2.5V 駆動タイプ Pch MOSFET

RTF010P02
トランジスタ
2.5V 駆動タイプ Pch MOSFET
RTF010P02
z外形寸法図 (Unit : mm)
z構造
シリコン P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ
TUMT3
0.2Max.
z特長
1) 低オン抵抗 (570mΩ at 2.5V)
2) 小型 high power パッケージ
3) 高速スイッチング
4) 2.5V 駆動
(1) Gate
(2) Source
z用途
DC-DC コンバータ
z内部回路図
z包装仕様
包装名
Type
標印略記号 : WQ
(3) Drain
記号
基本発注単位（個）
テーピング
(3)
TL
3000
RTF010P02
∗2
(1)
∗1
(2)
∗1 静電気保護用ダイオード
∗2 内部ダイオード
(1) ゲート
(2) ソース
(3) ドレイン
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
ソース電流（内部ダイオード）
パルス
全許容損失
チャネル部温度
保存温度
ドレイン電流
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1
IS
ISP ∗1
PD ∗2
Tch
Tstg
Limits
−20
±12
±1
±4
−0.4
−4
0.8
150
−55~+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
∗1 Pw≦10µs, Duty cycle≦1%
∗2 セラミック基板実装時
z熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間
Symbol
Limits
Unit
Rth(ch-a) ∗
156
°C / W
∗ セラミック基板実装時
Rev.C
1/4
RTF010P02
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
ゲート漏れ電流
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧
Symbol
IGSS
V(BR) DSS
IDSS
VGS (th)
∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量
Yfs ∗
Ciss
Coss
Crss
td (on) ∗
tr ∗
td (off) ∗
tf ∗
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗
Min.
−
−20
−
−0.7
−
−
−
0.7
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Typ.
−
−
−
−
280
310
570
−
150
20
20
9
8
25
10
2.1
0.5
0.5
Max.
±10
−
−1
−2.0
390
430
800
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Unit
µA
V
µA
V
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Conditions
VGS=±12V, VDS=0V
ID= −1mA, VGS=0V
VDS= −20V, VGS=0V
VDS= −10V, ID= −1mA
ID= −1A, VGS= −4.5V
ID= −1A, VGS= −4V
ID= −0.5A, VGS= −2.5V
VDS= −10V, ID= −0.5A
VDS= −10V
VGS=0V
f=1MHz
ID= −0.5A
VDD −15V
VGS= −4.5V
RL=30Ω
RG=10Ω
VDD −15V RL=15Ω
VGS= −4.5V RG=10Ω
ID= −1A
∗パルス
z内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25°C)
Parameter
順方向電圧
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
VSD
−
−
−1.2
V
Conditions
IS= −0.4A, VGS=0V
Rev.C
2/4
RTF010P02
トランジスタ
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
Ta=25°C
Pulsed
VGS= −2.5V
VGS= −4.0V
VGS= −4.5V
1000
100
0.01
0.1
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
VGS= −4V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1000
100
0.01
0.1
1
10
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
100
1
10
0.1
100
1
10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
10000
10
VGS= −2.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1000
100
0.01
0.1
1
10
VGS=0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1
0.1
0.01
0.0
10000
Ta=25°C
VDD= −15V
VGS= −4.5A
RG=10Ω
Pulsed
1000
tf
100
td (off)
td (on)
tr
10
1
0.01
0.1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : −VSD (V)
Crss
Coss
0.1
100
0.01
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
SWITCHING TIME : t (ns)
CAPACITANCE : C (pF)
10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
10
0.01
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1000
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
DRAIN CURRENT : −ID (A)
1000
VGS= −4.5V
Pulsed
DRAIN CURRENT : −ID (A)
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
10000
1
10000
REVERSE DRAIN CURRENT : −IS (A)
1
10000
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
VDS= −10V
Pulsed
10
Fig.6 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage
8
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
10
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
z電気的特性曲線
Ta=25°C
VDD= −15V
ID= −1A
RG=10Ω
Pulsed
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : −VDS (V)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.7 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Fig.8 Switching Characteristics
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
Rev.C
3/4
RTF010P02
トランジスタ
z測定回路図
Pulse Width
VGS
ID
VDS
VGS
10%
50%
90%
RL
D.U.T.
50%
10%
10%
RG
VDD
VDS
90%
td(on)
90%
td(off)
tr
ton
Fig.10 スイッチング時間測定回路
tf
toff
Fig.11 スイッチング波形
VG
VGS
ID
VDS
RL
IG(Const.)
D.U.T.
Qg
VGS
Qgs
RG
Qgd
VDD
Charge
Fig.12 ゲート電荷量測定回路
Fig.13 ゲート電荷量波形
Rev.C
4/4
Appendix
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Appendix1-Rev2.0

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