チップ裏面保護テープ

05_LC2850_W1890×H841
チップ裏面保護テープ
（一般タイプ、赤外線透過タイプ、薄ウェハ対応タイプ、熱伝導タイプ）
Backside Coating Tape (General Type, Infrared Transmission Type, Thin Wafer Type, Thermal Conductive Type)
熱伝導タイプチップ裏面保護テープ
Backside Coating Tape for Thermal Conductive Type
フリップチップ実装において、チップ裏面を保護する特殊テープです。
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ウェハ裏面の保護・補強に有効
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液状コーティング剤と比較して、保護層の厚みを高い精度で実現
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良好なレーザー印字適性
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専用ラミネーター「RAD-3600F/12」、汎用マウンター「RAD-2510F/12Sa」
を使用することで、高精度の貼付が可能
デバイスからの発熱を外部に放熱させます。
Heat form device discharged externally.
Effective in protecting and reinforcing the surface of wafer backside
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High thickness uniformity compared to the conventional liquid coating
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Excellent laser marking performance
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Highly efficient lamination achieved with the “RAD-3600F/12” a laminator specially designed
for LC Tape and “RAD-2510F/12Sa”
熱
Heat
チップ
Die
LC Tape is a special protective tape which coats the wafer backside for Flip Chip packaging.
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熱伝導率 3W/m・K
Thermal conduction
チップ裏面保護テープ
Backside coating tape
※「R A D -2510F/12Sa」は、薄ウェハ対応タイプに適応します。
※“RAD-2510F/12Sa”
参考出展 Exhibited for reference
バンプ
Bump
従来品
Conventional product
基板
Substrate
開発品
Development product
is only for thin wafer type.
参考出展 Exhibited for reference
品番 Product Name
タイプ Type
特徴
Features
一般タイプ
General type
高信頼タイプ
High reliability type
赤外線透過タイプ
Infrared-transmission type
薄ウェハ対応タイプ
Thin wafer type
熱伝導タイプ
Thermal conductive type
WLCSP デバイスの
チップ裏面保護用として採用
Used for protection of back side of
WLCSP device chips.
信頼性レベルを上げました。
The reliability level had raised.
テープが赤外線を透過します。
The tape penetrates through
infrared rays.
プリカット型
Pre-cut type
デバイスからの発熱を
外部に放熱します。
Heat form device discharged externally.
信頼性レベル C
Passed Condition C
赤外線を用いたテープ越しの
チッピング検査が可能
Permits tape-lifting chipping inspection
using infrared.
ウェハマウントされた状態での
ハンドリングが可能です。
Permits handling with wafer mounted.
熱伝導率 3W/m・K
Thermal conduction
信頼性レベル G
Passed Condition G
ダイシングソー
Dicing saw
従来プロセス：LC2850/LC28X4/LC28X6
Conventional Process
BG 用表面保護テープ
BG tape
バンプウェハ
Bump wafer
BG 用表面保護テープ
ラミネート
BG tape lamination
LC テープラミネート
LC tape lamination
熱硬化（130℃×2 時間）
Heat curing
130 ℃×2hrs
ウェハマウント
Wafer mounting
バックグラインド
Back grinding
ダイシング
Dicing
ピックアップ
Pick up
ダイシングソー
Dicing saw
薄ウェハ対応プロセス：LC86R series
Process for Thin Wafer
ウェハマウント
Wafer mounting
BG 用表面保護テープ剝離
BG tape peeling
熱硬化（130℃×2 時間）
Heat curing
130 ℃×2hrs
ダイシング
Dicing
ピックアップ
Pick up

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