MOSFET 30A 450~500V

MOSFET 30A 450~
450~500V
PD4M441L/440L
PD4M441L
P2H4M441L
PD4M440L
P2H4M440L
P2H4M441L/440L
108.0
108.0
質量 Approximate Weight :220g
質量 Approximate Weight :220g
■最大定格 Maximum Ratings
項
目
Rating
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
Drain-Source Voltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-Source Voltage
ドレイン電流(連続)
Duty=50%
Continuous Drain Current
D.C.
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current
全損失
Total Power Dissipation
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
RMS Isolation Voltage
締付トルク
1
Mounting Torque
記 号
Symbol
単位
耐 圧・クラス Grade
PD4M441L/P2H4M441L PD4M440L/P2H4M440L Unit
450
500
V
VGS=0V
VGSS
±20
V
ID
30(Tc=25℃)
21(Tc=25℃)
A
IDM
60(Tc=25℃)
A
PD
230(Tc=25℃)
W
Tjw
−40〜+150℃
℃
Tstg
−40〜+125℃
℃
Viso
Ftor
2000
端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min .
3.0(本体取付 Module Base to Heat sink)
2.0(ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals)
V
N・m
■電気的特性
Electrical Characteristics(@TC=25℃ unless otherwise noted)
項
目
Characteristic
記号
Symbol
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
ドレイン・ソース間オン抵抗(MOSFET部)
Static Drain-Source On-Resistance
順伝達コンダクタンス
Forward Transconductance
入力容量
Input Capacitance
出力容量
Output Capacitance
帰還容量
Reverse Transfer Capacitance
ターン・オン遅延時間
Turn-On Delay Time
上昇時間
Rise Time
ターン・オン遅延時間
Turn-Off Delay Time
下降時間
Fall Time
■内部ダイオード定格・特性
特性値(最大)
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単位
Unit
VDS=VDSS, VGS=0V
─
─
1
Tj=125℃, VDS=VDSS, VGS=0V
─
─
4
VDS=VGS, ID=1mA
2
3.2
4
V
VGS=±20V, VDS=0V
─
─
1
μA
rDS
(on)
VGS=10V, ID=15A
─
190
210
mΩ
gfg
VDS=15V, ID=15A
─
27
─
S
─
5.2
─
nF
─
1.1
─
nF
Crss
─
0.18
─
nF
t(on)
d
─
100
─
ns
─
60
─
ns
─
180
─
ns
─
50
─
ns
IDSS
VGS
(th)
IGSS
Ciss
Coss
tr
t(off)
d
VGS=0V
VDS=25V
f=1MHz
VDD=1/2VDSS
ID=15A
VGS=−5V, +10V
RG=7Ω
tf
mA
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics(@TC=25℃ unless otherwise noted)
項
目
Characteristic
ソース電流(連続)
Continuous Source Current
パルスソース電流
Pulsed Source Current
ダイオード順電圧
Diode Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
逆回復電荷
Reverse Recovery Charge
■熱抵抗特性
条
件
Condition
記号
Symbol
IS
条
件
Condition
D. C.
ISM
VSD
trr
Qr
IS=30A
IS=30A
−diS/dt=100A/μs
特性値(最大)
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単位
Unit
─
─
21
A
─
─
60
A
─
─
2.0
V
─
750
─
ns
─
17
─
μC
Thermal Characteristics
項
目
Characteristic
記号
Symbol
熱抵抗(接合部−ケース間)
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
接触熱抵抗(ケース−冷却フィン間)
Thermal Resistance, Case to Heatsink
Rth(c-f)
条
件
Condition
特性値(最大)
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
MOSFET
─
─
0.56
Diode
─
─
0.56
サーマルコンパウンド塗布
Mounting surface flat, smooth, and greased
─
─
0.1
単位
Unit
℃/W
Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage
Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage
TC=25ı 250 s Pulse Test
10V
6V
30
20
VGS=5V
10
0
4V
10
0
2
4
6
8
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
VGS=0V f=1kHz
8
Ciss
6
Coss
4
Crss
1
2
5
10
20
50
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
RG=7
0
4
8
12
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
15A
0.42
10A
0.34
0.26
0.18
0.10
-40
0
40
80
120
JUNCTION TEMPERATURE Tj ( )
160
Fig. 6 Typical Switching Time
Fig. 6 Vs. Series Gate impedance
ID=20A
ID=15A VDD=250V TC=25ı 80 s Pulse Test
5
VDD= 100V
250V
400V
2
8
4
1
0.5
toff
ton
0.2
0.1
0
40
80
120
160
200
TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC)
0.05
240
Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward
Fig. 8 Characteristics
VDD=250V TC=25ı 80 s Pulse Test
ID=30A
0.50
16
12
0
100
Fig. 7 Typical Switching Time
Fig. 7 Vs. Drain Current
1000
10A
16
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
CAPACITANCE C (nF)
10
0
15A
Fig. 5 Typical Gate Charge
Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage
12
2
4
0
12
Fig. 4 Typical Capacitance
Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage
ID=30A
6
2
VGS=10V 250 s Pulse Test
SWITCHING TIME t ( s)
DRAIN CURRENT ID (A)
40
TC=25ı 250 s Pulse Test
8
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
50
Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage
Fig. 3 Vs. Junction Temperature
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
2
5
10
20
50
100
SERIES GATE IMPEDANCE RG ( )
Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics
250 s Pulse Test
60
200
IS=30A
IS=15A
Tj=150ı
SOURCE CURRENT IS (A)
td(off)
td(on)
100
tr
50
tf
30
Tj=125ı
20
Tj=25ı
10
20
trr
500
200
IR
100
50
10
1
2
5
10
20
DRAIN CURRENT ID (A)
50
Fig. 10 Maximum Safe Operating Area
TC=25ı Tj=150ıMAX Single Pulse
Operation in this area
100 is limited by RDS (on)
10 s
50
100 s
20
10
1ms
5
2
10ms
1
0.5
DC
1
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V)
1.2
0
100
200
Fig. 11 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET)
200
DRAIN CURRENT ID (A)
1000
40
-441L -440L
100 200 500 1000
5
10 20
50
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[rth(j-c) / Rth(j-c)]
SWITCHING TIME t (ns)
50
200
0.2
REVERSE RECOVERY TIME trr (ns)
REVERSE CURRENT IR (A)
2000
500
2
10 0
5
2
10 -1
Per Unit Base
Rth(j-c)=0.56ı/W
1 Shot Pulse
5
2
10 -2 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PULSE DURATION t (s)
10 0
10 1
300
400
-dis/dt (A/ s)
500
600