愛総研・研究報告 第1 7号 2015年 41 フェムト秒レーザとナノ秒レーザによる有機薄膜レーザ加工 OrganicThinFilmLaserP r o c e s s i n g byF emtosecondLaserandNanosecondLaser 津 田 紀 生 ¥ 牧 野 佑 紀 TT, 小 野 秀 介 TTT, 山 田 詳 T N o r i oTSUDAt, YukiMAKINOtt, S h u s u k eONOttt, J u nYAMADAt A b s t r a c t O r g a n i ct h i nf i l mi sp r o c e s s e dby f e m t o s e c o n da n dn a n o s巴c o n dl a s e r .S u r f a c 巴 p r o p e r t i e s訂 E e v a l u a t e dbyo b s e r v a t i o nw i t hl a s e rm i c r o s c o p e,a n dp r o c 巴: s s i n gd e p t ha n da r e ai sm e a s u r e d .R a d i a t i o ni n t e n s i t y 企oml a s e rp l a s m an e a rs u r f a c eo fo r g a n i ct h i nf i l mi so b s e r v e du s i n gas p e c t r o m e t e r .E l e c t r o nt e m p e r a t u r ei s measuredf r o mt h er a t i oo f t h es p e c t r a li n t e n s i t y .F e m t o s巴c o n dl a s e rp r o c e s s i n gq u a l i t yi sb e t t e ra n dt h er e q u i r e d o nw i t hn a n o s e c o n dl a s巴ro n e . l a s e re n e r g yi sl o w e ri ncomp出 s 1.はじめに すると加工状況やプラズ、マを乱さない、複雑な計算を必要 としない診断が可能であるロ今回はレーザ誘起プラズ、マ分 有機薄膜太陽電池は、将来の再生可能エネルギー源とし て考えられる。有機薄膜太楊電池のモジュール化にはパタ 光計測法により測定された試料表面位置でのプラズマの 温度や加工した深さや面積との関係を調べた。 ーニング加工!)が必須でありレーザを用いることで集積度 の高いデバイスを製作することが出来ることが 2 0 0 8年に 三菱商事株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所及び 2 . 実験方法 トッキ株式会社によるによって発表されている。 一般に無機太陽電池は活性層の成膜にマスキングを行 加工時の実験配置図を図 1に示す。フェムト秒レーザ った後でプラズマ CVD(ChemicalVaporD e p o s i t i o n ) 法やス は 、 THALESLASER社裂の T i : s a p p h i r eレーザ、 ALPHAIO パッタリング技術を用いて行われるが有機化合物を用い を使用した。フェムト秒レーザの発援波長は 800nm、レー る場合はこのような手法は好ましくないc ザパルス幅はく3 0 0 f sである。一方、ナノ秒レーザは、 LOTIS 有機化合物は遷移温度が非常に低いことから高温高圧 社製の YA G ( Y i t t r i u mAlminumGamet)レーザ、 LOTIST I I の環境下では材料の構造が維持されず吸収波長特性など, LS・ 2 1 3 5を用いた。 YAGレーザの発振波長は 1064nm、レ 一定の品質を維持した成膜ができないと考えられる。 ーザパルス幅は 1 2 n sである。レーザ光の光強度分布は、 有機薄膜太陽電池の実用化には、集積度を高めるために どちらもガウス分布である。 レーザバターニング加工を行うことが研究されている。大 レーザ光は、焦点距離 1 5伽nmの軸外し放物面鏡でター 量生産では品質管理のために加工をモニタリングする必 ゲットに空気中で集光照射した。加工によって除去された 要もある。レーザ加工時に発生するブロラズマを構成する物 材料が加工領域に再堆積しないように加工ステージは地 質は除去された材料で構成されているためプラズマを用 面に対して垂直に設置した。加工された領域の観察は、キ いた診断技術はより直接的に加工品質を理解することが ーエンス社製のレーザ顕微鏡 VKX200を使用した。レー 出来ると期待される。診断にプラズマ分光計測技術を導入 ザ顕微鏡の分解能は、 Z軸方向で 1nm、水平方向で 300nm T である。 愛知工業大学工学部電気学科(豊田市) tt 愛知工業大学大学院工学研究科(豊田市) ttt 前田工業株式会社(東海市) 実験に使用した有機薄膜は、 p o l y [ [ 9 ( 1・ o c t y l n o n y l ) 9 H 位 。l e 2 .7 d i y1 ] 2 . 5 t h i o p h e n e d i y l 2 . 1 . 3・b e n z o 出i a d i a z o l e 4 c a r b 愛 知 工 業 大 学 総 合 技 術 研 究 所 研 究 報 告,第17号,2015年 42 3.加 7-diy1-2.5-thiophenediyl](PCDTBT),[6,6]-phenyl-C71-butyric acidmethylester(PC71BM)とPCDTBT:PC71BMで あ る。 PCDTBTは 、n型 、P型 有 機 半 導 体 で あ り 、PC71BMは 有 機 半 導 体 で あ る 。PCDTBT:PC71BMは 工結 果 3.1.勿 ユ:aのeaピ フ ェ ム/'7%'レ ー デ ーノ 、 そ れ ぞ れ を1:4 の 割 合 で 混 ぜ 、 バ ル ク ヘ テ ロ 接 合 し た 有 機 半 導 体 で あ る。 PCDTBT;PCa,BM PCDTBT PC71日M 〔1:4) 7.1J/crn2 4.3」/信m2 図1.実 験 装 置 配置 図及 び レー ザ顕 微鏡 で観 測 の様 子 PCDTBTとPC71BMの 分 子 構 造 を 図2に 示 す。 ガ ラス 上 に ス ピ ン コ ー ト法 で 作 成 し た そ れ ぞ れ の 試 料 の 厚 さ は 、1オmよ 3.79J/じm: 3.75J∫`m芝 り厚 く した 。 ヱゴ ロ し ∼ ㌔、 りh 、 8 ハ、 凡 ソ ♂ £ 財 ゴ PCDTBT PCnBM 癖 PCDTBT r r ㍉し . メ PCDTBT:PC71BM(1:4) } o廿 図3.フ ェム ト秒 レー ザ で 有機 薄 膜 を レー ザ加 工 した 時 の 表 面 像 と断 面 像 購 o芯 、 / PCB,BM フ ェ ム ト秒 レ ー ザ で 有 機 薄 膜 を 加 工 し た 時 、 加 工 面 を レー ザ 顕 微 鏡 で調 べ た結 果 を 試 料 事 に比 較 した もの を 図 図2.PCDTBTとPC71BMの 3に 示 す 。図 よ り 、レ ー ザ フ ル エ ン ス は 、7.1J/cm2,4.3J/cm2, 分子構造 3.79J/cm2and3.75J/cm2で レ ー ザ 加 工 時 に 発 生 す る レー ザ ア ブ レー シ ョ ン プ ラ ズ マ の 温度 、 プ ラ ズ マ の体 積 を有 機 半 導 体 材 料 の違 い 、 ま 観 測 す る こ と に よ り、 同 じ レ ー ザ フ ル エ ン ス で も 、 PCDTBTとPC71BMの こ れ は 、PC71BMは た は レー ザパ ル ス 幅 に 関す る違 い につ い て ま と めた 。 試 料 表 面 に 生成 した 、 プ ラ ズマ の電 子 温 度 を分 光 測 定 す る 時 は 、OceanOptics製 の フ ァイ バ 分 光・ 器HR4000を 行 っ た 。 こ の 装 置 は 、 波 長 分 解 能 は0.53nmで 範 囲 は350nm∼800nmで あ る 。 測 定 は1秒 用いて 測定波長 間 で の 測 定値 損 傷 の 様 子 が 異 な る こ とが 分 か る 。 、主 に フ ラ ー レ ン構 造 を し て い る 事 に よ る も の と 考 え ら れ る 。 フ ラ ー レ ン 構 造 は 、400℃ ま で よ り高 い 安 定 性 を 持 ち 、 加 え てC-C結 え ら れ た と 考 え ら れ る 。 次 に 、PCDTBT:PC71BMと PCDTBTの 加 工 時 の 損 傷 を 比 べ て み る 。PCDTBT:PC71BM は 、PCDTBT内 HR4-BREAKOUTを ゆ え 、PCDTBT:PC71BMの にNDフ ィル ター を置 き、 調 整 した。 合 エ ネル ギ ー は 、他 の 結 合 エ ネ ル ギ ー よ り高 い 。 この 為 、 加 工 時 の損 傷 は抑 を 平 均 し て 行 っ た 。 レ ー ザ 発 振 と の 同 期 に は 使 用 した 。 レー ザ パ ワー は 、 光 軸 上 実験 を行 っ た。 加 工 面 の周 囲 を にPC71BMを4倍 多 く含 有 させ た 。 そ れ 加 工 時 の 損 傷 は 、PCDTBTの み の 薄 膜 よ り、 抑 え ら れ た と 考 え ら れ る 。 フェムト秒 レー ザ とナ ノ秒 レー ザ による有 機 薄 膜 レー ザ 加 工 3.2.Z攻Z:Z:面 廣(L、 き ピ フ ェ,∠、/・,秒 ム/一フ ラ リ 43 PCDTgFPCDT8T.PC71BklPCBML1 :4;}` フ ェ ム ト秒 レー ザ に よ る レ ー ザ フ ル エ ン ス に 対 す る 加 工 の 深 さ と 面 積 を 図4に 示 す 。 この グ ラ フ は 、有 機 薄 膜 加 工 時 の 熱 の 影 響 を 抑 え る た め 、 図3の 145.QJFcm? 実 験 時 よ り低 い レー ザ フル エ ン ス で加 工 した 場 合 の グ ラ フ で あ る。 レー ザ 光 の 焦 点 の 面 積 は 、0.475mm2で あ る。 図 よ り レー ザ フ ル エ ンス の 増 加 に伴 い 、加 工 面積 が 増 加 す る事 が分 か っ た 。 一 方 、PCDTBTの 109.GJ;'cm7 加 工深 さは 、 レー ザ フル エ ン ス の 増 加 に 伴 い 増 加 す る が 、PCDTBT:PC71BMとPC71BMの 加 工 の 深 さ は 、 レー ザ フ ル エ ン ス の 増 加 に ほ と ん ど依 存 ア{〕 日Jr亡 聞, しな か っ た。 fiO.8J、'己m1 ・PCDTBT PC71BM PCDTBT+pC71BM PCDTBT PCnBM LaserFluence(J/cm2) PCDTBT:PC71BM(1:4) 図5.ナ ノ秒 レー ザ で 有機 薄 膜 を レー ザ加 工 した 時 の 表 面 像 と断 面 像 ・PCDTBT PC71BM PCDTBT+PC71BM 図4.フ ェ ム ト秒 レー ザ に よ る レ ー ザ フ ル エ ン ス に 対 す る加 工 の 深 さ と 面 積 3.3勿zqの 謹rナ ノ秒 レー デーノ ナ ノ 秒 レー ザ で 有 機 薄 膜 を 加 工 後 、 加 工 面 を レ ー ザ 顕 微 鏡 で 調 べ た 結 果 を 比 較 し た も の を 図5に 示 す 。図 よ り、 レ ー ザ フ ル エ ン ス は 、145.OJ/cm2、109.6J/cm2、70.8J/cm2、 60.8J/cm2で 実験 を行 っ た。 加 工 面 の周 囲 を観 測 す る こ と に よ り、 ど の 材 質 も 熱 に よ る 影 響 が 観 測 され る 。 こ れ は 、 加 工 時 に 生 じ た プ ラ ズ マ の 熱 に よ る影 響 と 考 え ら れ る。 3.4ン 勿1面 積 ま1罪さrナ ノ 〃 レ ー プジ ナ ノ 秒 レ ー ザ で 加 工 し た 加 工 面 積 と深 さ を 図6に 示 す 。 図 よ り、 レー ザ 照 射 に よ っ て 熱 の 影 響 を 受 け て い る 領 域 も 含 め る とナ ノ 秒 レ ー ザ で 加 工 し た 方 が 、 加 工 面 積 が 大 き い こ とが 分 か っ た 。 フ ェ ム ト秒 レー ザ とナ ノ 秒 レ ー ザ で レー ザ フ ル エ ン ス を 同 じ に す る 事 が 出 来 な い の で 、 ナ ノ 秒 レー ザ で 、 熱 の 影 響 を 受 け な い よ う に 、 し き い 値 近 く の レ ー ザ フ ル エ ン ス で も 実 験 を 行 っ た 。 しか し、 低 フル エ ンス で の加 工 は 、 レー ザ 光 の 光 強 度 分 布 が不 均 一な為 、 正 常 な加 工 が行 わ れ な か っ た。 図6.ナ ノ 秒 レ ー ザ に よ る レ ー ザ フ ル エ ン ス に 対 す る加 工 の 面 積 と深 さ 愛知工業大学総合技術研究所研究報告,第 1 7号 , 2015年 44 4 . アプレーションプラズマの電子温度 5 . 0 4 . 1 分光測定結果 試料表面付近におけるアプレーションプラズマの発光 スペクトラム分光計測した結果をフェムト秒レーザとナ ノ秒レーザそれぞれに関して図 7に示す。図より、多 く のカーボン 2)のラインが現れている事が分かる。 言4.0 2 ~ 3 . 0 2 i 0 B 2. • . . . ・ • -2 ・ . ・ • • •・ ロ 己1.0 L I J 0 . 0 0 60 40 8 0 1 2 0 1 2 ] L a s e rF l u e n c e[ J/ cm 図 9. ナ ノ秒 レーザアプレー シ ョンにおける電子温度 の フルエ ンスに関する変化 図 8、図 9について レーサeフノ レエンスに対 す る電子温 度の変化を見ると、大きな違いが見られる 。 図より、 フ ェムト秒レーザプラズマについては レーザフノ レエンス の 増加に伴い電子温度が減少している。 これは、レーザ フ ノレエ ンスが増加すると、加工面積が増加する為、電子温 度が下が ったと考えられる。一方、ナノ秒レーザプラズ マではレーザフノレエンスの増加に伴い電子温度が増加し た。 これは、ナ ノ秒レーザーでは 、 アプレー ショ ンプラ ズ マが生成された後も、レーザによ りプラズマが加熱さ れ る為であると考えられる九 次に、有機薄膜の材料 によ り、単一材料と混合材料に関 して電子温度に違いがある 事が分かる。 この理由は混合材料ではレーザ照射によ っ て活性化された原子が再結合す ることによ って レーザエ ネル ギーが消費されている ため電子温度が単一材料の も のと比べて低くな ってい るのではなし、かと 考えられる。 図 7.試料表面位置でのレーザアプレーションプラズマ の発光スベクトル 5 . プラズマの直径の大きさのフルエンス依存性 レーザプ ラズマは、局所熱平衡状態 であると仮定で 3 ) き、ボルツマン分布してい る と考 えられるので、図 7に 示すカ ーボンのスベク トル線心の強度比か ら、ボルツマ ンプロット図を作成し、その近似直線の傾きから、アブ レーションプラズマの電子温度を求めた。 その結果を図 有 機薄膜表面にレーザ光を集光照射した時に、生成 し た プラズマの直径のレーザフルエ ンス依存性を図 1 0に 示 す。 プラズマ の直径 は、プラズ‘ マからの発光をス トリ ー クカメ ラで観測 する事に より 求めた。 図より、 ナ ノ秒 レーザは、フノ レエ ンスが増加する とプラズマの直径が大 きくなって いる事が分かる。 8、図 9に示す。 Nanosecondl a s e rf l l l e n c e[ J / cm2] o 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 01 2 01 4 0 6 .0 r~一-, 2. 0 = 0 ••••••.• •• g1 .0 L I J 0 . 0 0 4 8 1 2 La s e rF ll I e n c e[ J/ cm2] 1 6 図 8.フェ ムト秒レーザア プ レー シ ョンにおける 電子温 度のフルエ ンスに関する変化 ー一 -1 ' : u 協剥"" 臥J b抗マ ー 一 -Fcmlo誕奪四吋 w <τ , 'I - ~ •• • 3J ・ 2 AUAUAUnUAU 2 L • - 金) = =3 言 . 0 Jaaτ 言4.0 内 、 . 一戸田戸Z 一HU-uz-E百四,戸 =回目{内﹃ 5 . 0 0 . 0 1 o 5 1 0 1 5 20 Femto 唱e condl a s e rf l l l e n c e[ J/ cm2] 図1 0 . レーザフルエ ンス に関する プラズマの直径 の変化 フェムト秒レーザとナノ秒レーザによる有機薄膜レーザ加工 これは、レーザのパノレス幅が長いので、焦点において プラズマが生成した後もレーザ光によりプラズマにエネ ルギーが供給され、プラズマが成長した事を示す。一方、 フェムト秒レーザで生成したプラズマの直径は、ほとん ど変わらなかった。これは、フェムト秒レーザのパルス が短く、レーザのエネノレギーがプラズマの生成にのみ使 われ、成長に使われなかった事を示す。 45 謝辞 本研究は文部科学省私立大学戦略的研究墓板形成プロ ジェクト #S1001033 及び私立大学研究設備補助金の援助 を受けて行われた。 本研究に際してレーザ顕微鏡の使用を許可して頂いた 愛知工業大学工学部機械工学科の佐藤一雄教授、武田亘 平講師にこの場を借りてお礼申し上げます。 6 . まとめ フェムト秒レーザとナノ秒レーザによる有機薄膜レー 参考文献 ザ加工時の違いについて加工面の様子を調べ、電子温度 とレーザプラズマの直径と加工の深さを測定した。その 結果、フェムト秒レーザを用いる事で、熱に弱い有機薄 1 ) 2 ) 膜を、熱の影響を極力少なくし、加工出来る事が分かつ た 。 今後は、干渉加工法を行い、有機薄膜でも光の波長程 度の微細加工が可能かどうか調べていきたい。 3 ) 4 ) 5 ) l,Adv.Func . t M a t e r . 2 3 ( 2 0 1 3 ) 2 7 4 2 . E.Kymakise ta M.T r a n ,Q .Sun ,B .W.S n r i t h ヲ 釦d J.D白羽T i n e f o r d n e r ,J . An a . lA. tS p e c t r o m ., 1 6( 2 0 0 1 ) 6 2 8 N.TsudaandJ .Yamada J p n .J .Appl .Phys 3 8( 1 9 9 9 ) 3 7 1 2 . ns t i t u t eofS t a n d a r d sa n dT e c h n o l o g yd a t a b a s e N a t i o n a lI t .gov/pml/data / a s d . c f m a th t t p : / / w w w . n i s N .Panchenkoe ta , . lJ .P h y s .D :App. lP h y s . 44ρ011) 385201 . (受理平成 27年 5月 1 6日) ヲ 吋 ヲ
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