n/Mitarbeiter/-in / Ingenieur

Stellenausschreibung
Das
Ferdinand-Braun-Institut,
Leibniz-Institut
für
Höchstfrequenztechnik
im
Forschungsverbund Berlin e.V. (FBH) wird von der Gemeinschaft der Länder und der
Bundesrepublik Deutschland gemeinsam getragen. Es ist eines der international führenden
Forschungsinstitute
auf
den
Gebieten
Hochleistungsdiodenlaser
sowie
Mikrowellenkomponenten und -systeme für vielfältige Anwendungen in Kommunikation,
Verkehrs- und Produktionstechnik, Medizin und Biotechnologie. Das Institut verfügt über
Reinsträume und modernstes Equipment für Design, Epitaxie, Prozessierung und
Charakterisierung der Bauelemente auf Basis von III/V-Halbleitern. Weiteres unter: www.fbhberlin.de
Im Bereich des Joint Lab Power Electronics suchen wir für die Entwicklung von bidirektional
schaltenden GaN-Leistungstransistoren in Verbindung mit schnellen monolithisch
integrierten Treiberkonzepten eine/einen
wissenschaftliche/-n/Mitarbeiter/-in / Ingenieur/-in
Smart Power GaN Devices
Kennziffer 10/16
Die Arbeiten sollen im Rahmen eines Kooperationsprojekts zwischen dem Ferdinand-BraunInstitut und dem Institut für Energie- und Automatisierungstechnik, Fachgebiet
Leistungselektronik an der TU-Berlin durchgeführt werden. Es ist vorgesehen, die zu
entwickelnden GaN Bauelemente technologisch zu realisieren, sie im Anschluss daran
mittels eines geeigneten Ersatzschaltbildes zu beschreiben und schließlich komplette
monolithisch integrierte Treiberkonzepte zu entwerfen und technologisch umzusetzen.
Idealerweise sollten Sie ein Universitätsstudium mit Master oder Diplom in den Bereichen
Elektrotechnik, Physik oder Mikrosystemtechnik mit Schwerpunkt Halbleitertechnologie oder
Mikrowellenschaltungstechnik abgeschlossen haben. Von Ihnen wird sehr gutes
Grundlagenwissen zur Halbleiterschaltungstechnik und idealerweise auch zur
technologischen Realisierung von Halbleiterbauelementen und deren Herstellung erwartet.
Praktische Erfahrungen in der Simulation und Realisierung von Schaltungen und
Halbleiterbauelementen im Rahmen einer anwendungsorientierten und industrienahen
Forschung und Entwicklung sind wünschenswert. Teamfähigkeit und ein sicherer Umgang
mit zumindest der englischen Sprache werden vorausgesetzt. Ihnen wird gegebenenfalls
Gelegenheit zur Promotion gegeben.
Die Stelle kann zum nächstmöglichen Zeitpunkt besetzt werden und ist auf 2 Jahre
befristet. Die Vergütung erfolgt nach TVöD (Bund). Für weibliche und männliche Bewerber
besteht Chancengleichheit. Qualifizierte Frauen werden daher besonders aufgefordert, sich
zu bewerben. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.
Ihre Bewerbungen mit den üblichen Unterlagen senden Sie bitte zum 08.07.2016 unter
Angabe der entsprechenden Kennziffer an das
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Frau Nadine Möller (Nadine.Mö[email protected])
Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin
Job Opportunity
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) is part of the
Forschungsverbund Berlin e.V., and a member of the Leibniz Association of research
institutes in Germany. FBH is a public research institute with core funding by the German
Federal government and the state of Berlin. It is one of the world-leading institutes for applied
research on high-power diode lasers and microwave components & systems for
communication, traffic and manufacturing engineering, space technology, medicine and
biotechnology. The institute’s research facilities include a semiconductor processing
cleanroom and state-of-the-art equipment for design, epitaxy, processing and
characterization of electronic and optoelectronic components. For more details, visit:
www.fbh-berlin.de.
In frame of our Joint Lab Power Electronics, a cooperative activity between FBH and the
Technical University Berlin (TUB) we are expanding our research to GaN power transistors
with bi-directional switching capability combined with fast monolithically integrated driver
concepts.
We wish to appoint a
Research Staff Member / engineer
Smart Power GaN Devices
Reference 10/16
Your work will be organized in close cooperation between FBH and the Institute of Energy
and Automation Technology, Power Electronics division, at the TUB. It is foreseen to
technologically implement the GaN power devices, to describe them using lumped element
simulation and finally to develop and to realize corresponding monolithically integrated driver
circuits.
Ideally, applicants need to have a master or diploma degree in electrical engineering, physics
or microsystem technology with focus on semiconductor technology and circuit design. You
should provide over very good basic knowledge in semiconductor circuit design, ideally you
should also be aware of basic technological steps toward realizing semiconductor devices.
Practical experience in circuit simulation and realization as well as in simulating
semiconductor devices would be of advantage. Furthermore, you should be keen on actively
participating in strictly application oriented research work. The abilities to work in a scientific
team and to effectively communicate in English language at least are indispensable
conditions. If applicable you will get the opportunity to use this work for obtaining PhD
degree.
The position is available as soon as possible. Payment is according to TVöD (collective
labour agreement for German public service). The appointment is initially limited in time to 2
years. FBH is an equal opportunity employer. Female candidates are encouraged to apply.
Among equally qualified applicants preference will be given to handicapped candidates. We
actively assist foreign colleagues with their integration.
Please submit your application as soon as possible, but no later than July 8th, 2016
indicating the corresponding job number.
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Ms. Nadine Moeller ([email protected])
Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin

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