1 4.5+0.2 −0.1 1.6±0.1 (1) 1.0±0.2 z特長 1) VCEO が高い。VCEO=80V 2) IC が大きい。IC=1A (DC) 3) hFE のリニアリティが良い。 4) VCE (sat)が低い。 5) 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181 とコンプリである。 0.4±0.1 1.5±0.1 (2) (3) 0.5±0.1 +0.1 0.4−0.05 0.4±0.1 1.5±0.1 3.0±0.2 標印記号 : DF 2SD1733 2SD1768S 0.65±0.1 0.75 2±0.2 3Min. 3±0.2 (15Min.) 9.5±0.5 0.5±0.1 2.5 0.9 2.3+−0.2 0.1 C0.5 1.5 1.5±0.3 4±0.2 6.5±0.2 5.1+−0.2 0.1 5.5+−0.3 0.1 0.45+0.15 −0.05 0.9 0.55±0.1 2.3±0.2 2.3±0.2 1.0±0.2 5 2.5 +0.4 −0.1 0.5 +0.15 0.45 −0.05 (1) (2) (3) (1) (2) (3) テーピング仕様です。 ROHM : CPT3 EIAJ : SC-63 (1) Base (2) Collector (3) Emitter ROHM : SPT EIAJ : SC-72 (1) Emitter (2) Collector (3) Base 2SD1863 2.5±0.2 4.4±0.2 0.9 6.8±0.2 0.65Max. 0.5±0.1 (1) (2) 14.5±0.5 1.0 z構造 エピタキシャルプレーナ形 NPN シリコントランジスタ (1) Base (2) Collector (3) Emitter ROHM : MPT3 EIAJ : SC-62 (3) 2.54 2.54 1.05 0.45±0.1 テーピング仕様です。 ROHM : ATV (1) Emitter (2) Collector (3) Base 1/4 2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 トランジスタ z絶対最大定格 (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Unit コレクタ・ベース間電圧 VCBO 100 V コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 80 V エミッタ・ベース間電圧 VEBO 5 V コレクタ電流 1 IC A (DC) A (Pulse) ∗1 2 2SD1898 コレクタ損失 2SD1733 PC 2SD1768S 2SD1863 接合部温度 保存温度範囲 0.5 W 2 W ∗3 1 W 10 W (Tc=25°C) 0.3 W 1 W ∗2 Tj 150 °C Tstg −55~+150 °C ∗1 Pw=20ms, duty=1 / 2 ∗2 プリント基板 : 厚み 1.7mm、コレクタ部分の銅箔面積 1cm2 以上 ∗3 40×40×0.7mm のセラミック基板使用時 z電気的特性 (Ta=25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit コレクタ・ベース降伏電圧 BVCBO 100 − − V IC=50µA コレクタ・エミッタ降伏電圧 BVCEO 80 − − V IC=1mA エミッタ・ベース降伏電圧 Conditions BVEBO 5 − − V IE=50µA コレクタしゃ断電流 ICBO − − 1 µA VCB=80V エミッタしゃ断電流 IEBO VEB=4V 2SD1863 直流電流増幅率 2SD1733, 2SD1898 利得帯域幅積 コレクタ出力容量 − 1 µA − 390 − 82 − 390 − 120 − 390 − VCE(sat) − 0.15 0.4 V fT − 100 − MHz Cob − 20 − pF hFE 2SD1768S コレクタ・エミッタ飽和電圧 − 180 VCE=3V, IC=0.5A ∗ IC/IB=500mA/20mA VCE=10V, IE=−50mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0A, f=1MHz ∗ パルス測定 2/4 2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 トランジスタ z包装仕様及び hFE 包装名 Type hFE テーピング 記号 T100 TL TP TV2 基本発注単位 (個) 1000 2500 5000 2500 − − − − − 2SD1898 PQR 2SD1733 PQR − 2SD1768S QR − − 2SD1863 R − − − − hFE の値により下表のように分類します。 Item P Q R hFE 82~180 120~270 180~390 z電気的特性曲線 10 1 5mA 0.8 3mA 2mA 0.4 1mA 1000 VCE=3V 1V 100 0.2 0 0 2 4 6 IB=0mA 10 8 0 0 10 100 1000 BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V) COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 Fig.2 エミッタ接地出力静特性 Fig.3 直流電流増幅率 −コレクタ電流特性 2.0 1.0 0.5 0.2 IC/IB=20/1 10/1 0.05 0.02 10 100 1000 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.4 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 Ta=25˚C VCE=5V 500 200 100 50 20 10 5 2 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 EMITTER CURRENT : −IE (mA) Fig.5 利得帯域幅積 −エミッタ電流特性 1000 COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF) EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib (pF) Ta=25˚C TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V) 4mA 0.6 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.01 0 6mA 1.0 DC CURRENT GAIN : hFE 100 0.1 Ta=25˚C Ta=25˚C Ta=25˚C VCE=5V COLLECTOR CURRENT : IC (A) COLLECTOR CURRENT : IC (mA) 1000 Ta=25˚C f=1MHz IE=0A Ic=0A 100 10 1 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V) EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V) Fig.6 コレクタ出力容量 −コレクタ・ベース間電圧特性 エミッタ入力容量 −エミッタ・ベース間電圧特性 3/4 2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 トランジスタ 2 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) Fig.7 安全動作領域 (2SD1863) S 5 10 20 50100 200 5001000 200m m 2m 1m 0.1 0.2 0.5 1 2 DC S 0m 5m 1 500m 0 =1 10m 2 Ic Max (Pulse) 0 =1 20m Ta=25˚C Single non-repetitive pulse 5 Pw 100m 50m 10 Pw S 200m Ta=25˚C Single non-repetitive pulse S 0m 0m 10 500m =1 DC = Pw 1 Ic Max (Pulse) Pw COLLECTOR CURRENT : IC (A) 5 COLLECTOR CURRENT : IC (A) 10 100m 50m 20m 10m 5m 2m 1m 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50100200 5001000 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V) Fig.8 安全動作領域 (2SD1898) 4/4
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