S-19212シリーズボルテージレギュレータ

S-19212シリーズ
車載用
www.sii-ic.com
125°C動作高耐圧低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
© Seiko Instruments Inc., 2015
S-19212シリーズは、高耐圧CMOSプロセス技術を使用して開発した、高耐圧、低消費電流、高精度出力電圧の正電圧ボル
テージレギュレータで、ON / OFF回路を内蔵しています。
最大動作電圧が36 Vと高く、消費電流も6.5 μA typ.と低消費電流で動作することができます。また、低オン抵抗の出力ト
ランジスタを内蔵しているため、ドロップアウト電圧が小さく、大きな出力電流を得ることができます。
出力トランジスタの過電流を制限するための過電流保護回路と、発熱を制限するためのサーマルシャットダウン回路を内
蔵しています。
注意
本製品は、車両機器、車載機器へのご使用が可能です。これらの用途でご使用をお考えの際は、必ず弊社窓口までご
相談ください。
 特長
・
・
・
・
出力電圧
入力電圧
出力電圧精度
消費電流
:
:
:
:
・
・
・
・
・
・
・
・
・
・
出力電流
入力コンデンサ
出力コンデンサ
過電流保護回路を内蔵
サーマルシャットダウン回路を内蔵
ON / OFF回路を内蔵
放電シャント回路を内蔵
動作温度範囲
鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
AEC-Q100進行中*2
:
:
:
:
:
:
:
:
2.5 V ~ 16.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
3.0 V ~ 36 V
±2.0% (Tj = −40°C ~ +125°C)
動作時
: 6.5 μA typ., 8.5 μA max. (Tj = −40°C ~ +125°C)
パワーオフ時
: 0.1 μA typ., 3.5 μA max. (Tj = −40°C ~ +125°C)
250 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 2.0 V時)*1
セラミックコンデンサが使用可能 (1.0 μF以上)
セラミックコンデンサが使用可能 (1.0 μF ~ 100 μF)
出力トランジスタの過電流を制限
検出温度165°C typ.
電池の長寿命化に対応可能
パワーオフ時に出力コンデンサの電荷を放電 (RLOW = 70 kΩ typ.)
Ta = −40°C ~ +125°C
*1.
大電流出力時には、ICの損失が許容損失を越えないように注意してください。
*2.
詳細は、弊社営業部までお問い合わせください。
 用途
・車室内電装アプリケーションの定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・車載用 (エンジン、トランスミッション、サスペンション、ABS、EV / HEV / PHEV関連機器等)
 パッケージ
・
・
・
・
HSOP-8A
HSOP-6
SOT-89-5
SOT-23-5
セイコーインスツル株式会社
1
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
 ブロック図
*1
VIN
VOUT
過電流保護回路
サーマルシャットダウン回路
ON / OFF
ON / OFF 回路
*2
+
−
基準電圧回路
*1
VSS
*1.
*2.
寄生ダイオード
ON / OFF回路は、内部回路および出力トランジスタを制御します。
図1
2
セイコーインスツル株式会社
125°C動作
車載用
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 AEC-Q100進行中
AEC-Q100の信頼性試験の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。
 品目コードの構成
S-19212シリーズは、出力電圧値、パッケージ種別を用途により選択指定することができます。製品名における文字列
が示す内容は "1. 製品名" を、パッケージ図面は "2. パッケージ" を、詳しい製品名は "3. 製品名リスト" を参照
してください。
1.
製品名
S-19212
B
xx
A
-
xxxx
U
環境コード
U
: 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
パッケージ略号とICの梱包仕様
*1
E8T1 : HSOP-8A、テープ品
E6T1 : HSOP-6、テープ品
U5T1 : SOT-89-5、テープ品
M5T1 : SOT-23-5、テープ品
動作温度
A
: Ta = −40°C ~ +125°C
設定出力電圧値
25 ~ G0
(例 : 設定出力電圧値が2.5 Vの場合は25と表されます。
設定出力電圧値が10.0 Vの場合はA0と表されます。
設定出力電圧値が11.0 Vの場合はB0と表されます。
設定出力電圧値が16.0 Vの場合はG0と表されます。)
製品タイプ
B
*1.
*2.
2.
*2
: ON / OFF端子正論理タイプ
テープ図面を参照してください。
" 動作説明"、"3. ON / OFF端子" を参照してください。
パッケージ
表1
パッケージ名
HSOP-8A
HSOP-6
SOT-89-5
SOT-23-5
外形寸法図面
FH008-A-P-SD
FH006-A-P-SD
UP005-A-P-SD
MP005-A-P-SD
パッケージ図面コード
テープ図面
FH008-A-C-SD
FH006-A-C-SD
UP005-A-C-SD
MP005-A-C-SD
セイコーインスツル株式会社
リール図面
ランド図面
FH008-A-R-SD
FH006-A-R-S1
UP005-A-R-SD
MP005-A-R-SD
FH008-A-L-SD
−
−
−
3
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
3.
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
製品名リスト
表2
出力電圧
HSOP-8A
HSOP-6
SOT-89-5
2.5 V ± 2.0%
S-19212B25A-E8T1U
S-19212B25A-E6T1U
S-19212B25A-U5T1U
3.0 V ± 2.0%
S-19212B30A-E8T1U
S-19212B30A-E6T1U
S-19212B30A-U5T1U
3.3 V ± 2.0%
S-19212B33A-E8T1U
S-19212B33A-E6T1U
S-19212B33A-U5T1U
5.0 V ± 2.0%
S-19212B50A-E8T1U
S-19212B50A-E6T1U
S-19212B50A-U5T1U
5.5 V ± 2.0%
S-19212B55A-E8T1U
S-19212B55A-E6T1U
S-19212B55A-U5T1U
6.0 V ± 2.0%
S-19212B60A-E8T1U
S-19212B60A-E6T1U
S-19212B60A-U5T1U
7.0 V ± 2.0%
S-19212B70A-E8T1U
S-19212B70A-E6T1U
S-19212B70A-U5T1U
8.0 V ± 2.0%
S-19212B80A-E8T1U
S-19212B80A-E6T1U
S-19212B80A-U5T1U
9.0 V ± 2.0%
S-19212B90A-E8T1U
S-19212B90A-E6T1U
S-19212B90A-U5T1U
10.5 V ± 2.0%
S-19212BA5A-E8T1U
S-19212BA5A-E6T1U
S-19212BA5A-U5T1U
12.0 V ± 2.0%
S-19212BC0A-E8T1U
S-19212BC0A-E6T1U
S-19212BC0A-U5T1U
12.5 V ± 2.0%
S-19212BC5A-E8T1U
S-19212BC5A-E6T1U
S-19212BC5A-U5T1U
15.0 V ± 2.0%
S-19212BF0A-E8T1U
S-19212BF0A-E6T1U
S-19212BF0A-U5T1U
備考上記出力電圧以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。
4
セイコーインスツル株式会社
SOT-23-5
S-19212B25A-M5T1U
S-19212B30A-M5T1U
S-19212B33A-M5T1U
S-19212B50A-M5T1U
S-19212B55A-M5T1U
S-19212B60A-M5T1U
S-19212B70A-M5T1U
S-19212B80A-M5T1U
S-19212B90A-M5T1U
S-19212BA5A-M5T1U
S-19212BC0A-M5T1U
S-19212BC5A-M5T1U
S-19212BF0A-M5T1U
車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 ピン配置図
1.
HSOP-8A
Top view
表3
1
8
2
7
3
6
4
5
Bottom view
8
1
7
2
6
3
5
4
端子番号
1
端子記号
端子内容
VOUT
電圧出力端子
NC
*1
無接続
3
NC
*1
無接続
4
ON / OFF
ON / OFF端子
5
VSS
GND端子
6
NC
*1
無接続
7
NC
*1
無接続
8
VIN
2
電圧入力端子
*1. NCは電気的にオープンを示します。
このため、VIN端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
*1
*1. 網掛け部分の裏面放熱板
は、基板に接続し電位を
GNDとしてください。
ただし、電極としての機能
には使用しないでくださ
い。
図2
2.
HSOP-6
Top view
6
1
5
2
表4
4
3
端子番号
端子記号
端子内容
1
VOUT
電圧出力端子
2
VSS
GND端子
3
ON / OFF
ON / OFF端子
*1
4
NC
5
VSS
GND端子
6
VIN
電圧入力端子
無接続
*1. NCは電気的にオープンを示します。
このため、VIN端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
図3
セイコーインスツル株式会社
5
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
3.
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
SOT-89-5
Top view
5
表5
4
1
2
3
端子番号
端子記号
端子内容
*1
1
NC
2
VSS
GND端子
3
VIN
電圧入力端子
4
VOUT
電圧出力端子
5
ON / OFF
ON / OFF端子
無接続
*1. NCは電気的にオープンを示します。
図4
このため、VIN端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
4.
SOT-23-5
Top view
5
4
1 2 3
図5
表6
端子番号
端子記号
端子内容
1
VIN
電圧入力端子
2
VSS
GND端子
3
*1
NC
無接続
4
ON / OFF
ON / OFF端子
5
VOUT
電圧出力端子
*1. NCは電気的にオープンを示します。
このため、VIN端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
6
セイコーインスツル株式会社
車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 絶対最大定格
表7
項目
記号
(特記なき場合 : Ta = +25°C)
単位
絶対最大定格
VSS − 0.3 ~ VSS + 45
V
VIN
入力電圧
VON / OFF
VSS − 0.3 ~ VIN + 0.3
V
出力電圧
VOUT
VSS − 0.3 ~ VIN + 0.3
V
出力電流
IOUT
280
mA
ジャンクション温度
Tj
−40 ~ +150
°C
動作周囲温度
Topr
−40 ~ +125
°C
保存温度
Tstg
−40 ~ +150
°C
注意絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣
化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
 熱抵抗値
表8
項目
記号
HSOP-8A
ジャンクション温度 − 周囲温度間
熱抵抗値*1
θja
HSOP-6
SOT-89-5
SOT-23-5
*1.
備考
条件
基板1
基板2
基板3
基板4
基板5
基板1
基板2
基板3
基板4
基板1
基板2
基板3
基板4
基板1
基板2
Min.
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Typ.
115
82
42
43
35
106
82
51
48
123
90
53
41
180
143
Max.
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
単位
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
測定環境 : JEDEC STANDARD JESD51-2A準拠
許容損失、測定基板の詳細については、" パッケージ熱特性" を参照してください。
セイコーインスツル株式会社
7
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
 電気的特性
表9
項目
出力電圧*1
出力電流
*2
記号
VOUT(E)
VIN = VOUT(S) + 2.0 V, IOUT = 10 mA
IOUT
VIN≧VOUT(S) + 2.0 V
IOUT = 125 mA, Ta = +25°C
IOUT = 250 mA, Ta = +25°C
ドロップアウト電圧*3 Vdrop
入力安定度
負荷安定度
動作時消費電流
ΔVOUT1
ΔVIN • VOUT
ΔVOUT2
ISS1
パワーオフ時消費電流 ISS2
入力電圧
ON / OFF端子
入力電圧 "H"
ON / OFF端子
入力電圧 "L"
ON / OFF端子
入力電流 "H"
ON / OFF端子
入力電流 "L"
リップル除去率
短絡電流
条件
VIN
VSH
VSL
(特記なき場合 : Tj = −40°C ~ +125°C)
測定
Min.
Typ.
Max. 単位
回路
VOUT(S)
VOUT(S)
V
1
VOUT(S)
× 1.020
× 0.980
*4
−
−
mA 3
250
−
0.35
−
V
1
−
0.80
−
V
1
VOUT(S) + 0.5 V≦VIN≦36 V, IOUT = 10 mA
VIN = VOUT(S) + 2.0 V,
2.5 V≦VOUT(S)＜5.1 V, 0.1 mA≦IOUT≦40 mA
VIN = VOUT(S) + 2.0 V,
5.1 V≦VOUT(S)＜12.1 V, 0.1 mA≦IOUT≦40 mA
VIN = VOUT(S) + 2.0 V,
12.1 V≦VOUT(S)≦16.0 V, 0.1 mA≦IOUT≦40 mA
VIN = 18.0 V,
VON / OFF = VIN, IOUT = 0.01 mA
VIN = 18.0 V,
VON / OFF = 0 V, 無負荷
−
VIN = 18.0 V, RL = 1.0 kΩ,
VOUT出力レベルで判定
VIN = 18.0 V, RL = 1.0 kΩ,
VOUT出力レベルで判定
−
0.01
0.03
%/V
1
−
16
30
mV
1
−
16
35
mV
1
−
16
40
mV
1
−
6.5
8.5
μA
2
−
0.1
3.5
μA
2
3.0
−
36
V
−
1.5
−
−
V
4
−
−
0.25
V
4
ISH
VIN = 18.0 V, VON / OFF = VIN
−0.1
−
0.1
μA
4
ISL
VIN = 18.0 V, VON / OFF = 0 V
−0.1
−
0.1
μA
4
−
45
−
dB
5
−
40
−
dB
5
−
35
−
dB
5
−
30
−
dB
5
−
120
−
mA
3
|RR|
Ishort
VIN = VOUT(S) + 2.0 V, 2.5 V≦VOUT(S)＜3.6 V
f = 100 Hz,
3.6 V≦VOUT(S)＜6.1 V
ΔVrip = 0.5 Vrms,
6.1 V≦VOUT(S)＜10.1 V
IOUT = 10 mA,
10.1 V≦VOUT(S)≦16.0 V
Ta = +25°C
VIN = VOUT(S) + 2.0 V,
VON / OFF = VIN, VOUT = 0 V, Ta = +25°C
サーマルシャット
ジャンクション温度
−
165
−
°C
−
TSD
ダウン検出温度
サーマルシャット
ジャンクション温度
−
140
−
°C
−
TSR
ダウン解除温度
パワーオフ時
RLOW
VIN = 18.0 V, VON / OFF = 0 V, VOUT = 2.0 V
−
70
−
kΩ
6
放電シャント抵抗
*1. VOUT(S) : 設定出力電圧値
VOUT(E) : 実際の出力電圧値
VIN = VOUT(S) + 2.0 V、IOUT = 10 mAのときの出力電圧値
*2. 出力電流を徐々に増やしていき、出力電圧がVOUT(E)の95%になったときの出力電流値
*3. Vdrop = VIN1 − (VOUT3 × 0.98)
VIN1 : 入力電圧を徐々に下げていき、出力電圧がVOUT3の98%に降下した時点での入力電圧
VOUT3 : VIN = VOUT(S) + 2.0 V、IOUT = 125 mA、250 mAのときの出力電圧値
*4. 許容損失の制限により、この値を満たさない場合があります。大電流出力時には、許容損失に注意してください。
この規格は設計保証です。
8
セイコーインスツル株式会社
車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 測定回路
+
VOUT
VIN
ON / OFF
V
VSS
A
+
ONに設定
図6
測定回路1
VOUT
VIN
ON / OFF
VSS
VIN or GNDに
設定
図7
A
+
測定回路2
VOUT
VIN
ON / OFF
VSS
+
A
V
+
ONに設定
図8
VOUT
VIN
+
A
測定回路3
ON / OFF
VSS
図9
V
+
RL
測定回路4
VOUT
VIN
ON / OFF
VSS
V
+
RL
ONに設定
図10
測定回路5
セイコーインスツル株式会社
9
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
VOUT
VIN
ON / OFF
VSS
A
+
V
+
GNDに
設定
図11
10
測定回路6
セイコーインスツル株式会社
車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
VIN
VOUT
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 標準回路
入力
CIN
*1
出力
ON / OFF
VSS
一点アース
*1.
*2.
CL
*2
GND
CINは入力安定用のコンデンサです。
CLは出力安定用のコンデンサです。
図12
注意
上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで温度特性を含めた十
分な評価を行い、定数を設定してください。
 使用条件
入力コンデンサ (CIN) : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサを推奨
出力コンデンサ (CL) : 1.0 μF ~ 100 μFのセラミックコンデンサを推奨
注意
一般に、ボルテージレギュレータでは、外付け部品の選択によっては発振が起こる可能性があります。上記コン
デンサを使用した実際のアプリケーションで温度特性を含めた十分な評価を行い、発振が起こらないことを確認
してください。
 入力コンデンサ (CIN)、出力コンデンサ (CL) の選定
S-19212シリーズでは、位相補償のためVOUT端子 − VSS端子間にCLが必要です。容量値1.0 μF ~ 100 μFのセラミック
コンデンサで安定動作します。OSコンデンサ、タンタルコンデンサ、アルミ電解コンデンサを使用する場合も、容量
値は1.0 μF ~ 100 μFであることが必要です。ただし、等価直列抵抗 (ESR) によっては発振が起こる可能性がありま
す。
また、S-19212シリーズでは、安定動作のためVIN端子 − VSS端子間にCINが必要です。
一般に、ボルテージレギュレータを電源のインピーダンスが高い条件で使用すると、発振が起こることがあります。
なお、CIN、CLの容量値およびESRの値によって出力電圧の過渡特性が異なりますので、注意してください。
注意
実際のアプリケーションで温度特性を含めた十分な評価を行い、CIN、CLを選定してください。
セイコーインスツル株式会社
11
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
 用語の説明
1.
低飽和型ボルテージレギュレータ
低オン抵抗の出力トランジスタ内蔵により、ドロップアウト電圧を小さくしたボルテージレギュレータです。
2.
出力電圧 (VOUT)
入力電圧、出力電流、温度がある一定の条件*1において、精度±2.0%で出力される電圧です。
*1.
注意
3.
各製品により異なります。
ある一定の条件が満たされないと、出力電圧が精度±2.0%の範囲外になる可能性があります。詳しくは
" 電気的特性"、" 諸特性データ (Typicalデータ)" を参照してください。
ΔVOUT1 
ΔVIN • VOUT 
入力安定度 
出力電圧の入力電圧依存性を表しています。すなわち、出力電流を一定にして入力電圧を変化させ、出力電圧がど
れだけ変化するかを表したものです。
4.
負荷安定度 (ΔVOUT2)
出力電圧の出力電流依存性を表しています。すなわち、入力電圧を一定にして出力電流を変化させ、出力電圧がど
れだけ変化するかを表したものです。
5.
ドロップアウト電圧 (Vdrop)
入力電圧 (VIN) を徐々に下げていき、出力電圧がVIN = VOUT(S) + 2.0 Vのときの出力電圧値 (VOUT3) の98%になった
ときの入力電圧 (VIN1) と出力電圧の差を示します。
Vdrop = VIN1 − (VOUT3 × 0.98)
12
セイコーインスツル株式会社
車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 動作説明
1.
基本動作
図13にS-19212シリーズの基本動作説明のためのブロック図を示します。
誤差増幅器 (エラーアンプ) は、出力電圧 (VOUT) を帰還抵抗 (RsとRf) によって分圧した帰還電圧 (Vfb) と基準電
圧 (Vref) を比較します。誤差増幅器が出力トランジスタを制御することにより、入力電圧 (VIN) の影響を受けるこ
となくVOUTを一定に保つ動作、すなわちレギュレート動作をします。
VIN
*1
定電流源
誤差増幅器
(エラーアンプ）
VOUT
−
Vref
+
Rf
Vfb
基準電圧回路
Rs
VSS
*1.
寄生ダイオード
図13
2.
出力トランジスタ
S-19212シリーズでは、VIN端子 − VOUT端子間に出力トランジスタとして、低オン抵抗のPch MOS FETトランジス
タを用いています。VOUTを一定に保つために、出力電流 (IOUT) に応じて出力トランジスタのオン抵抗が適切に変化
します。
注意
トランジスタの構造上、VIN端子 − VOUT端子間には寄生ダイオードが存在するため、VINよりVOUTが高くな
ると逆流電流によりICが破壊される可能性があります。このため、VOUTはVIN + 0.3 Vを越えないように注意
してください。
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13
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
3.
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
ON / OFF端子
レギュレート動作の起動および停止を行うために、ON / OFF端子は内部回路および出力トランジスタの制御をしま
す。ON / OFF端子をOFFに設定すると、内部回路は動作を停止し、VIN端子 − VOUT端子間の出力トランジスタを
オフさせ、消費電流を大幅に抑えます。
ON / OFF端子に関する内部等価回路は図14の構成になっており、ON / OFF端子はプルアップもプルダウンもされ
ていません。このため、フローティング状態で使用しないでください。ON / OFF端子を使用しない場合には、VIN
端子に接続してください。ON / OFF端子に0.25 V ~ VIN − 0.3 Vの電圧を印加すると消費電流が増加しますので、注
意してください。
表10
製品タイプ
B
B
ON / OFF端子
VOUT端子電圧
内部回路
消費電流
*1
動作
一定値
ISS1
"H" : ON
停止
VSSにプルダウン*2
"L" : OFF
ISS2
*1. 設定出力電圧値に基づいてレギュレート動作をすることにより、一定値が出力されます。
*2. 放電シャント回路 (RLOW = 70 kΩ typ.)、帰還抵抗 (RsとRf)、負荷により、VSSにプルダウンされます。
VIN
ON / OFF
VSS
図14
4.
過電流保護回路
S-19212シリーズは、出力トランジスタの過電流を制限するための過電流保護回路を内蔵しています。VOUT端子が
VSS端子と短絡されたとき、すなわち出力短絡時には、過電流保護回路が動作することにより出力電流は120 mA typ.
に制限されます。出力トランジスタが過電流状態から解放されると、レギュレート動作が再開されます。
注意 1. 過電流保護回路は、過熱保護を兼ねる回路ではありません。例えば、出力短絡時等により出力トランジスタ
の過電流状態が長時間続くような場合には、許容損失を越えないように、入力電圧、負荷電流の条件に注意
してください。
VOUT(S)
2.
より重い負荷が接続されている場合、出力電圧起動に支障を来す可能性がありますので注意してく
100 mA
ださい。
14
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車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
5.
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
サーマルシャットダウン回路
S-19212シリーズは、発熱を制限するためのサーマルシャットダウン回路を内蔵しています。ジャンクション温度
が165°C typ.に上昇すると、サーマルシャットダウン回路が検出状態となり、レギュレート動作は停止されます。ジャ
ンクション温度が140°C typ.に低下すると、サーマルシャットダウン回路が解除状態となり、レギュレート動作は再
開されます。
自己発熱によりサーマルシャットダウン回路が検出状態になると、レギュレート動作は停止され、VOUTが低下しま
す。このことにより、自己発熱が制限されICの温度が低下します。ICの温度が低下すると、サーマルシャットダウ
ン回路が解除状態となり、レギュレート動作は再開され、再び自己発熱が発生します。この繰り返し動作が行われ
ることにより、VOUTの波形がパルス状になります。VINかIOUTのどちらか一方、または両方を低下させることにより
IC内部の消費電力を小さくするか、あるいは周囲温度を低下させることを行わない限り、この現象を止めることが
できません。この現象が継続すると、製品の劣化などの物理的な損傷が起こる可能性がありますので、注意してく
ださい。
注意1. アプリケーションの放熱性が良好でない場合には、自己発熱をただちに制限することができなくなり破壊に
至る可能性があります。実際のアプリケーションで十分な評価を行い、問題ないことを確認してください。
2. サーマルシャットダウン回路が検出状態から解除状態になりレギュレート動作が再開される過程で大きな
負荷電流が流れると、自己発熱によりサーマルシャットダウン回路は再び検出状態となり、レギュレート動
作の再開に問題が生じる可能性があります。大きな負荷電流は、例えば、容量値が大きいCLへの充電の際に
生じます。
実際のアプリケーションで温度特性を含めた十分な評価を行い、CLを選定してください。
表11
サーマルシャットダウン回路
VOUT端子電圧
解除 : 140°C typ.*1
一定値*2
検出 : 165°C typ.*1
VSSにプルダウン*3
*1. ジャンクション温度
*2. 設定出力電圧値に基づいてレギュレート動作をすることにより、一定値が出力されます。
*3. 帰還抵抗 (RsとRf)、負荷により、VSSにプルダウンされます。
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Rev.1.0_01
 注意事項
・一般に、ボルテージレギュレータを負荷電流値が小さい条件 (0.1 mA以下) で使用すると、出力トランジスタのリー
ク電流のため、出力電圧が上昇する場合があります。
・一般に、ボルテージレギュレータを高い温度の条件で使用すると、出力トランジスタのリーク電流のため、出力電圧
が上昇する場合があります。
・一般に、ボルテージレギュレータのON / OFF端子をOFFの条件で使用すると、出力トランジスタのリーク電流のた
め、出力電圧が上昇する場合があります。
・一般に、ボルテージレギュレータを電源のインピーダンスが高い条件で使用すると、発振が起こる可能性があります。
実際のアプリケーションで温度特性を含めて十分評価の上、CINを選定してください。
・一般に、ボルテージレギュレータでは、外付け部品の選択によっては発振が起こる可能性があります。S-19212シリー
ズでは以下の使用条件を推奨しておりますが、実際のアプリケーションで温度特性を含めて十分な評価を行い、CIN、
CLを選定してください。
入力コンデンサ (CIN)
出力コンデンサ (CL)
: 1.0 μF以上のセラミックコンデンサを推奨
: 1.0 μF ~ 100 μFのセラミックコンデンサを推奨
・一般に、ボルテージレギュレータでは、入力電圧起動、入力電圧変動、負荷変動などの変動要因やCIN、CLの容量値
および等価直列抵抗 (ESR) の値によって出力電圧のオーバーシュート、アンダーシュートの程度が異なり、安定動
作に支障をきたす可能性があります。実際のアプリケーションで温度特性を含めて十分な評価を行い、CIN、CLを選
定してください。
・一般に、ボルテージレギュレータでは、入力電圧起動時、入力電圧変動時など、入力電圧が急峻に変化すると、出力
電圧に瞬時オーバーシュートが生じることがありますので、実際のアプリケーションで温度特性を含めて十分な評価
を行い、問題のないことを確認してください。
・一般に、ボルテージレギュレータでは、VOUT端子が急峻にGNDに短絡されると、アプリケーション上のインダクタ
ンスとCLを含むキャパシタンスとの共振現象により、VOUT端子に絶対最大定格を越える負電圧が発生する可能性が
あります。共振経路に直列抵抗を挿入することにより共振現象の緩和が期待でき、VOUT端子 − VSS端子間に保護ダ
イオードを挿入することにより負電圧を制限する効果が期待できます。
・CLの容量値が大きい条件で入力電圧起動を急峻に行うと、CLへの充電電流のため、自己発熱によりサーマルシャット
ダウン回路が検出状態になる可能性があります。
・内部の損失が許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の条件を確認してください。
・静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないようにして
ください。
・本ICで出力可能な出力電流値をご検討の際は、" 電気的特性"、表9の出力電流値および欄外の注意書き*4を確認し
てください。
・VIN端子、VOUT端子、VSS端子に関係するアプリケーション上の配線は、インピーダンスが低くなるようにご注意
ください。なお、VIN端子 − VSS端子間のCINとVOUT端子 − VSS端子間のCLは、それぞれ本ICの接続先端子の直近に
接続してください。
・裏面放熱板を備えたパッケージでは、裏面放熱板をしっかりと実装してください。放熱性はアプリケーションの条件
によって異なるため、実際のアプリケーションで十分な評価を行い、問題のないことを確認してください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当ICを含
めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
16
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高耐圧
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 諸特性データ (Typicalデータ)
出力電圧 − 出力電流 (負荷電流増加時) (Ta = +25°C)
VOUT [V]
1. 1
VOUT = 2.5 V
VOUT = 5.0 V
3.0
6.0
2.5
5.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
備考
1. 2
VOUT [V]
1.
VIN = 3.0 V
VIN = 3.5 V
VIN = 4.5 V
VIN = 9.0 V
0
4.0
VIN = 5.5 V
VIN = 6.0 V
VIN = 7.0 V
VIN = 9.0 V
3.0
2.0
1.0
0.0
100 200 300 400 500 600 700 800
IOUT [mA]
0
100 200 300 400 500 600 700 800
IOUT [mA]
必要とする出力電流の設定においては、次の点に注意してください。
1. " 電気的特性"、表9の出力電流min.値、および注意書き*4
2. 許容損失
出力電圧 − 入力電圧 (Ta = +25°C)
VOUT [V]
2. 1
VOUT = 2.5 V
2. 2
5.4
2.7
5.2
2.5
5.0
2.3
IOUT = 0.1 mA
IOUT = 10 mA
IOUT = 40 mA
2.1
1.9
1.7
2. 3
VOUT = 5.0 V
2.9
VOUT [V]
2.
0
6
12
4.8
IOUT = 0.1 mA
IOUT = 10 mA
IOUT = 40 mA
4.6
4.4
18
24
VIN [V]
30
36
4.2
0
6
12
18
24
VIN [V]
30
36
VOUT = 16.0 V
16.4
VOUT [V]
16.2
16.0
IOUT = 0.1 mA
IOUT = 10 mA
IOUT = 40 mA
15.8
15.6
15.4
15.2
0
6
12
18
24
VIN [V]
30
36
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3.
高耐圧
低飽和型
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ドロップアウト電圧 − 出力電流
3. 1
VOUT = 2.5 V
3. 2
1.2
1.2
Tj = +125C
0.6
Tj = +25C
0.4
0.2
3. 3
1.0
Tj = +150C
0.8
Vdrop [V]
Vdrop [V]
1.0
0.0
VOUT = 5.0 V
50
100
150
IOUT [mA]
200
Tj = +125C
0.6
Tj = +25C
0.4
0.2
Tj = 40C
0
Tj = +150C
0.8
0.0
250
Tj = 40C
0
50
100
150
IOUT [mA]
200
250
VOUT = 16.0 V
1.2
Vdrop [V]
1.0
Tj = +150C
0.8
Tj = +125C
0.6
Tj = +25C
0.4
0.2
0.0
4.
Tj = 40C
0
50
100
150
IOUT [mA]
200
250
ドロップアウト電圧 − ジャンクション温度
4. 1
VOUT = 2.5 V
4. 2
0.6
0.6
0.4
0.3
0.2
IOUT = 10 mA
0.1
0.0
−40 −25
4. 3
0.5
IOUT = 125 mA
Vdrop [V]
Vdrop [V]
0.5
VOUT = 5.0 V
0
25
0.4
0.3
0.2
50 75 100 125 150
Tj [C]
0.0
−40 −25
0.6
Vdrop [V]
IOUT = 125 mA
0.4
0.3
0.2
IOUT = 10 mA
0.1
0.0
−40 −25
18
0
25
IOUT = 10 mA
0.1
VOUT = 16.0 V
0.5
IOUT = 125 mA
50 75 100 125 150
Tj [C]
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0
25
50 75 100 125 150
Tj [C]
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5.
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ドロップアウト電圧 − 設定出力電圧 (Ta = +25°C)
1.0
Vdrop [V]
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
6.
IOUT = 250 mA
IOUT = 125 mA
IOUT = 40 mA
IOUT = 10 mA
IOUT = 0.1 mA
0.0
4.0
8.0
VOUT(S) [V]
12.0
16.0
出力電圧 − ジャンクション温度
6. 1
VOUT = 2.5 V
6. 2
VOUT = 5.0 V
5.10
2.53
5.06
2.51
2.49
2.47
2.45
−40 −25
6. 3
VIN = 7.0 V
2.55
VOUT [V]
VOUT [V]
VIN = 4.5 V
5.02
4.98
4.94
0
25
50 75 100 125 150
Tj [C]
4.90
−40 −25
0
25
50 75 100 125 150
Tj [C]
VOUT = 16.0 V
VIN = 18.0 V
16.28
VOUT [V]
16.18
16.08
15.98
15.88
15.78
15.68
−40 −25
0
25
50 75 100 125 150
Tj [C]
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7.
高耐圧
低飽和型
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動作時消費電流 − 入力電圧 (ON / OFF端子がON、無負荷)
7. 1
VOUT = 2.5 V
7. 2
50.0
50.0
40.0
Tj = 150C
Tj = 125C
Tj = 25C
Tj = 40C
30.0
20.0
ISS1 [A]
ISS1 [A]
40.0
10.0
0.0
7. 3
Tj = 150C
Tj = 125C
Tj = 25C
Tj = 40C
30.0
20.0
10.0
0
6
12
18
VIN [V]
24
30
0.0
36
0
6
12
18
VIN [V]
24
30
36
VOUT = 16.0 V
50.0
Tj = 40C
Tj = 25C
40.0
ISS1 [A]
VOUT = 5.0 V
30.0
Tj = 125C
Tj = 150C
20.0
10.0
0.0
8.
0
6
12
18
VIN [V]
24
30
36
動作時消費電流 − ジャンクション温度
8. 1
VOUT = 2.5 V
8. 2
VOUT = 5.0 V
10.0
8.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
8. 3
VIN = 18.0 V
10.0
ISS1 [A]
ISS1 [A]
VIN = 18.0 V
6.0
4.0
2.0
0
25
50
75
100
Tj [C]
125
150
0.0
0
VOUT = 16.0 V
VIN = 18.0 V
10.0
ISS1 [A]
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
20
0
25
50
75
100
Tj [C]
125
150
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25
50
75
100
Tj [C]
125
150
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Rev.1.0_01
動作時消費電流 − 出力電流 (Ta = +25°C)
9.
9. 1
VOUT = 2.5 V
9. 2
50.0
50.0
40.0
VIN = 3.5 V
30.0
ISS1 [A]
ISS1 [A]
40.0
VIN = 13.5 V
20.0
10.0
0.0
9. 3
VOUT = 5.0 V
VIN = 6.0 V
30.0
VIN = 13.5 V
20.0
10.0
0
50
100
150
IOUT [mA]
200
250
200
250
0.0
0
50
100
150
IOUT [mA]
200
250
VOUT = 16.0 V
50.0
ISS1 [A]
40.0
VIN = 17.0 V
30.0
VIN = 20.0 V
20.0
10.0
0.0
50
リップル除去率 (Ta = +25°C)
Ripple Rejection [dB]
10. 1
VOUT = 2.5 V
10. 3
10. 2
VIN = 4.5 V, CL = 1.0 μF
120
100
IOUT = 0.01 mA
80
60
IOUT = 10 mA
40
20
IOUT = 250 mA
0
10
Ripple Rejection [dB]
100
150
IOUT [mA]
100
1k
10k
Frequency [Hz]
100k
Ripple Rejection [dB]
10.
0
VOUT = 5.0 V
VIN = 7.0 V, CL = 1.0 μF
120
100
IOUT = 0.01 mA
80
IOUT = 10 mA
60
40
20
IOUT = 250 mA
0
10
100
1k
10k
Frequency [Hz]
100k
VOUT = 16.0 V
VIN = 18.0 V, CL = 1.0 μF
120
100
IOUT = 0.01 mA
80
IOUT = 10 mA
60
40
20
0
IOUT = 250 mA
10
100
1k
10k
Frequency [Hz]
100k
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 参考データ
入力過渡応答特性 (Ta = +25°C)
1. 1 VOUT = 2.5 V
IOUT = 40 mA, CIN = 1.0 μF, VIN = 11.5 V ↔ 13.5 V, tr = tf = 5.0 μs
3.3
15
VIN
2.7
2.5
CL = 10.0 F
CL = 22.0 F
11
9
VOUT [V]
2.9
5.6
13
VIN [V]
VOUT [V]
3.1
1. 2 VOUT = 5.0 V
IOUT = 40 mA, CIN = 1.0 μF, VIN = 11.5 V ↔ 13.5 V, tr = tf = 5.0 μs
5.8
15
2.3
5
0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
t [ms]
VIN
5.2
5.0
7
VOUT
5.4
13
CL = 10.0 F
CL = 22.0 F
11
9
VIN [V]
1.
7
VOUT
4.8
5
0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
t [ms]
1. 3 VOUT = 16.0 V
IOUT = 40 mA, CIN = 1.0 μF, VIN = 18.0 V ↔ 19.5 V, tr = tf = 5.0 μs
16.8
21
16.4
19
VIN
16.2
16.0
CL = 10.0 F
CL = 22.0 F
17
15
VIN [V]
VOUT [V]
16.6
13
VOUT
15.8
11
0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
t [ms]
負荷過渡応答特性 (Ta = +25°C)
2. 1 VOUT = 2.5 V
VIN = 13.5 V, CIN = 1.0 μF, IOUT = 50 mA ↔ 100 mA
2.9
150
2.6
2.5
IOUT
5.3
50
5.2
0
VOUT
50
CL = 22.0 F
CL = 10.0 F
2.4
100
100
5.1
5.0
16.1
16.0
15.9
100
IOUT
50
0
VOUT
50
CL = 22.0 F
CL = 10.0 F
100
15.8
150
0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
t [ms]
22
IOUT [mA]
VOUT [V]
16.2
0
50
CL = 22.0 F
CL = 10.0 F
100
4.8
150
0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
t [ms]
2. 3 VOUT = 16.0 V
VIN = 18.0 V, CIN = 1.0 μF, IOUT = 50 mA ↔ 100 mA
16.4
150
16.3
50
VOUT
4.9
2.3
150
0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
t [ms]
100
IOUT
3
セイコーインスツル株式会社
IOUT [mA]
2.7
IOUT [mA]
VOUT [V]
2.8
2. 2 VOUT = 5.0 V
VIN = 13.5 V, CIN = 1.0 μF, IOUT = 50 mA ↔ 100 mA
5.4
150
VOUT [V]
2.
車載用
125°C動作
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
ON / OFF端子過渡応答特性 (Ta = +25°C)
VOUT = 2.5 V
VIN = 13.5 V, CL = 10.0 μF, CIN = 1.0 μF,
IOUT = 125 mA, VON / OFF = 0 V → 13.5 V
18
15.0
12
9.0
6
6.0
3.0
0.0
0
VON / OFF
6
12
VOUT
3.0
0.5
VOUT [V]
12.0
VOUT = 5.0 V
VIN = 13.5 V, CL = 10.0 μF, CIN = 1.0 μF,
IOUT = 125 mA, VON / OFF = 0 V → 13.5 V
18
15.0
3. 2
VON / OFF [V]
VOUT [V]
3. 1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
12
9.0
6
6.0
3.0
0.0
18
0.0
12.0
6
12
VOUT
3.0
0.5
3.0
0
VON / OFF
18
0.0
0.5
t [ms]
4.
2.0
2.5
3.0
VIN = 13.5 V, CIN = 1.0 μF, IOUT = 100 mA → 50 mA
0.20
Overshoot [V]
Undershoot [V]
1.5
負荷過渡応答容量依存特性 (Ta = +25°C)
0.15
0.10
0.05
0.00
0.15
0.10
0.05
0.00
0
20
40
60
CL [F]
80
100
0
20
40
60
CL [F]
80
100
入力過渡応答容量依存特性 (Ta = +25°C)
5. 1 VOUT = 5.0 V
VIN = 7.0 V → 12.0 V, tr = 5.0 μs,
CIN = 1.0 μF, IOUT = 40 mA
2.0
VIN = 12.0 V → 7.0 V, tr = 5.0 μs,
CIN = 1.0 μF, IOUT = 40 mA
2.0
Undershoot [V]
Overshoot [V]
1.0
t [ms]
4. 1 VOUT = 5.0 V
VIN = 13.5 V, CIN = 1.0 μF, IOUT = 50 mA → 100 mA
0.20
5.
VON / OFF [V]
3.
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
1.5
1.0
0.5
0.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
CL [μF]
80
100
0
セイコーインスツル株式会社
20
40
60
CL [μF]
80
100
23
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
6.
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
等価直列抵抗 − 出力電流特性例 (Ta = +25°C)
CIN = CL = 1.0 μF
100
RESR [Ω]
VIN
CIN
Stable
0
ON / OFF
0.1
250
S-19212
シリーズ
VSS
VOUT
CL
*1
RESR
IOUT [mA]
*1.
CL : TDK株式会社 CGA5L3X8R1H105M (1.0 μF)
図15
24
図16
セイコーインスツル株式会社
125°C動作
車載用
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
 パッケージ熱特性
1. HSOP-8A
Tj = 150C max.
5.0
許容損失 (PD) [W]
4.0
3.0
基板5
3.57 W
基板3
2.98 W
基板4
2.91 W
2.0
1.0
0
基板2
1.52 W
基板1
1.09 W
0
50
図17
1. 1
100
周囲温度 (Ta) [C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
基板1
76.2 mm
表12
114.3 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
115°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
1
銅箔層
2
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
2
−
3
−
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
−
サーマルビア
図18
基板2
76.2 mm
表13
項目
114.3 mm
1. 2
仕様
熱抵抗値 (θja)
82°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
サーマルビア
−
図19
セイコーインスツル株式会社
25
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
1. 3
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
基板3
76.2 mm
表14
114.3 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
42°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
数 :4
直径 : 0.3 mm
サーマルビア
図20
基板4
76.2 mm
45 mm
表15
114.3 mm
項目
50 mm
1. 4
仕様
熱抵抗値 (θja)
43°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
1
4
放熱用パターン : 45 mm × 50 mm × t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
銅箔層
−
サーマルビア
放熱用パターン
図21
1. 5
基板5
76.2 mm
45 mm
表16
114.3 mm
50 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
35°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
1
4
放熱用パターン : 45 mm × 50 mm × t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
数 :4
直径 : 0.3 mm
銅箔層
サーマルビア
図22
26
セイコーインスツル株式会社
125°C動作
車載用
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
2. HSOP-6
Tj = 150C max.
3.0
基板4
2.60 W
許容損失 (PD) [W]
2.5
基板3
2.45 W
2.0
基板2
1.52 W
1.5
基板1
1.18 W
1.0
0.5
0
0
50
図23
2. 1
100
周囲温度 (Ta) [C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
基板1
76.2 mm
表17
114.3 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
106°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
2
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
1
銅箔層
2
−
3
−
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
−
サーマルビア
図24
基板2
76.2 mm
表18
項目
114.3 mm
2. 2
仕様
熱抵抗値 (θja)
82°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
サーマルビア
−
図25
セイコーインスツル株式会社
27
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
2. 3
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
基板3
76.2 mm
45 mm
表19
114.3 mm
50 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
51°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
放熱用パターン : 45 mm × 50 mm × t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
−
サーマルビア
図26
2. 4
基板4
76.2 mm
45 mm
表20
114.3 mm
50 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
48°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
1
4
放熱用パターン : 45 mm × 50 mm × t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
数 :4
直径 : 0.3 mm
銅箔層
サーマルビア
図27
28
セイコーインスツル株式会社
125°C動作
車載用
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
3. SOT-89-5
Tj = 150C max.
4.0
基板4
3.05 W
許容損失 (PD) [W]
3.0
基板3
2.36 W
2.0
基板2
1.39 W
1.0
0
基板1
1.02 W
0
50
図28
3. 1
100
周囲温度 (Ta) [C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
基板1
76.2 mm
表21
114.3 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
123°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
2
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
1
銅箔層
2
−
3
−
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
−
サーマルビア
図29
基板2
76.2 mm
表22
項目
114.3 mm
3. 2
仕様
熱抵抗値 (θja)
90°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
サーマルビア
−
図30
セイコーインスツル株式会社
29
車載用 125°C動作
S-19212シリーズ
3. 3
高耐圧
低飽和型
CMOSボルテージレギュレータ
Rev.1.0_01
基板3
76.2 mm
45 mm
表23
114.3 mm
50 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
53°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
放熱用パターン : 45 mm × 50 mm × t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
−
サーマルビア
図31
3. 4
基板4
76.2 mm
45 mm
表24
114.3 mm
50 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
41°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
1
4
放熱用パターン : 45 mm × 50 mm × t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
数 :4
直径 : 0.3 mm
銅箔層
サーマルビア
図32
30
セイコーインスツル株式会社
125°C動作
車載用
高耐圧
低飽和型
Rev.1.0_01
CMOSボルテージレギュレータ
S-19212シリーズ
4. SOT-23-5
Tj = 150C max.
1.0
基板2
0.87 W
許容損失 (PD) [W]
0.8
基板1
0.69 W
0.6
0.4
0.2
0
0
50
図33
4. 1
100
周囲温度 (Ta) [C]
150
パッケージ許容損失 (基板実装時)
基板1*1
76.2 mm
表25
114.3 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
180°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
2
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
1
銅箔層
2
−
3
−
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
−
サーマルビア
図34
4. 2
基板2
*1
76.2 mm
表26
114.3 mm
項目
仕様
熱抵抗値 (θja)
143°C/W
サイズ
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
材料
FR-4
銅箔層数
銅箔層
1
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
2
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
3
74.2 mm × 74.2 mm × t0.035 mm
4
74.2 mm × 74.2 mm × t0.070 mm
サーマルビア
−
図35
*1.
基板はSOT-23-3、SOT-23-5、SOT-23-6で同一です。
セイコーインスツル株式会社
31
5.02±0.2
8
5
1
4
1.27
1
0.20±0.05
0.4±0.05
3.0
4
No. FH008-A-P-SD-1.0
8
5
TITLE
HSOP8A-A-PKG Dimensions
No.
FH008-A-P-SD-1.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
2.0±0.05
ø1.5 +0.1
-0.0
0.3±0.05
ø2.0±0.05
8.0±0.1
2.1±0.1
6.7±0.1
1
8
4
5
Feed direction
No. FH008-A-C-SD-1.0
TITLE
HSOP8A-A-Carrier Tape
No.
FH008-A-C-SD-1.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
17.4±1.0
13.4±1.0
Enlarged drawing in the central part
ø21±0.8
2±0.5
ø13±0.2
No. FH008A-R-SD-1.0
TITLE
HSOP8A-A-Reel
No.
FH008-A-R-SD-1.0
SCALE
UNIT
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
4,000
0.76
3.2
1.27
1.27
1.27
No. FH008-A-L-SD-1.0
HSOP8A-A-Land Recommendation
TITLE
FH008-A-L-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
5.02±0.2
6
1
0.4±0.05
5
4
2
3
0.20±0.05
1.67±0.05
1.91
1.91
No. FH006-A-P-SD-2.0
TITLE
HSOP6-A-PKG Dimensions
FH006-A-P-SD-2.0
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
2.0±0.05
ø1.55±0.05
0.3±0.05
ø2.0±0.05
8.0±0.1
2.1±0.1
5°max.
6.7±0.1
1
6
3
4
Feed direction
No. FH006-A-C-SD-1.0
TITLE
HSOP6-A-Carrier Tape
No.
FH006-A-C-SD-1.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
60°
2±0.5
13.5±0.5
Enlarged drawing in the central part
ø21±0.8
2±0.5
ø13±0.2
No. FH006-A-R-S1-1.0
TITLE
HSOP6-A-Reel
FH006-A-R-S1-1.0
No.
SCALE
UNIT
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
4,000
4.5±0.1
1.5±0.1
1.6±0.2
5
1
4
2
3
1.5±0.1 1.5±0.1
0.4±0.05
0.3
0.4±0.1
0.4±0.1
45°
0.45±0.1
No. UP005-A-P-SD-1.1
TITLE
SOT895-A-PKG Dimensions
UP005-A-P-SD-1.1
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
4.0±0.1(10 pitches : 40.0±0.2)
ø1.5 +0.1
-0
2.0±0.05
5° max.
ø1.5 +0.1
-0
0.3±0.05
8.0±0.1
2.0±0.1
4.75±0.1
3 2 1
4
5
Feed direction
No. UP005-A-C-SD-1.1
TITLE
SOT895-A-Carrier Tape
UP005-A-C-SD-1.1
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
16.5max.
13.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
(60°)
(60°)
No. UP005-A-R-SD-1.1
TITLE
SOT895-A-Reel
No.
UP005-A-R-SD-1.1
SCALE
QTY.
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
1,000
2.9±0.2
1.9±0.2
4
5
1
2
+0.1
0.16 -0.06
3
0.95±0.1
0.4±0.1
No. MP005-A-P-SD-1.2
TITLE
No.
SOT235-A-PKG Dimensions
MP005-A-P-SD-1.2
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
+0.1
ø1.5 -0
2.0±0.05
+0.2
ø1.0 -0
0.25±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
3.2±0.2
3 2 1
4
5
Feed direction
No. MP005-A-C-SD-2.1
TITLE
SOT235-A-Carrier Tape
No.
MP005-A-C-SD-2.1
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. MP005-A-R-SD-1.1
SOT235-A-Reel
TITLE
No.
MP005-A-R-SD-1.1
SCALE
QTY.
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
3,000
www.sii-ic.com
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