2.5V 駆動タイプ Pch MOSFET

RTF020P02
トランジスタ
2.5V 駆動タイプ Pch MOSFET
RTF020P02
z外形寸法図 (Unit : mm)
z構造
シリコン P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ
0.2Max.
TUMT3
z特長
1) 低オン抵抗 (120mΩ at 2.5V)
2) 小型 high power パッケージ
3) 高速スイッチング
4) 2.5V 駆動
(1) Gate
(2) Source
z用途
DC-DC コンバータ
z内部回路図
z包装仕様
包装名
Type
標印略記号 : WM
(3) Drain
記号
基本発注単位（個）
テーピング
(3)
TL
3000
RTF020P02
∗2
(1)
∗1
(2)
∗1 静電気保護用ダイオード
∗2 内部ダイオード
(1) ゲート
(2) ソース
(3) ドレイン
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
ソース電流（内部ダイオード）
パルス
全許容損失
チャネル部温度
保存温度
ドレイン電流
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1
IS
ISP ∗1
PD ∗2
Tch
Tstg
Limits
−20
±12
±2.0
±8
−0.6
−8
0.8
150
−55~+150
Symbol
Limits
Unit
Rth(ch-a) ∗
156
°C / W
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
∗1 Pw≦10µs, Duty cycle≦1%
∗2 セラミック基板実装時
z熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間
∗ セラミック基板実装時
Rev.C
1/4
RTF020P02
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
ゲート漏れ電流
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧
Symbol
IGSS
V(BR) DSS
IDSS
VGS (th)
∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量
Yfs ∗
Ciss
Coss
Crss
td (on) ∗
tr ∗
td (off) ∗
tf ∗
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗
Min.
−
−20
−
−0.7
−
−
−
2.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Typ.
−
−
−
−
60
65
120
−
640
110
85
12
15
40
12
7.0
1.6
2.0
Max.
±10
−
−1
−2.0
85
90
165
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Unit
µA
V
µA
V
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Conditions
VGS=±12V, VDS=0V
ID= −1mA, VGS=0V
VDS= −20V, VGS=0V
VDS= −10V, ID= −1mA
ID= −2A, VGS= −4.5V
ID= −2A, VGS= −4V
ID= −1A, VGS= −2.5V
VDS= −10V, ID= −1A
VDS= −10V
VGS=0V
f=1MHz
ID= −1A
VDD −15V
VGS= −4.5V
RL=15Ω
RG=10Ω
VDD −15V RL=7.5Ω
VGS= −4.5V RG=10Ω
ID= −2A
Unit
V
Conditions
IS= −0.6A, VGS=0V
∗パルス
z内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間) (Ta=25°C)
Parameter
順方向電圧
Symbol
VSD
Min.
−
Typ.
−
Max.
−1.2
Rev.C
2/4
RTF020P02
トランジスタ
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
Ta=25°C
Pulsed
VGS= −2.5V
VGS= −4.0V
VGS= −4.5V
100
10
0.1
1
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
VGS= −4V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
10
0.1
1
10
1000
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
10
0.1
10
1
100
10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
1000
10
VGS= −2.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
10
0.1
1
10
VGS=0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1
0.1
0.01
0.0
10000
Ta=25°C
VDD= −15V
VGS= −4.5A
RG=10Ω
Pulsed
1000
tf
td (off)
100
td (on)
10
tr
1
0.01
0.1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : −VSD (V)
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
SWITCHING TIME : t (ns)
CAPACITANCE : C (pF)
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
10
0.01
100
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
100
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
DRAIN CURRENT : −ID (A)
10000
VGS= −4.5V
Pulsed
DRAIN CURRENT : −ID (A)
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
1000
1000
REVERSE DRAIN CURRENT : −IS (A)
1
1000
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
VDS= −10V
Pulsed
10
Fig.6 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage
8
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
10
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
z電気的特性曲線
Ta=25°C
VDD= −15V
ID= −2A
RG=10Ω
Pulsed
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : −VDS (V)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.7 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Fig.8 Switching Characteristics
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
Rev.C
3/4
RTF020P02
トランジスタ
z測定回路図
Pulse Width
VGS
ID
VDS
VGS
10%
50%
90%
RL
D.U.T.
50%
10%
10%
RG
VDD
VDS
90%
td(on)
90%
td(off)
tr
ton
Fig.10 スイッチング時間測定回路
tf
toff
Fig.11 スイッチング波形
VG
VGS
ID
VDS
RL
IG(Const.)
D.U.T.
Qg
VGS
Qgs
RG
Qgd
VDD
Charge
Fig.12 ゲート電荷量測定回路
Fig.13 ゲート電荷量波形
Rev.C
4/4
Appendix
ご注意
● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
● 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を
必ずご請求のうえ、ご確認ください。
● 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な
動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を
考慮していただきますようお願いいたします。
● 本資料に記載されております製品の使用に関する応用回路例・情報・諸データは、あくまで一例を
示すものであり、これらの使用に起因する工場所有権に関する諸問題につきましては、弊社は一切
その責任を負いかねますのでご了承ください。
● 本資料に記載されております製品の販売に関し、その製品自体の使用・販売、その他の処分以外には
弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利に
ついて明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。
● 本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品
または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。
● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。
本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、
アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求され、その
製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、
原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前に弊社営業窓口まで
ご相談願います。
Appendix1-Rev2.0

Download Report