電力増幅用（50V、3A）

2SD1760 / 2SD1864
トランジスタ
電力増幅用（
電力増幅用（50V、3A）
2SD1760 / 2SD1864
!特長
!外形寸法図
特長　外形寸法図（Unit：:mm）
特長
外形寸法図
1) VCE(sat)が低い。
2SD1760
VCE(sat)＝0.5V(Typ.)
(IC / IB＝2A / 0.2A)
2.3＋0.2
6.5±0.2
2) 2SB1184 / 2SB1243 とコンプリで
−0.1
C0.5
5.1＋0.2
0.5±0.1
−0.1
ある。
2SD1864
0.65Max.
0.9
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
0.5±0.1
1.0±0.2
(1)
(2)
2.54 2.54
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
!絶対最大定格
絶対最大定格（Ta＝25°C）
絶対最大定格
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
60
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
50
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
5
V
Parameter
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度範囲
IC
2SD1760
2SD1864
3
A
（DC）
4.5
PC
15
1
A
（Pulse）＊1
W
（Tc＝25℃）＊2
W
Tj
150
℃
Tstg
−55∼＋150
℃
＊1 Single pulse Pw＝100ms
＊2 プリント基板：厚み1.7mm、コレクタ部分の銅箔面積1cm2以上
4.4±0.2
(3)
(1) (2) (3)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
14.5±0.5
1.0
9.5±0.5
2.5
1.5
0.9
0.65±0.1
0.75
0.9
1.5±0.3
5.5＋0.3
−0.1
!構造
エピタキシャルプレーナ形
NPN シリコントランジスタ
2.5±0.2
6.8±0.2
ROHM : ATV
1.05
0.45±0.1
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
2SD1760 / 2SD1864
トランジスタ
!電気的特性
電気的特性（Ta＝25°C）
電気的特性
Symbol
Min.
Typ.
Max.
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
60
─
─
V
IC＝50μA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
50
─
─
V
IC＝1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
Parameter
Unit
Conditions
BVEBO
5
─
─
V
IE＝50μA
コレクタしゃ断電流
ICBO
─
─
1
μA
VCB＝40V
エミッタしゃ断電流
IEBO
─
─
1
μA
VEB＝4V
VCE（sat）
─
0.5
1
V
IC/IB＝2A/0.2A
＊
hFE
82
─
390
─
VCE＝3V, IC＝0.5A
＊
fT
─
90
─
MHz
Cob
─
40
─
pF
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
VCE＝5V, IE＝−500mA, f＝30MHz ＊
VCB＝10V, IE＝0A, f＝1MHz
＊パルス測定
!包装仕様及
包装仕様及 hFE
包装名
hFE の値により下表のように分類します。
テーピング
TL
TV2
Item
P
Q
R
2500
2500
hFE
82∼180
120∼270
180∼390
PQR
⃝
─
PQR
─
⃝
記号
Type
hFE
2SD1760
2SD1864
基本発注単位（個）
!電気的特性曲線
電気的特性曲線
3.0
VCE＝3V
COLLECTOR CURRENT : IC（A）
COLLECTOR CURRENT : IC（A）
5
2
Ta＝100℃
25
−25℃
1
0.5
0.2
0.1
0.05
45mA
2.5
3.0
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
Ta＝25℃
50mA
COLLECTOR CURRENT : IC（A）
10
2.0
15mA
1.5
10mA
1.0
5mA
0.5
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
2.5
2.0
Ta＝25℃
20mA
15mA
1.5
10mA
1.0
IB＝5mA
0.5
PC＝15W
0.02
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
BASE
TO
EMITTER
1
VOLTAGE : VBE（V）
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
2
3
4
0
0
5
DC CURRENT GAIN : hFE
VCE＝5V
100
50
3V
20
10
5
2
COLLECTOR
1
2
CURRENT : IC（A）
5
10
30
40
50
Fig.2 エミッタ接地出力静特性（Ⅰ）
Fig.3 エミッタ接地出力静特性（Ⅱ）
VCE＝3V
200
Ta＝100℃
100
50
25℃
−25℃
20
10
5
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
20
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE（V）
500
200
10
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE（V）
1000
Ta＝25℃
500
DC CURRENT GAIN : hFE
IB＝0mA
0
0
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
COLLECTOR
0.5
1
2
5
10
CURRENT : IC（A）
Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性（Ⅰ） Fig.5 直流電流増幅率−コレクタ電流特性（Ⅱ）
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE（sat）（V）
0.01
0
10
Ta＝25℃
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
IC/IB＝50
20
10
0.02
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
COLLECTOR
0.5
1
2
5
10
CURRENT : IC（A）
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 2SD1760 / 2SD1864
100℃
VBE（sat）
25℃
0.2
0.1
Ta＝100℃
−25℃
0.05
0.02
25℃
VCE（sat）
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
200
100
50
20
10
5
2
1
10
1
0.1
0.05
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE : Rth（℃/W）
0.02 Ta＝25℃
＊Single pulse
0.01
0.1 0.2 0.5 1
2
5
10 20
50 100
10
1
0.1
1
10
100
1Sec 10Sec 100Sec
TIME : T（mSec）
Fig.10 安全動作領域
（2SD1760）
Fig.11 過渡熱抵抗
（2SD1760）
10
1
1
10
100
1
10Sec 100Sec 1000Sec
TIME : T（mSec）
Fig.13 過渡熱抵抗
(2SD1864)
500 1000
100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE（V）
100
0.1
50 100 200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10
20
50 100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB（V）
Fig.9 コレクタ出力容量
−コレクタ・ベ−ス間電圧特性
Fig.8 利得帯域幅積−エミッタ電流特性
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE : Rth（℃/W）
DC
0.2
20
200
1
DC
＊
CURRENT : IC（A）
＊
ms
100
0.5
ms
＝
COLLECTOR
PW
10
＝
1
10
Ta＝25℃
f＝1MHz
IE＝0A
500
c
Se
0m
ec
=1
mS
Pw
00
=1
Pw
PW
2
5
1000
EMITTER CURRENT : −IE（mA）
COLLECTOR CURRENT : IC（A）
Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧−コレクタ電流特性
ベース・エミッタ間飽和電圧−コレクタ電流特性
2
CURRENT : IC（A）
0.5
Ta＝−25℃
Ta＝25℃
VCE＝5V
500
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob（pF）
FREQUENCY : fT（MHz）
2
1
1000
lC/lB＝10
5
COLLECTOR
10
TRANSITION
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE（sat）
（V）
BASE SATURATION VOLTAGE
: VBE（sat）
（V）
トランジスタ
0.5
0.2
0.1
0.05 Ta=25℃
Single
nonrepetitive
0.02 pulse
0.2 0.5 1
2
5
10
20
50 100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE（V）
Fig.12 安全動作領域
（2SD1864）

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