高周波増幅、RF スイッチ用 (6V, 50mA)

2SC4774 / 2SC4713K
トランジスタ
高周波増幅、RF スイッチ用 (6V, 50mA)
2SC4774 / 2SC4713K
z外形寸法図 (Unit : mm)
z特長
1) 出力オン抵抗 Ron が極めて小さい。
2) 容量が小さい。
2SC4774
2.0
0.9
(3)
Symbol
Limits
Unit
VCBO
VCEO
12
6
3
50
0.2
150
−55~+150
V
V
V
mA
W
°C
°C
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
2SC4774
2SC4713K
パッケージ名
hFE
UMT3
S
BM∗
SMT3
S
各端子とも同寸法
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
2.9
BM∗
T146
3000
1.1
0.4
0.8
(3)
FE
1.6
2.8
(2)
(1)
0.95 0.95
0.15
1.9
0.3Min.
∗はh
0.15
1.3
2SC4713K
Type
T106
3000
2.1
0.65 0.65
z包装仕様及びhFE
標印
包装記号
基本発注単位
(1)
(2)
0.1Min.
Parameter
1.25
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度範囲
0.7
0.2
0.3
各端子とも同寸法
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
BVCBO
BVCEO
12
6
3
−
−
−
−
−
−
V
V
V
IC=10µA
IC=1mA
0.5
0.5
0.3
µA
µA
V
VCB=10V
VCE(sat)
−
−
−
560
−
1.7
−
MHz
pF
−
Ω
BVEBO
hFE
270
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
fT
Cob
300
−
−
−
−
−
800
1
出力オン抵抗
Ron
−
2
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
ICBO
IEBO
Conditions
IE=10µA
VEB=2V
IC/IB=10mA/1mA
VCE/IC=5V/5mA
VCE=5V, IE= −10mA, f=200MHz
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
IB=3mA, VI=100mVrms, f=500kHz
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがありますので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてく
ださい。
Rev.B
1/2
2SC4774 / 2SC4713K
トランジスタ
z電気的特性曲線
20mA
6
15mA
4
10mA
5mA
2
0
0
1
2
20
10
0
0
0.1
0.2
IB=0mA
0.4
0.5
0.3
25°C
−25°C
125°C
mA
0.1mA
VCE=5V
40
30
20
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.1 エミッタ接地出力静特性 ( Ι )
Fig.2 エミッタ接地出力静特性 ( ΙΙ )
Fig.3 エミッタ接地伝達静特性
200
100
50
20
0.5
1
2
5
10 20
50
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT : fT (MHz)
500
2000
1000
Ta=25°C
VCE=5V
10
0.1 0.2
Ta=25°C
IC/IB=10
500
200
100
50
20
10
5
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
500
200
100
50
20
0.1 0.2
50
2
1
0.5
0.2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.7 コレクタ出力容量−電圧特性
2
5
10 20
50
50
Ta=25°C
f=500kHz
υi=100mVrms
RL=1kΩ
Ta=25°C
f=1MHz
10
ON RESISTANE : Ron (Ω)
OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
5
1
Fig.6 利益帯域幅積−コレクタ電流特性
20
Ta=25°C
f=1MHz
0.5
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.5 コレクタ・エミッタ飽和電圧
−コレクタ電流特性
20
10
Ta=25°C
VCE=5V
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性
FEEDBACK CAPACITIANCE : Cre (pF)
0.2mA
30
IB=0µA
4
5
3
1000
DC CURRENT TRANSFER RATIO : hFE
40
50
0.3mA
1 .0
25mA
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
30mA
8
mA
A
0.5 0.4m
Ta=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
50
35mA
Ta=25°C
COLLECTER SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mA)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
10
5
2
1
0.5
20
10
5
2
0.2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.8 帰還容量−電圧特性
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
BASS CURRENT : IB (mA)
Fig.9 出力オン抵抗−ベース電流特性
Rev.B
2/2
50
Appendix
AV
OA
ROHM Customer Support System
www.rohm.co.jp
Copyright © 2007 ROHM CO.,LTD.
webmaster@ rohm.co. jp
〒615-8585 京都市右京区西院溝崎町21
TEL:(075)311-2121
FAX:(075)315-0172
Appendix1-Rev3.1