Foundry信頼性(摩耗故障・ソフトエラー

2015年3月19日
半導体デバイス信頼性(摩耗故障・ソフトエラー)セミナー
~Foundry活用時代のシリコン信頼性について~
主催者名:
担当部署:
参加者数:
半導体信頼性技術小委員会
電子デバイス部
約30名
概要:
日本の企業もシリコン Foundry を活用する機会が増えてきました。Foundry メーカーは TEG と呼ばれるテストパターン
を用いて確認した摩耗故障のデータにてシリコンプロセスの信頼性データを提示するのが一般的になっています。その内
容を読み解き、半導体製品の信頼性設計を進めるためには、半導体デバイスの摩耗故障のメカニズムと加速性についての
理解が不可欠となります。また、半導体封止材料からのα線照射あるいは宇宙線照射が原因となり、メモリのセルデータ
が反転して回路誤動作を引き起こすソフトエラーも注目されています
本セミナーでは専門家である JEITA 委員が、シリコン信頼性を摩耗故障とソフトエラーのメカニズムと信頼性の考え方
を中心に解説いたしました。
日時:2015 年 3 月 19 日(木)
9:30~17:00
場所:大阪府立国際会議場 グランキューブ大阪
11 階
1102 会議室
9:30~9:40
開催のご挨拶 半導体信頼性技術小委員会 瀬戸屋 孝主査
〔㈱東芝〕
9:40~9:50
概要 松山 英也 故障メカニズムプロジェクト(PG) 主査
[富士通セミコンダクター㈱]
9:50~11:40 故障メカニズム(MOSFET の信頼性 : Hot carrier 注入、NBTI(PBTI)、ゲート酸化膜の経時絶縁破壊)
田中 宏幸 故障メカニズム PG 委員 [ラピスセミコンダクタ㈱]
細野 剛
〃
[ローム㈱]
大日方浩二
〃
[ソニー㈱]
質疑応答
11:40~12:40 休憩
12:40~14:40 故障メカニズム
(High-K Metal Gate の基礎 配線の信頼性:エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、層間膜の
経時絶縁破壊)
志賀 克哉 故障メカニズム PG 委員
[ルネサスエレクトロニクス㈱]
高島 智
〃
[新日本無線株式会社]
松山 英也
〃
主査 [富士通セミコンダクター㈱]
若井 伸之
〃
副主査 [㈱東芝]
質疑応答
14:40~14:55 休憩
14:55~16:35 ソフトエラー(ソフトエラーのメカニズム、中性子、α線のデバイスへの影響)
志賀 克哉
SERPG 委員
[ルネサスエレクトロニクス㈱]
伊部 英史
〃 委員
[㈱日立製作所]
浅井 弘彰
〃 委員
[HIREC㈱]
松山 英也
〃 副主査
[富士通セミコンダクター㈱]
若井 伸之
〃 主査
[㈱東芝]
質疑応答
16:35~16:45 全体質疑応答
16:45~16:50 閉会のご挨拶
若井伸之
SERPG 主査 [㈱東芝]
16:50~17:00 アンケート回答
瀬戸屋
孝 氏
松山
英也 氏
若井
伸之 氏
以上