化合物半導体技術
製品省電力化に貢献
SiCは絶縁破壊電圧、バンドギャップ、熱伝導率が大きい等の特長を有し、従来のSiパワー半導体に
比較して低消費電力化が可能です。
昭和電工のＳ
ｉＣエピタキシャルウエハ
●高耐圧、大電流を実現するＳ
ｉＣパワー半導体
デバイス向けのＳ
ｉＣエピタキシャルウエハを
提供します。
●SiCエピタキシャルウエハ外販メーカーとして
世界トップシェアを確保（2014.12現在）
●SiCと従来材の比較
Si
SiC（4H）
GaN
バンドギャップ（eV）
1.1
3.23
3.37
絶縁破壊電界（MV/cm）
0.3
2.8
2.6
1500
1000
1200
1.3
4.9
2
キャリア移動度（cm 2/V/s）
熱伝導率（W/cm/k）
一般物性値で保証値ではありません。
特長
●大口径6”エピタキシャルウエハを提供
●膜厚・キャリアー濃度の優れた均一性
●大チップ化を可能にする低欠陥ウエハ
6”
●6”エピタキシャルウエハの膜厚分布
1E+16
Carrir Conc.(cm-3)
Thickness(μｍ）
18
16
14
10
-75
3”
●6”エピタキシャルウエハのキャリア濃度分布
20
12
4”
8.9%(max-min/avg)
-25
25
Position(mm)
75
1E+15
-75
19.2%(max-min/avg)
-25
25
Position(mm)
75

平成26年度乗鞍畳平クマ情報マップ（H26.9.12現在）

《GWチャレンジトーナメント》 《クラスポ杯スカッチ

個人用サウンドレベルメータ

クラスポ蒲郡店を2日間お休みさせて頂きます。

超音波検査の活用によるバスキュラーアクセスの管理

取扱説明書

『祝』オレンジボウル イオン豊川店オープン記念チャレンジ 『播磨 友和

性能が 違う 耐久性が 違う 保証が 違う

《クラスポ杯スカッチダブルスボウリング大会》 《蒲郡オレンジボウル 月間

ダブルスエントリーフォーム

愛知スポーツ・レクリエーションフェスティバルʼ15ʼ東

概略仕様 - HGST

イオン豊川店オープン記念チャレンジ 『酒井 美佳』プロ

第2回経営システム工学実験レポート

発表資料

モデル AN10 風速計

スライド 1

スライド 1

スライド 1

イオン豊川店オープン記念チャレンジ 『酒井 武雄』プロ＆『鈴 元司』プロ

2016プロチャレンジ 第37弾 ダブルチャレンジマッチ

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