SiC基板向 研磨スラリー （DSCシリーズ） 低炭素社会を実現し、電力を有効利用するためのパワー半導体の基板素材として単結晶SiC基板への期待 が高まっています。SiCはその材料物性から加工が極めて難しい硬脆材であり、平坦化・鏡面化する研磨加 工に関する要求も厳しくなってきています。 DSCシリーズはSiC基板向研磨スラリーとして市場からの強い要望に応え、次のような特徴を有しています。 1．粒子径の均一性、粒子の分散性に優れ、リサイクル使用が可能である。 2．ダメージフリーの研磨加工面が得られ、表面粗さ（Ra)が0.1nm以下にできる。 3．2液混合した後のスラリーpHが中性域で、取り扱いしやすい製品である。 （研磨対象物） SiC基板（単結晶4H/6H/3C・オフ角問わず、多結晶） （製品ラインナップとその特性） DSC-0901 DSC-0902 ポリッシュ（ファイナル） 研磨プロセス 結晶面 研磨方法 表面粗さ（Ra) 研磨レート シリコン面、カーボン面、 M面、A面 シリコン面 シリコン面＆カーボン面 （M面、A面も加工可） 片面研磨 両面同時研磨 片面研磨 0.1nm以下 0.1nm以下 0.1nm以下 研磨条件による（お問い合わせ下さい） Part A Part B Part A Part B Part B Part A 組成 DSC-1001 SiO2 加工促進剤 SiO2 加工促進剤、 他 SiO2、他 加工促進剤、 他 色 シリカ濃度（%） pH 白 約39 10.3 薄黄～黄 7.8 比重（g/cm3） 臭い 1.282 1.035 白 約40 9.6 1.291 薄黄～黄 － 9.3 1.040 乳白～茶白 約35 10.3 1.254 薄黄～黄 8.9 1.039 無臭 無臭 無臭 無臭 無臭 無臭 ※スラリーを使用前にPartAとPartBを重量比3：2で混合し、その後31wt%過酸化水素水を40g/kg添加する必要があります。 （研磨加工例） 工程 -基板メーカー （表面） 工程 -デバイスメーカー （表面・裏面） 切断 研削／ラップ ダイヤスラリー （1～3μm） 研削 ワイヤーソー 表面 ポリッシュ シリカスラリー デバイス エピ・デバイス製造 ポリッシュ ハードポリッシュ SI-type4H-SiC(on-axis) ダイヤスラリー （0.25～0.5μm） アルミナスラリー シリカスラリー 裏面 研削／ラップ ポリッシュ 研削・（ダイヤスラリー） シリカスラリー Ra=0.095nm （その他提供可能な商材） ・パッド（スウェードタイプ、不織布タイプ） ・ダイヤスラリー（希望粒径の有無は問い合わせ下さい。） ・その他開発品（アルミナスラリー等）は別途相談下さい。 ＜本製品に関するお問い合わせ先＞ 株式会社フジミインコーポレーテッド 機能材営業部 〒509-0109 岐阜県各務原市テクノプラザ1-8 TEL（058）379-3181 FAX（058）379-3171 株式会社フジミインコーポレーテッド 本社：〒452-8502 愛知県清須市西枇杷島町地領2-1-1 FUJIMI INCORPORATED 1-1,Chiryo-2,Nishibiwajima-cho,Kiyosu,Aichi,452-8502 Japan H24.10
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