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10. パルス磁場下における励起状態のスピン秩序(大阪大
学基礎工学部物性分野,修士論文アブストラクト(1981年
度))
柄木, 良友
物性研究 (1982), 38(3): 129-130
1982-06-20
http://hdl.handle.net/2433/90725
Right
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Departmental Bulletin Paper
publisher
Kyoto University
修 士論 文 ア ブ ス トラ ク ト
ろい ろな方法 で調 べ られ て いる 。 B濃度 が 1
7at%以下では α-Fe,正方晶 ・
Fe3B(Ni
3P型 )
7at%以上 では α-Feと正方臥 Fe3B がほぼ同時 に析 出 し, 25
の順 に 2段 階 に析 出す る0 1
Feは析 出 しな くなる 本研究 の 目的 は以上 の よ うな結 晶化 が圧力 によ
at% に近 くな ると α-_
。
りどのよ うに変化す るか を調 べるこ とにあ る。
実験 に用 いた試料 は液 体急冷法 によ り作製 され た比較的 B濃度 の低 い Fe-1
4at0
/
oB とB濃
度 の高 い _
Fe-25at0
/
oBであ る。実験 方 法は高圧下 で昇温速度 を一定 に して電気抵抗 を測定 し,
その結果 か ら結晶化温度 を決定 し, その圧力依存 性 を調 べた。また析 出 した結 晶相 に関 しては
i
n si
t
u及び大気圧下 での X線 回折法 によ り同定 した。
実験結果 による と ,
Fe-1
4atO
/
oBに関 して は 1
00kbar当 りまでは結 晶化 温 度 が圧力 ととも
に上昇 したが, 1
00kbar以上では下 が る傾向 を示 した。X線回折実験 による と 10〕kbarまで
は常圧下 と同 じよ うに α-Fe, 正方 晶 ・
Fe3B の順 に析 出 して きたが, 100kbar以上 では α-
l
Feは析 出せず,正方晶 Fe3B とγ一・
Feが析 出 した。一方, ・
Fe-25atO
/
oBに関 しては結 晶化
00kbar付近 ではあ ま り圧力 に依存 しない傾向 を示 した。 常 圧 下
温度 はや は り上昇 したが, 1
では正方晶 Fe3B とともに斜 方晶 Fe。B(Fe3C型 )が析 出 したが高 圧下では正方晶 ・
Fe3B L
か析 出 しなか った
。
以上 の結果 よ り高圧下 では結 晶化 が抑 制 され るこ と及 び析 出 して くる結 晶相 はよ り密 な相 の
方 が析 出 しやす くなることな どが結論 で きる。高圧下 で結晶化 が抑制 され るのは原子 の拡 散が
圧力 によ りお さえ られ るた め とみ な され るが, 14at% B合金 にお ける 10つkbarでの結晶化温
度 の低下 の場合 は析 出す る結晶相 の違 い,特 に合金中 の _
Feの振舞 いが関係 している と思 われ
る
。
10. パルス磁場下 にお け る励起 状態 のス ピン秩序
柄
木
良 友
パ ルス磁場 を用 いて励 起状態 の断熱磁化冷却 を行 ない,相転移 を観測 した。 図 1は NaNi
(Acac)3・benezene中の Ni
2+ ィ ォ ンのエネル ギー準位 である
o
Hc -
21
1
1kOe で 2つの
15K に くらべて十分低 くし,パ ル ス磁 場 をか け る 。
準位 が交差 す る。 初期温度 を初期 分裂 3.
ス ピン -ス ピン緩和時間 に くらべて磁 場掃 引速度 が十 分 に速 いな らば各 準位 の 占有数 は一定 の
ままHcに達 す るO も LHc
近傍 で励起状態 内で熱平衡 になるな らば,励起状態 の断熱磁化冷却
11
29-
大阪大学基礎 工学部物性分野
を行 な った こ とにな り, その冷却極 限 では励起状態 の秩序状態 が生 じる可能性 もあ る
また,
。
磁 場 が結 晶軸 か らずれ た場合 H。での縮退 は解 け JfDOの ant
i
crossi
ng が生 じる。そ こで高
I
l
e温度領 域 (2 0.
4K )で実験 を行 な っ
速掃 引用 で角度可変 のパ ル ス コイル を製 作 し,液 体 3
た
。
に鋭 い Peakが現 われ, 2K以 上 で消 え る
。
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L
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山
実験結果 を図 2お よび図 3に示す 。 月。近 傍
ま
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丁=- ・
1.
0
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た,磁場 が結 晶軸 か ら 1 程 度 ずれ る と, この
0
Peak は消 えた
。
この Peak は反 強磁 性的 な相
L上
二二
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」
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1̀
3
互 作用 による相転移 に対応 した ものであ る と思
われ る
。
また この励起状 態 の系 は, e
f
f
ect
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に約 50% の希釈 系 であ る と考 え られ る
図
。
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図
2
3
図
11・ ジ ョセフソン接 合 のサブ ミリ波 照射効 果
岸
ジ ョセ フ ソン接合 に電磁波 を照射 す ると,電子札
本
幹
夫
準粒 子 の トンネルが影響 されて,
/-V
特性 が顕著 な変化 を示 す 。 これ を電磁波 照射 効果 とい う 電磁波 照射 効果 は ミ リ波域 で は多 く
。
測 られ てい るが, サブ ミ リ波域 の測定 は まだ少 ない 。 この研究 の 目的 は,照射 す る電磁波 の周
波数 が上昇 す ることによ る超 伝導 トンネル現 象 の変化 を調 べ るこ とであ る
一
-1
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一
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。