製品の仕様は予告なく変更になる場合がございます真空チャンバー内の基板上に、次のサイクルを繰り返し行うことにより、原子層を一層ずつ積み上げます。＊ヒートコントロールにより有機金属分子を表面へ吸着＊化学反応による成膜＊パージによる余剰分子の取り除き６５０反応による成膜過程は、化学反応のはたらきで一原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能になり、高品質な段差被覆性（凹凸など）の高い膜を（１１５０）６５０形成することが可能です。ウェハーサイズ：4インチ ● 排気系を工夫することで、コンタミを防ぎます。排気系：ドライポンプ ● ヒータコントロールの均一性を高めました。到達真空度：5 Pa以下 ● 各ソースの流れの温度をコントロールすることで、制御系：制御用PLC／タッチパネル再現性を高めています。成膜用ガス導入バルブ：4基 ● 精密なバルブ制御で常に一定のソースを供給します。パージガス導入バルブ：1基 ● 独自の設計によりチャンバーへの熱伝導を抑えます。電源：三相200V／50A ● 縦型量子ドットに均一で高耐圧なAl2O3ゲート絶縁膜等を圧縮空気導入口：φ6 mm 制御性良く簡便に成膜できます。基板ヒータ：350℃MAX（φ130） ● 三次元的な凹凸に成膜可能です。非常停止機能付・TiN（TiCl4+NH3）・In2O（ 3 TMIn）・Ga2O（ 3 TMG）・Al2O3 ・HfO2