MOSFET 30A 450～ 450～500V PD4M441H/440H PD4M441H P2H4M441H PD4M440H P2H4M440H P2H4M441H/440H 108.0 108.0 質量 Approximate Weight :220g 質量 Approximate Weight :220g ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Rating ドレイン・ソース間電圧 VDSS Drain-Source Voltage ゲート・ソース間電圧 Gate-Source Voltage ドレイン電流（連続） Duty=50% Continuous Drain Current D.C. パルスドレイン電流 Pulsed Drain Current 全損失 Total Power Dissipation 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 RMS Isolation Voltage 締付トルク 1 Mounting Torque 記 号 Symbol 単位 耐 圧・クラス Grade PD4M441H/P2H4M441H PD4M440H/P2H4M440H Unit 450 500 V VGS=0V VGSS ±20 V ID 30（Ｔc=25℃） 21（Ｔc=25℃） A IDM 60（Ｔc=25℃） A PD 230（Ｔc=25℃） W Tjw −40∼+150℃ ℃ Tstg −40∼+125℃ ℃ Viso Ftor 2000 端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min . 3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） V N・m ■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current ゲート・ソース間しきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage ゲート・ソース間漏れ電流 Gate-Source Leakage Current ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部） Static Drain-Source On-Resistance ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage 順伝達コンダクタンス Forward Transconductance 入力容量 Input Capacitance 出力容量 Output Capacitance 帰還容量 Reverse Transfer Capacitance ターン・オン遅延時間 Turn-On Delay Time 上昇時間 Rise Time ターン・オン遅延時間 Turn-Off Delay Time 下降時間 Fall Time 記号 Symbol 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 1 Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V ─ ─ 4 VDS＝VGS, ID＝1mA 2 3.2 4 V VGS＝±20V, VDS＝0V ─ ─ 1 μA rDS （on） VGS＝10V, ID＝15A ─ 190 210 mΩ VDS （on） VGS＝10V, ID＝15A ─ 3.3 3.5 V gfg VDS＝15V, ID＝15A ─ 27 ─ S ─ 5.2 ─ nF ─ 1.1 ─ nF Crss ─ 0.18 ─ nF t（on） d ─ 100 ─ ns ─ 60 ─ ns ─ 180 ─ ns ─ 50 ─ ns IDSS VGS（th） IGSS Ciss Coss tr t（off） d VGS＝0V VDS＝25V f＝1MHz VDD＝1/2VDSS ID＝15A VGS＝−5V, ＋10V RG＝7Ω tf mA ■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted） 項 目 Characteristic ソース電流（連続） Continuous Source Current パルスソース電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time 逆回復電荷 Reverse Recovery Charge 記号 Symbol IS 条 件 Condition D. C. ISM VSD trr Qr IS＝30A IS＝30A −diS/dt＝100A/μs 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. 単位 Unit ─ ─ 21 A ─ ─ 60 A ─ ─ 1.8 V ─ 100 ─ ns ─ 0.15 ─ μC ■熱抵抗特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic 記号 Symbol 熱抵抗（接合部−ケース間） Thermal Resistance, Junction to Case Rth （j-c） 接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間） Thermal Resistance, Case to Heatsink Rth （c-f） 条 件 Condition 特性値（最大） Maximum Value 最小 標準 最大 Min. Typ. Max. MOSFET ─ ─ 0.56 Diode ─ ─ 2.0 サーマルコンパウンド塗布 Mounting surface flat, smooth, and greased ─ ─ 0.1 ─ 308 ─ 単位 Unit ℃/W Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ モ ジ ュ ー ル ■定格・特性曲線 6V 30 20 VGS=5V 10 4V 2 4 6 8 10 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) VGS=0V f=1kHz 8 Ciss 6 4 Coss Crss 1 2 5 10 20 50 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) RG=7Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test td(on) 100 tr 50 tf 10 1 2 5 10 20 DRAIN CURRENT ID (A) 50 Fig. 10 Maximum Safe Operating Area TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse Operation in this area 100 is limited by RDS (on) 8 4 20 100μs 0 40 80 120 160 200 TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC) 40 30 Tj=125℃ Tj=25℃ 20 0 0 0.4 0.8 1.2 SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V) Fig. 11-1 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET) 10ms 0.5 0.2 240 1 0.5 toff DC 1 2 ton 0.2 0.05 250μs Pulse Test Fig. 11-2 Normalized Transient Thermal impedance(DIODE) 1 ID=15A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test 5 −441H −440H 5 10 20 50 100 200 500 1000 DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V) ─ 309 ─ 2 5 10 20 50 100 SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ω ) 200 IS=30A IS=15A Tj=150℃ 500 200 trr 100 50 IR 20 10 5 1.6 0 100 200 300 400 -dis/dt (A/μs) 500 600 2 10 0 5 2 10 -1 Per Unit Base Rth(j-c)=0.56℃/W 1 Shot Pulse 5 2 10 -2 -5 10 10 -4 1ms 2 160 Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics 10 5 0 40 80 120 JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ℃) 0.1 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] DRAIN CURRENT ID (A) 10μs 0 -40 2 200 50 10A ID=20A 10 20 15A 4 VDD=100V 250V 400V 60 SOURCE CURRENT IS (A) td(off) 8 Fig. 6 Typical Switching Time Fig. 6 Vs. Series Gate impedance 50 200 ID=30A 12 16 Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward Fig. 8 Characteristics 500 SWITCHING TIME t (ns) 4 8 12 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) 12 0 100 Fig. 7 Typical Switching Time Fig. 7 Vs. Drain Current 1000 0 16 GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V) CAPACITANCE C (nF) 10 0 10A 2 Fig. 5 Typical Gate Charge Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage 12 2 15A 0 12 Fig. 4 Typical Capacitance Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage 4 VGS=10V 250μs Pulse Test 16 SWITCHING TIME t (μs) 0 ID=30A 6 NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE [rth(j-c) / Rth(j-c)] 0 TC=25℃ 250μs Pulse Test 8 DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) 10V 40 Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage Fig. 3 Vs. Junction Temperature DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V) TC=25℃ 250μs Pulse Test 50 DRAIN CURRENT ID (A) Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage REVERSE RECOVERY TIME trr (ns) REVERSE CURRENT IR (A) Fig. 1 Typical Output Characteristics 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 10 0 10 1 2 10 0 5 2 10 -1 Per Unit Base Rth(j-c)=2.0℃/W 1 Shot Pulse 5 2 10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 PULSE DURATION t (s) 10 0 10 1
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