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M=Ce
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M=Si
M=Te
M=Ti
102
101
100
10-1
400
600
800
T (K)
1000
1200
0
Seebeck Coefficient (µV/K)
electrical resistivity (m!cm)
104
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-100
-200
-300
pure
M=Ge
M=Sn
M=Ce
M=Si
M=Te
M=Ti
-400
-500
400
600
800
T (K)
1000
1200
Thermal Conductivity (mW/cmK)
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300
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150
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50
0
400
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800
T (K)
1000
1200
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IV族半導体高度歪量子ヘテロ構造 高集積化プロセス

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