2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
トランジスタ
中電力増幅用 (32V, 2A)
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
!外形寸法図（Units
: mm）
外形寸法図
2SD1758
1.0±0.2
(2)
(3)
0.1
0.4 +
−0.05
0.5±0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
標印略記号 : DB∗
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1862
2.5±0.2
4.4±0.2
0.9
0.5±0.1
(1)
(2)
14.5±0.5
1.0
0.65Max.
(3)
2.54 2.54
1.05
ROHM : ATV
0.45±0.1
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
∗は hFE
!絶対最大定格（Ta=25°C）
絶対最大定格
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
Parameter
VCBO
40
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
32
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
5
V
2
A (DC)
コレクタ電流
IC
0.5
2SD1766
コレクタ損失
2SD1758
PC
保存温度範囲
2
10
A (Pulse) ∗1
W
W
Tj
150
°C
Tstg
−55~+150
°C
∗1 Single pulse, PW=20ms
∗2 40×40×0.7mmのセラミック基板使用時
∗3 プリント板 : 厚み1.7mm、コレクタ部分の銅箔面積1cm2以上
∗2
W (TC=25°C)
1
2SD1862
接合部温度
2.5
2.3+0.2
−0.1
0.5±0.1
0.9
2.3±0.2
0.55±0.1
1.0±0.2
(1) (2) (3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
6.8±0.2
0.65±0.1
0.75
2.3±0.2
3.0±0.2
C0.5
9.5±0.5
5.5+0.3
−0.1
(1)
!構造
エピタキシャルプレーナ形
NPN シリコントランジスタ
6.5±0.2
5.1+0.2
−0.1
1.5
1.5±0.3
0.2
1.5 +
−0.1
1.6±0.1
2.5 +0.2
−0.1
4.0±0.3
0.5±0.1
0.2
4.5+
−0.1
2.5
2SD1766
0.9
!特長
1) VCE(sat)が低い。
VCE(sat) = 0.16V (Typ.)
(IC / IB = 2A / 0.2A)
2) 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 と
コンプリである。
∗3
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
トランジスタ
!電気的特性（Ta=25°C）
電気的特性
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
Parameter
BVCBO
40
−
−
V
IC=50µA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
32
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
5
−
−
V
IE=50µA
コレクタしゃ断電流
ICBO
−
−
1
µA
VCB=20V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
1
µA
VEB=4V
82
−
390
直流電流増幅率
2SD1766, 2SD1758
2SD1862
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
hFE
Conditions
∗
−
VCE=3V, IC=0.5A
IC/IB=2A/0.2A
∗
VCE=5V, IE=−50mA, f=100MHz
∗
120
−
390
VCE(sat)
−
0.5
0.8
V
fT
−
100
−
MHz
Cob
−
30
−
pF
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
∗ パルス測定
!包装仕様及び hFE
包装名
テーピング
記号
T100
TL
TV2
基本発注単位 (個)
1000
2500
2500
−
−
Type
hFE
2SD1766
PQR
2SD1758
PQR
−
2SD1862
QR
−
−
−
hFE の値により下表のように分類します。
Item
P
Q
R
hFE
82~180
120~270
180~390
!電気的特性曲線
500
200
100
50
20
10
5
Ta=25°C
Ta=25°C
2.7mA
3.0mA
500
2.4mA
0.4
DC CURRENT GAIN : hFE
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
1000
Ta=25°C
VCE=3V
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
0.5
2000
2.1mA
1.8mA
0.3
1.5mA
1.2mA
0.2
0.9mA
0.6mA
0.1
200
VCE=3V
1V
100
50
0.3mA
2
1
0
IB=0A
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
20
5
10 20
50 100 200
500 1A 2A
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
Fig.2 エミッタ接地出力静特性
Fig.3 直流電流増幅率
−コレクタ電流特性
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Ta=25°C
500
200
100
IC/IB=50
50
20
5
10
10 20
IC/IB=10
0.5
0.2
0.1
5
50 100 200 500 1A 2A
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
EMITTER INPUT CAPACITANCE
: Cib (pF)
100
Cob
20
0.5
1
2
5
10
20
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB (V)
Fig.7 コレクタ出力容量
−コレクタ・ベース間電圧特性
エミッタ入力容量
−エミッタ・ベース間電圧特性
3
0
=1
s
0m
=1
s
PW
0m
PW
Ic Max
Ic Max Pulse
0.5
DC
0.2
0.1
0.05 Ta=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
0.2 0.5
1
2
5
10
20
50
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.10 安全動作領域
(2SD1862)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Cib
200
50
200
100
50
20
−1
500 1A 2A
-2
1
0.2
−50 −100−200 −500 −1A
Fig.6 利得帯域幅積−エミッタ電流特性
5
2
0.5
−5 −10 −20
EMITTER CURRENT : IE (mA)
5
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
500
1
50 100 200
Fig.5 ベース・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
1000
2
10 20
Ta=25°C
VCE=5V
500
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.4 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
1
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
10
Ta=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
20
1000
2
TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz)
BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (V)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV)
トランジスタ
PW=10ms∗
100ms∗
DC
0.1
0.05 Ta=25°C
∗Single
0.02 nonrepetitive
pulse
0.01
0.5 1
0.1 0.2
2
1
0.2
0.1
0.05
0.02
2
5
10
20
50
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.8 安全動作領域
(2SD1766)
PW=100ms∗
0.5
TC=25°C
∗Single
nonrepetitive
pulse
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.9 安全動作領域
(2SD1758)

電力増幅用（50V、3A）

中電力増幅用 (80V, 1A)

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