MOSFET 50A 500V

MOSFET 50A 500V
PDM505HC
PDM505HC
質量 Approximate Weight :220g
■最大定格 Maximum Ratings
項
目
Rating
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
Drain-Source Voltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-Source Voltage
ドレイン電流（連続）
Duty=50%
Continuous Drain Current
D.C.
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current
全損失
Total Power Dissipation
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
RMS Isolation Voltage
締付トルク
Mounting
1 Torque
耐圧・クラス Grade
PDM505HC
500
記号
Symbol
VGS=0V
単位
Unit
V
VGSS
±20
V
ID
50（Ｔc=25℃）
35（Ｔc=25℃）
A
IDM
100（Ｔc=25℃）
A
PD
350（Ｔc=25℃）
W
Tjw
−40∼+150℃
℃
Tstg
−40∼+125℃
℃
Viso
Ftor
2000
端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min .
3.0（本体取付 Module Base to Heat sink）
2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals）
V
N・m
■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted）
項目
Characteristic
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部）
Static Drain-Source On-Resistance
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-Source On-Voltage
順伝達コンダクタンス
Forward Transconductance
入力容量
Input Capacitance
出力容量
Output Capacitance
帰還容量
Reverse Transfer Capacitance
ターン・オン遅延時間
Turn-On Delay Time
上昇時間
Rise Time
ターン・オン遅延時間
Turn-Off Delay Time
下降時間
Fall Time
記号
Symbol
条件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単位
Unit
VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
1
Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
4
VDS＝VGS, ID＝3mA
2
3.1
4
V
VGS＝±20V, VDS＝0V
─
─
0.3
μA
rDS
（on）
VGS＝10V, ID＝25A
─
110
120
mΩ
VDS
（on）
VGS＝10V, ID＝25A
─
3.2
3.5
V
gfg
VDS＝15V, ID＝25A
─
30
─
S
─
8.4
─
nF
─
1.1
─
nF
Crss
─
0.24
─
nF
t（on）
d
─
92
─
ns
─
110
─
ns
─
250
─
ns
─
68
─
ns
IDSS
VGS（th）
IGSS
Ciss
Coss
tr
t（off）
d
VGS＝0V
VDS＝25V
f＝1MHz
VDD＝1/2VDSS
ID＝25A
VGS＝−5V, ＋10V
RG＝5Ω
tf
mA
■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted）
項目
Characteristic
ソース電流（連続）
Continuous Source Current
パルスソース電流
Pulsed Source Current
ダイオード順電圧
Diode Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
逆回復電荷
Reverse Recovery Charge
記号
Symbol
IS
条件
Condition
D. C.
ISM
VSD
trr
Qr
IS＝50A
IS＝50A
−diS/dt＝100A/μs
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単位
Unit
─
─
35
A
─
─
100
A
─
─
1.5
V
─
80
─
ns
─
0.18
─
μC
■熱抵抗特性 Thermal Characteristics
項目
Characteristic
記号
Symbol
熱抵抗（接合部−ケース間）
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth
（j-c）
接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間）
Thermal Resistance, Case to Heatsink
Rth
（c-f）
条件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
MOSFET
─
─
0.36
Diode
─
─
2.0
サーマルコンパウンド塗布
Mounting surface flat, smooth, and greased
─
─
0.1
─ 326 ─
単位
Unit
℃/W
Ｍ
Ｏ
Ｓ
Ｆ
Ｅ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
■定格・特性曲線
Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage
Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage
TC=25℃ 250μs Pulse Test
60
6V
40
20
0
2
4
6
8
10
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
VGS=0V f=1MHz
Ciss
8
6
4
Coss
1
2
5
10
20
50
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
tr
100
td(on)
tf
50
1
2
5
10
20
DRAIN CURRENT ID (A)
50
100
Fig. 10 Maximum Safe Operating Area
TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse
200
8
4
0
100
200
300
400
500
TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC)
1
60
Tj=25℃
40
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V)
Fig. 11-1
Normalized Transient Thermal
impedance(MOSFET)
DC
0.5
1
2
DRAIN CURRENT ID (A)
tr
td(on)
1
tf
0.5
0.2
0.05
5
10 20
50 100 200 500 1000
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
─ 327 ─
2
5
10
20
50
100
SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω
)
200
Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics
80
Fig. 11-2
Normalized Transient Thermal
impedance(DIODE)
2
0.2
600
Tj=125℃
1ms
10ms
160
ID=25A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
5
250μs Pulse Test
20
5
0
40
80
120
JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ℃)
0.1
100μs
Operation in this area
is limited by RDS (on)
15A
td(off)
12
50
10
4
ID=35A
10μs
100
25A
Fig. 6 Typical Switching Time
Fig. 6 Vs. Series Gate impedance
20
20
8
0
-40
IS=50A IS=25A Tj=125℃
500
REVERSE RECOVERY TIME trr (ns)
REVERSE CURRENT IR (A)
td(off)
12
16
100
200
ID=50A
VDD=100V
250V
400V
120
SOURCE CURRENT IS (A)
SWITCHING TIME t (ns)
4
8
12
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward
Fig. 8 Characteristics
500
10
0
VGS=10V 250μs Pulse Test
16
2
0
100
Fig. 7 Typical Switching Time
Fig. 7 Vs. Drain Current
1000
15A
2
16
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
CAPACITANCE C (nF)
10
0
25A
Fig. 5 Typical Gate Charge
Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage
12
2
4
0
12
Fig. 4 Typical Capacitance
Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage
6
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[rth(j-c) / Rth(j-c)]
0
5V
ID=50A
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[rth(j-c) / Rth(j-c)]
DRAIN CURRENT ID (A)
8V
TC=25℃ 250μs Pulse Test
8
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
VGS=10V
SWITCHING TIME t (μs)
80
Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage
Fig. 3 Vs. Junction Temperature
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
200
trr
100
50
IR
20
10
5
1.8
0
100
200
300
400
-dis/dt (A/μs)
500
600
2
1
0.5
0.2
0.1
Per Unit Base
Rth(j-c)=0.36℃/W
1 Shot Pulse
0.05
0.02
0.01 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PULSE DURATION t (s)
1
10
2
1
0.5
0.2
0.1
Per Unit Base
Rth(j-c)=2.0℃/W
1 Shot Pulse
0.05
0.02
0.01 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PULSE DURATION t (s)
1
10

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