Stellenausschreibung 17 IOM 11-2015-2

Stellenausschreibung 17/IOM/11-2015
Das Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Leipzig beabsichtigt die Gründung einer
Nachwuchsforschergruppe zum Thema „Schalten mit Licht“. Dazu sind ab dem 01.01.2016 vier
Stellen mit
wissenschaftlichen Mitarbeitern (Doktoranden) (m/w)
auf folgenden Gebieten zu besetzen:
Stelle P1: Analytische Elektronenmikroskopie von Phasenwechselmaterialien
Stelle C1: Schalten von funktionalisierten Nanodiamanten mit Licht
Stelle P2: Optisch induziertes Schaltverhalten epitaktischer PhasenwechselmaterialSchichten
Stelle C2: Schalten von Molekülen in Hydrogelmaterialien
Gesucht werden exzellente und engagierte Bewerberinnen und Bewerber mit Master-Abschluss
(MSc) oder Diplom in den Bereichen Physik, Chemie oder Materialwissenschaften.
Die Arbeitsaufgaben sowie die Qualifikationsanforderungen für die einzelnen Stellen sind auf
der Webseite des IOM Leipzig unter
http://www.iom-leipzig.de/nachrichten-veranstaltungen-vorlesungen/stellenangebote/
zu finden.
Entgelt
Die Vergütung erfolgt bei diesen Stelle nach TV-Länder, Entgeltgruppe 13, befristet auf 3 Jahre.
Arbeitszeit
Die Arbeitszeit richtet sich nach den Bestimmungen des TV-L und beträgt bei diesen Stellen
20 h/Woche (1/2-Stelle).
Schwerbehinderte werden bei gesundheitlicher und fachlicher Eignung bevorzugt berücksichtigt.
Unsere Forschungseinrichtung legt Wert auf die berufliche Gleichstellung von Frauen und Männern und fordert deshalb qualifizierte Frauen nachdrücklich auf, sich zu bewerben. Die Vereinbarkeit von Beruf und Familie wird gezielt gefördert.
Eine schriftliche aussagekräftige Bewerbung senden Sie bitte
bis zum 03.12.2015 an das
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e. V.
Verwaltung
Permoserstraße 15
04318 Leipzig
[email protected]
ausgehangen: 17.11.2015
abgenommen 03.12.2015
Ausschreibungsdetails zu 17/IOM/11-2015
Nachwuchsforschergruppe „Schalten mit Licht“
Gesucht werden exzellente und engagierte Bewerber und Bewerberinnen mit MasterAbschluss (MSc) oder Diplom in den Bereichen Physik, Chemie oder Materialwissenschaften.
Es wird für alle Stellen Leistungsbereitschaft, Teamgeist und die Fähigkeit zu eigenständigen
wissenschaftlichen Arbeiten sowie gute englische Sprachkenntnisse erwartet. Programmierkenntnisse sind wünschenswert, aber nicht Einstellungsvoraussetzung
Arbeitsaufgaben und Qualifikationsanforderungen
Stelle P1: „Analytische Elektronenmikroskopie von Phasenwechselmaterialien“
In diesem Projekt sollen Strukturcharakterisierung und Analytik an mittels Pulslaserdeposition auf einem Substrat deponierte, dünne Schichten von Ge-Sb-Te basierten
Phasenwechselmaterialien durchgeführt werden. Besonderes Interesse gilt dabei der
Aufklärung der Realstruktur von dünnen Ge-Te-Sb Schichten und der Schicht/SubstratGrenzflächen auf atomarer Ebene. Dabei sollen die Korrelation zwischen dem
Schichtwachstum und dem optisch induzierten Schaltverhalten und der atomaren Struktur
der Schichten bzw. Grenzflächen aufgeklärt werden. Ebenfalls geplant sind in-situBeobachtungen der Phasenumwandlung von Ge-Sb-Te Materialien durch in-situ
Experimente im Elektronenmikroskop.
Vorkenntnisse in den Bereichen Elektronenmikroskopie, Festkörperphysik, Kristallographie,
sind von Vorteil.
Stelle C1: „Schalten von funktionalisierten Nanodiamanten mit Licht“
Im Projekt sollen Nanodiamanten (20-50nm) mittels Plasma- und Hochtemperaturchemie
funktionalisiert werden (H-, O-, F- und N-Terminierung). Reaktionen von funktionalisierten
Nanodiamanten in wässriger Lösung sollen mit Licht angeregt und zur Reaktion gebracht
werden (N2 und CO2-Fixierung, Reduktion). Transiente Exzitonen und Elektronen an
Oberflächen sowie ihre photokatalytische Wirkung sollen mit Ultrakurzzeit-Spektroskopie
(Pump-Probe-Spektroskopie) mechanistisch untersucht und mit theoretischen Modellen
verglichen werden.
Vorkenntnisse in den Bereichen (ultraschnelle) Spektroskopie, Photochemie,
Festkörperphysik, Elektrochemie an Grenzflächen, Lasertechnik und Optik sind von Vorteil.
Stelle P2: „Optisch induziertes Schaltverhalten epitaktischer PhasenwechselmaterialSchichten“
Bei den Arbeiten in diesem Teilprojekt geht es um die Vertiefung des Verständnisses des
epitaktischen Wachtums von Schichten aus dem Phasenwechselmaterial-System Ge‐Sb‐Te
auf Si-Substraten mittels gepulster Laserablation. Hierzu soll insbesondere in situ-Analytik
(z.B. Reflexionselektronenbeugung) im Depositionssystem installiert und genutzt werden.
Die elektrische Charakterisierung der Schichten erfordert die Entwicklung geeigneter
Lithographieschritte. Schließlich soll das optisch induzierte elektrische Schaltverhalten der
GST-Schichten auf der ps- und ns-Skala als Funktion unterschiedlicher Depositions-
parameter untersucht werden, um die zugrundliegenden Korrelationen zwischen den
Schichteigenschaften und dem Schaltverhalten aufzuklären.
Vorkenntnisse in den Bereichen Festkörperphysik, Dünnschichtdeposition und -analytik,
Vakuum- und Lasertechnik sind erwünscht.
Stelle C2: „Schalten von Molekülen in Hydrogelmaterialien“
In diesem Projekt sollen transparente Hydrogele durch Photopolymerisation erzeugt und
funktionale Moleküle eingebettet werden, die mittels Licht geschaltet werden können. Im
speziellen Fall sind die Moleküle Porphyrinderivate (sog. Triplett-Sensitizer), die nach
Lichtabsorption und den Übergang in einen Triplett-Zustand durch Energietransfer SingulettSauerstoff erzeugen, das zell-toxisch wirkt. Damit sollen transparente und funktionale
Hydrogele mit antibakteriellen Eigenschaften nach Lichtabsorption erzeugt werden. Eine
umfangreiche Charakterisierung der Materialien mittels Elektronenmikroskopie und UV/VisSpektroskopie sowie eine Aufklärung der Mechanismen und mikrobiologischen
Eigenschaften sind vorgesehen.
Vorkenntnisse in den Bereich Polymerchemie, Polymerphysik, Analytische Methoden und
Spektroskopie (z. B. UV/Vis, NMR, AFM) sind erwünscht.

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