現在のSVX-II（内側3層）

Run2bシリコン検出器
L0~L5: R=2.1~16.6 cm
現在のSVX-II（内側３層）は
放射線損傷によりRun2b中に
著しく性能が劣化する
Run2bシリコン検出器
（５ｃｍ幅ｘ６０ｃｍ長さ）
日本の分担：
1512 outer axial sensors
648 outer stereo sensors
冷却パイプ、ハイブリッドを一体化した同一形状のStave （144 inner axial sensors）
構造を採用する(L1~L5) ことで、製造期間の短縮を図る L0用超微細信号ケーブル
Outer Axial/Stereo Si センサーの試作
浜松ホトニクス社で試作
I-V特性：
（右上）全60台
（右下）全53台
殆どが1000VまでOK
Stereo Prototype (53)
T=25-27degC
10.00
#10
Leak Current (uA)
電気的特性
機械的特性
放射線照射後の特性
を評価した。
いずれも優れている
#48
1.00
0.10
0.01
0
200
400
600
800
1000
Bias Voltage (V)
試作センサーの性能評価結果（例）
S068
ストリップの欠陥をaxial/stereo各18台ずつ
測定し、浜松の結果と比較した。
frequency = 400 Hz
Ccp (pF) /R (×10k ） /Icp (×0.1nA)
250
200
• 浜松の欠陥はすべて検知され理解できた。
150
• 浜松では、readout implantの切断を検知
できないことが分った。
100
50
0
-256 -192 -128 -64
0
64
Ccp
R
Icp
128 192 256
欠陥率が極めて低い（<0.01%)た
め見過ごしても問題ないと合意した。
strip
n irradiation
ー２
1/C(nF)2
全容量（ｎF)
0.8
0.7
001
0.6
0.5
002
0.4
T= -25degC
f=100 Hz
0.3
0.2
0.1
0.0
0
100
Bias Voltage (V)
0.7x1014 /cm2 の中性子照射（L0で15fb-1相
当)
• 全空乏化電圧は約50Vで予想と一致した。
• 全空乏化電圧より高いバイアス(~250V) を
与えないと、ストリップ間抵抗や容量は適正
にならない。
高耐圧センサーは、照射後も十分な
電気的特性を発揮できる。
200

Download Report