RF低オン抵抗１aタイプ 高速動作・低リーク電流に加え、低オン抵抗を実現した半導体リレー。 ■特長 １． 高速動作・低リーク電流に加え低オン 抵抗を実現したPhotoMOSリレーです。 L 8.8mm W 6.4mm H 3.9mm ２． 低出力端子間容量化で、高速動作 L 8.8mm W 6.4mm H 3.6mm 高さはスタンド （ ） オフを含む ５． 微小アナログ信号が制御できます。 閉路時のオフセット電圧が極めて低いため、 微小電圧の信号でも、またアナログ信号でも を実現。 歪みなく制御できます。 出力端子間容量がTyp． １０pFと小さく、動 ６． 低熱起電力です。 （約１μV） 作時間も２ ００μs （Typ．） と高速動作します。 1 6 2 5 3 4 ■用途 ３． 高感度・低オン抵抗です。 ５mAの入力電流で、最大０． ３Aの負荷電流 制御ができ、オン抵抗も１ ０Ω （AQV２ ２ ５N） と １． 計測機器 ２． スキャナ、ICチェッカ、ボードテスタ 従来品よりも低オン抵抗であり、金属接触部 がなく安定しています。 ４． 開路時漏れ電流が小さいです。 SSRでは、数mAの開路時漏れ電流があり ますが、PhotoMOSリレーは定格負荷電圧印 加時でも実力値３ ０pA（AQV２ ２ ５N） です。 ■品種 箱入数：標準P/C板端子 内箱５ ０個， 外箱５ ０ ０個 サーフェスマウント端子 スティック包装：内箱５ ０個， 外箱５ ０ ０個 テーピング包装：内箱１， ０ ０ ０個， 外箱１， ０ ０ ０個 ＊出力定格 タイプ ご注文品番 負荷電圧 負荷電流 ２ ０ ０V ４ ０ ０V AC/DC兼用 標準P/C板端子 サーフェスマウント端子 スティック包装 スティック包装 テーピング包装X テーピング包装Z ７ ０mA AQV２ ２ ７N AQV２ ２ ７NA AQV２ ２ ７NAX AQV２ ２ ７NAZ ５ ０mA AQV２ ２ ４N AQV２ ２ ４NA AQV２ ２ ４NAX AQV２ ２ ４NAZ 注）テーピング包装Xは１， ２， ３番端子が引き出し方向、テーピング包装Zは４， ５， ６番端子が引き出し方向となります。サーフェスマウント端子タイプの品番 “A” と包装形態区分 “X” ， “Z” は商品に捺印しておりません。 ＊負荷電圧・負荷電流：ピークAC， DCを表わします。 ■定格 １． 絶対最大定格（測定条件 周囲温度：２５℃） 項目 LED電流 入力側 出力側 記号 AQV２ ２ ７N（A） AQV２ ２ ４N（A） IF LED逆電圧 VR ５V せん頭順電流 IFP １A 許容損失 Pin ７ ５mW 負荷電圧（ピークAC） VL ２ ０ ０V ４ ０ ０V IL ０． ０ ７A（A接続） ０． ０ ８A（B接続） ０． １ ０A（C接続） ０． ０ ５A（A接続） ０． ０ ６A（B接続） ０． ０ ８A（C接続） ０． ２ １A 連続負荷電流 備考 ５ ０mA ピーク負荷電流 Ipeak 出力損失 Pout ３ ６ ０mW 全許容損失 PT ４ １ ０mW f＝１ ０ ０HZ、デューティ比＝０． １％ ０． １ ５A 耐電圧 Viso １， ５ ０ ０VAC 使用周囲温度 Topr −４ ０℃∼＋８ ５℃ 保存温度 Tstg −４ ０℃∼＋１ ０ ０℃ A接続は、ピークAC、DC B、C接続はDC A接続にて１ ０ ０ms （１shot） 、 VL＝DC 低温においては氷結しないこと RF低オン抵抗１aタイプ （AQV２） ２． 性能概要（測定条件 周囲温度：２５℃） 項目 平均 動作LED電流 入力 AQV２ ２ ７N（A） 記号 最大 最小 復帰LED電流 平均 平均 LED電圧降下 最大 IFon １． ２ ５V （IF＝５mAのとき１． １ ４V） VF Ron 最大 平均 Ron 最大 最大 平均 開路時漏れ電流 伝達特性 最大 ＊ 平均 動作時間 最大 ＊ 平均 復帰時間 最大 平均 入出力端子間容量 最大 入出力間絶縁抵抗 最小 IF＝５ ０mA １． ５V 平均 平均 IL＝Max． ０． ８ ５mA 最大 出力端子間容量 IL＝Max． ０． ４mA IFoff Ron 出力 測定条件 ３． ０mA 平均 オン抵抗 AQV２ ２ ４N（A） ０． ９ ０mA ３ ０Ω ７ ０Ω ５ ０Ω １ ０ ０Ω １ ６Ω ５ ５Ω ２ ５Ω ７ ０Ω ８Ω ２ ８Ω １ ２． ５Ω ３ ５Ω A接続 IF＝５mA IL＝Max． 通電時間＝１秒以下 B接続 IF＝５mA IL＝Max． 通電時間＝１秒以下 C接続 IF＝５mA IL＝Max． 通電時間＝１秒以下 IF＝０ VB＝０V f＝１MHZ １ ０pF Cout １ ５pF ３ ０pA ILeak ９ ０pA IF＝０ VL＝Max． １ ０nA ０． ２ ０ms Ton IF＝５mA IL＝Max． ０． ５ms ０． ０ ８ms Toff IF＝５mA IL＝Max． ０． ２ms ０． ８pF １． ５pF f＝１MHZ VB＝０ １， ０ ０ ０MΩ DC５ ０ ０V Ciso Riso 注）１． 接続方法は分類と回路構成をご参照ください。 ２． 推奨LED電流は５mA ＊動作・復帰時間 入力 90％ 10％ 出力 Ton Toff ■参考データ １．負荷電流−周囲温度特性 ２． オン抵抗−周囲温度特性 許容周囲温度：−４ ０℃∼＋８ ５℃ 接続方法：A接続 ３． 動作時間−周囲温度特性 測定箇所：４−６端子間， LED電流：５mA 負荷電圧：Max. （DC） ， 連続負荷電流：Max. （DC） 120 150 100 0.8 80 オ ン 抵 抗 60 （Ω） 負 荷 100 電 流 （mA） AQV227N AQV224N 動 0.6 作 時 間 （ms） 0.4 40 0 -40 -20 0 20 40 60 周囲温度 （℃） AQV227N AQV227N 50 80 85 100 0 AQV224N 0.2 20 AQV224N 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N LED電流：５mA， 負荷電圧：Max． （DC） 連続負荷電流：Max． （DC） 1.0 -40 -20 0 20 40 周囲温度 （℃） 60 80 85 0 -40 -20 0 20 40 周囲温度 （℃） 60 8085 RF低オン抵抗１aタイプ （AQV２） ４． 復帰時間−周囲温度特性 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N LED電流：５mA， 負荷電圧：Max． （DC） 連続負荷電流：Max． （DC） ５． 動作LED電流−周囲温度特性 ６． 復帰LED電流−周囲温度特性 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N 負荷電圧：Max． （DC） 連続負荷電流：Max． （DC） 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N 負荷電圧：Max． （DC） 連続負荷電流：Max． （DC） 0.5 5 5 0.4 復 0.3 帰 時 間 （ms） 0.2 4 動 作 L E 3 D 電 流 （mA） 2 4 復 帰 L E 3 D 電 流 （mA） 2 0.1 1 AQV227N AQV224N AQV227N 0 -40 -20 1 AQV224N 0 20 40 60 0 8085 -40 -20 0 20 周囲温度 （℃） 40 60 0 80 85 1.4 電 100 流 （mA） L E D 1.3 電 圧 降 下 1.2 （V） -4 -3 -2 1 漏 れ 10-9 電 流 （A） 2 3 電圧（V） 4 AQV227N -100 10-12 ∼ 40 60 AQV224N -50 5mA 1.0 80 85 AQV224N 50mA 1.1 60 AQV227N -1 30mA 20mA 10mA 40 10-6 50 20 20 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N 測定箇所：４−６端子間 周囲温度：２ ５℃ 150 0 0 ９． 漏れ電流−負荷電圧特性 測定箇所：４−６端子間 周囲温度：２ ５℃ 1.5 -20 -20 周囲温度 （℃） ８．出力部電流−電圧特性 試料：全品種 LED電流：５∼５ ０mA -40 -40 周囲温度 （℃） ７． LED電圧降下−周囲温度特性 0 AQV227N AQV224N -150 80 85 0 100 200 周囲温度 （℃） 300 400 負荷電圧 （V） １０．動作時間−LED電流特性 １１． 復帰時間−LED電流特性 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N 測定箇所：４−６端子間， 負荷電圧：Max． （DC） 連続負荷電流：Max． （DC） ， 周囲温度：２ ５℃ １２． 出力端子間容量−印加電圧特性 試料：AQV２ ２ ７N， AQV２ ２ ４N 測定箇所：４−６端子間， 負荷電圧：Max． （DC） 連続負荷電流：Max． （DC） ， 周囲温度：２ ５℃ 測定箇所：４−６端子間 ３ ０mVrms， 周囲温度：２ ５℃ 測定信号：１MHZ， 0.22 1.4 12 1.2 0.18 出 10 力 端 子 8 間 容 量 6 （pF） 1.0 復 0.14 帰 時 間 （ms） 0.10 動 作 0.8 時 間 （ms）0.6 AQV224N AQV227N 4 0.4 AQV227N 0.06 0.2 0 2 AQV224N・AQV227N 0 10 20 30 40 50 60 0 0 10 20 30 40 0 50 １３．アイソレーション−周波数特性 （５ ０Ω系） 測定箇所：４−６端子間 周囲温度：２ ５℃ １ ４． インサーションロス（挿入損失）−周波数特性（５０Ω系） 測定箇所：４−６端子間 周囲温度：２ ５℃ 6 100 ア イ ソ レ 80 ー シ ョ ン 60 （dB） 5 イ ン サ ー 4 シ ョ ン ロ 3 ス （dB） AQV224N 40 AQV224N AQV227N 2 AQV227N 20 1 105 106 周波数（Hz） 107 ∼ ∼ 104 0 104 105 106 周波数（Hz） 0 20 40 60 80 印加電圧（V） LED電流（mA） LED電流（mA） 0 AQV224N ∼ 107 100 RF低オン抵抗１aタイプ （AQV２） ■寸法図 「PhotoMOSリレー寸法図AQV２ ２シリーズ」 をご覧ください。 ■内部ブロック図・端子結線図 「PhotoMOSリレーの分類と回路構成AQV２ ２シリーズ」 をご覧くだ さい。 ■使用上のご注意 「PhotoMOSリレー使用上のご注意」 をご覧ください。
© Copyright 2024 ExpyDoc
