Texas Instruments

●Texas Instruments●
Texas Instruments[http://www.ti.com]
本社所在地
12500 TI Boulevard, Dallas, TX 75243-4136, USA
（百万米ドル） 10 年 12 月期
電話番号
1-800-336-5236
11 年 12 月期
12 年 12 月期
13 年 12 月期
全社売上高
13966
13735
12825
12205
半導体売上高
13966
13735
12825
12205
全社設備投資
1200
816
495
412
主な製品
DSP、標準ロジック、マイコン、アナログ IC、ミクスト・シグナル IC
製品別構成比
アナログ： 55％、組込プロセシング： 15％、ワイヤレス： 11％、その他： 19％
主な投資先
10 年 12 月期
DMO-6、 DMOS-5、 R-Fab、中国工場
11 年 12 月期
DMOS-6、 R-Fab、中国工場、会津工場
12 年 12 月期
DMOS-6、 R-Fab、中国工場、会津工場
13 年 12 月期
DMOS-6、 R-Fab、中国工場
（1）事業戦略
①アナログ事業への注力
同社は高性能アナログ、パワー IC、とアナログ製品、 DSP を中心とする組込プロセシング分野を中核企業として強化を
進めている。一方、および OMAP アプリケーションプロセサ、コネクション用 IC などのワイヤレス事業からは撤退、事業
の売却などを行っている。
経営資本を事業の柱であるアナログ製品に集中することで、一層の強化を図る。生産面でもデジタル製品向けの旧ライ
ンの設備をアナログ製品の製造に振り向けていく。
アナログと並ぶ柱となる、 DSP などの組込プロセシング製品については、ソリューション供給能力を強化、高い成長性を
もつ市場の開拓を進める。 DSP などデジタル・ロジック製品においては 45nm で量産しており、 2xnm プロセスについても
生産を検討している。先端プロセスについては外部ファンドリでの製造が中心となっている。
アナログ IC 事業強化の一環として、 11 年にはアナログ IC 大手の米 National Semiconductor を買収している。なお、 NS
は引き続き米国カリフォルニア州のサンタクララに本社を置き、活動を展開している。製造面でも、米国メイン州、スコット
ランド、マレーシアの NS の生産拠点の操業を継続している。
②他社工場・設備の買収
12 年後半以降の他社工場・設備の買収としては、中国の 13 年 12 月に中国の OSAT 企業 UTAC 社から成都（Cengdu）
ハイテクパーク内の後工程工場建屋を取得した。 TI は 13 年初めに、成都での事業に関して、前工程を含めて、 15 年間
で 16 億 9000 万米ドルの投資を行う計画を発表しており、この買収は同計画の一貫である。
12 ～ 13 年の今回取得した工場は、 TI としては 7 番目の後工程工場となる。工場規模は 35 万 8000ft2 で、前工程工場と同じ敷地内
事業動向
に置かれており、成都工場が一貫生産工場となる。新工場には装置を導入、小規模生産を開始している。 2014 年第 4
四半期までに装置導入を終え、製造を開始する計画である。
（2）業績動向
製品分野としては、アナログ製品と信号プロセシング製品分野がある。このうち、アナログ分野としては。量産アナログ
＆ロジック（HVAL）製品、パワーマネージメント、高性能アナログ（HPA）、旧 NS 製品の Silicon Valley Analog (SVA).
がある。
① 12 年度業績
2012 年度通期業績は、売上高が前年度比 7％減の 128 億 2500 万米ドル。営業利益は同 34％減の 19 億 7300 万米ドル、
純利益は同 21％減の 17 億 5900 万米ドルとなった。設備投資額は同 39％減の 4 億 9500 万米ドルとなった。
アナログ製品は、売上高が同 10％増の 69 億 9800 万米ドル、営業利益は同 3％減の 16 億 5000 万米ドルとなった。
組込プロセシング製品は、売上高が同 7％減の 19 億 7100 万米ドル、営業利益は同 55％減の 1 億 6600 万米ドルとなった。
ワイヤレス向け製品は、売上高が同 46％減の 13 億 5700 万米ドル、営業利益は 5 億 2500 万米ドルの損失で、前年度
から 9 億 3700 万米ドルの悪化となった。その他事業の売上高は同 9％減の 24 億 9900 万米ドル、営業利益は同 31％増
の 6 億 8200 万米ドルとなった。
② 13 年度
2013 年度通期の売上高は前年度比 4.8％減の 122 億 500 万米ドル、営業利益は 43.5％増の 28 億 3200 万米ドル、
222
●Texas Instruments●
純利益は同 22.9％増の 21 億 6200 万米ドルとなった。通期設備投資額は 4 億 1200 万米ドルで、前年度から 8300 万米ド
ルの減少となった。
アナログ製品事業の売上高は前年度比 3％増の 71 億 9400 万米ドル、営業利益は同 13％増の 18 億 5900 万米ドルと
なった。パワー分野が成長を牽引、 SVA、 HPA も堅調に推移した。しかし、当初計画よりも低い水準にとどまった。なお、
HVAL については、製品構成の行った結果、売り上げを落とす結果となった。営業利益は売り上げ増に加えて、製造コス
トの引き下げに成功したことから二桁増を達成した。
組込プロセシング事業の売上高は同 9％増の 24 億 5000 万米ドル、営業利益は同 17％増の 1 億 8500 万米ドルとなった。
マイコンは予想通りに成長したが、 DSP と通信関連製品が予想を下回る成長にとどまった。売り上げ増はあったが、営業
支出の増加を補完し、拡大につなげることを達成した。
その他事業売上高は同 28％減の 25 億 6100 万米ドル、営業利益は同 378％増の 7 億 8800 万米ドルとなった。無線通
信対応の旧製品の売り上げ減が影響している。営業利益については、リストラ向け費用、事業コストの低減が大幅な利益
増につながった。
10 ～ 12 年の ③ 14 年度以降の計画
事業動向 ( 続 14 年度第 1 四半期売上高は前年度同期比 3％増の 29 億 8300 万米ドル、従来のワイヤレス製品を除くと 11％増となる。
き)
営業利益は同 75％増の 6 億 9000 万米ドル、純利益は同 35％増の 4 億 8700 万米ドルとなった。
アナログ製品事業の売上高は前年度同期比 11％増の 18 億 3700 万米ドル、営業利益は同 66％増の 4 億 9800 万米ド
ルとなった。すべての製品ラインで、前年同期比増となった。電源 IC 製品および汎用向け高性能アナログ製品の売上増
はほぼ同じで、次いでシリコン・バレー・アナログ事業部製品および特定用途向けアナログ / ロジック製品が続いている。
営業利益は、主に売上増および粗利益増により、前年同期比で増加となった。
組込プロセシングの売上高は同 17％増の 6 億 5600 万米ドル、営業利益は同 643％増の 5200 万米ドルとなった。同分
野の売上高は、すべての製品ラインにおいて前年同期比で増加した。マイコンが最大の増加となり、次いでプロセサおよ
びコネクティビティ製品が続いた。営業利益は、売上増および粗利益増により、前年同期比で増加となった。
その他事業の売上高は同 28％減の 4 億 9000 万米ドル、営業利益は同 59％増の 1 億 4000 万米ドルとなった。売上高
は、従来のワイヤレス製品の売上減により、前年同期比で減少となった。営業利益は、経費の減少および再編成 / その
他費用の減少により、前年同期比で増加となった、粗利益減により一部相殺された。その他事業には DLP 製品、カスタ
ム ASIC 製品、グラフ電卓、ロイヤルティ、従来のワイヤレス製品などが含まれている。
（1）工場計画
①工場概要
2013 年ではウェーハプロセス処理の 20％は外部ファンドリで行っている。これは組込プロセシング製品が中心となって
いる。
アナログ製品については自社工場でほとんどを生産している。今後は自社の生産能力はアナログ製品製造を中心に強
化していく。これに対して、高性能ロジックなどデジタル製品については社内の生産設備と外部ファンドリを組み合わせて
利用している。
このように MOS ロジック製品に関しては、最先端プロセスを使用する製品の初期生産は外部ファンドリで行なうことに
なる。プロセスが安定し、製品としても生産量が稼げるようになってから自社ラインで生産を行なっていく。また、自社で
の生産量は一定水準に抑え、需要増はファンドリの強化で対応する。 2014 年初めの段階では、自社工場での製造は
45nm までとなっている。
現在、同社では前工程工場 11 工場が稼働している。内訳は 300mm 工場が 2、 200mm 工場が 8、 150mm 工場が 1
投資動向・となっている。 NS の 2 工場、中国・成都の中国工場（旧 CSMC）の 1 工場が含まれている。いずれも 200mm ウェー
工場計画
ハ対応工場である。
なお、日本の日出工場（大分県日出町）および米国テキサス州 Houston の（H-Fab）の 2 工場を、 2013 年中に閉
鎖している。これら工場の生産は、より先進的な他の工場へ移管している。
Spansion から買収した会津の 300mm ウェーハ対応の SP1 については、 300mm ウェーハで月産 5000 ～ 8000 枚程
度の設備が導入されていたものとみられる。購入対象にはこの製造装置が含まれており、その多くは米国テキサス州
Richardson 工場（RFAB）の Phase2 に移設された。 200m ウェーハ対応ラインの JV3 は稼働を継続している。
② 300mm ウェーハ対応工場
300mm ウェーハ対応工場は DSP などの先端ロジック製品の製造を担当する DMOS6、アナログ製品を担当する RFAB
の 2 工場。
DMOS6 は同社の最先端ラインとして、 65/45nm プロセスまでの量産を行っている。同工場は今後、ファンドリと共同
開発した最先端のプロセス技術の同社における受け皿として機能する、ファンドリのラインにおいて評価した技術を Copy
Exact の形で導入していく。現時点では、 45nm が最先端プロセスとなっている
DMOS6 のクリーンルーム面積は 13 万 5000ft2、フル稼働時に生産能力は月産 2 万 5000 枚となっている。 12 年以降で
はフルキャパシティの稼動が続いている。同社のデジタル製品については、アプリケーションプロセサを含む従来からの
223
●Texas Instruments●
プロセサ、通信用デバイス事業からは撤退を進めており、対象となる生産能力に対する需要も少なくなっており、同工場
についても増強投資は控えられている。このため、 12 年度、 13 年度とも設備投資は、 45nm プロセスの整備、生産効
率の向上などの投資に抑えられている。
先端アナログ製品向けの 300mm ウェーハ対応工場が RFAB である。同工場は 09 年 9 月から装置導入を開始、 10 年
末第 4 四半期から第 1 期分（Phase1）の量産を開始した。さらに 10 年 4 月には第 2 期（Phase2）拡張の建設も開始、
12 年には稼働を開始した。
同工場に導入するために、Qimonda の Dresden 工場、Richmond 工場の 300mm ウェーハ対応装置 100 台を購入（購
入額は 1 億 7000 万米ドル超）した。さらにその後も、買収したスパンション・ジャパンの SP1 ラインの 300mm ウェーハ
対応装置を移設するなど増強を進めた。
これにより 12 年第 1 四半期には第 1 期分の生産能力を 2 万 4000 枚に拡大した。売上高にして 20 億米ドル規模となっ
ているものと推定される。さらに 12 年にも約 1 億 2000 万米ドルの投資を行い、第 2 期ラインの立ち上げを進めた。
13 年度にも 1 億～ 1 億 2000 万米ドル程度の投資を行い第 2 期ラインまでの量産を立ち上げ、生産能力は月産 3 万
5000 ～ 3 万 7000 枚規模にまで拡大している。 14 年度の増強を継続する。
同工場は第 3 期までの拡張いよりフルスペースとすることで、生産能力は月産 4 万 5000 ～ 5 万枚程度に拡大、売り
上げ規模も 50 億米ドルレベルにまで拡大させる計画である。
同工場は、敷地面積 92 エーカー、延べ床面積 110 万 ft2( 約 10 万 2200m2)、クリーンルーム面積は 22 万 ft2 と計画
されている。総投資額は計画開始段階で約 30 億米ドルで、着工後数年間に渡り順次投じられていく。うち建設費は約 3
億米ドル。
③ 200mm ウェーハ対応工場
200mm 工場は DFab、DMOS5、FFab、美浦工場 Miho8 に加えて、旧 NS の MFab （メイン州 South portland）、Fab3 （ス
コットランド Greenock）、スパンション・ジャパンの JV3 （福島県会津若松市）、中国の CSMC。
DMOS5 は DSP 生産が中心であったが、高性能アナログ・プロセス、 Mixed Signal デバイスといった高性能アナログ
品へのシフトを進めている。プロセス面でも 0.11μm までの対応可能としている。生産能力は月産 6 万枚としている。
そのほか、独 Freisburg の F-FAB、 DFAB、美浦、の 200mm ラインでは BiCMOS によるミクスト・シグナル IC を含
むアナログ IC の製造が主体となっている。
F-Fab は月産 5 万枚規模となっている。 D-Fab は月産 4 万 5000 枚、製造プロセスは 0.35μm となっている。
投資動向・美浦工場は 10 年 11 月には従来の 200mm ウェーハ対応ラインである Miho と従来の 150mm ウェーハ対応を 200mm ウェー
工場計画
ハ対応にアップグレードしたものを統合して、Miho8 として運営している。MOS8 としての生産能力は月産 7 万 5000 枚となっ
ている。プロセスは 0.5 ～ 0.22 μ m まで対応している。アナログ IC が製品の中心となっている。
Spansion から買収した会津工場（旧スパンション・ジャパン JV3）は、フラッシュメモリ製造時の生産能力は月産 3
万 8000 枚であったが、アナログ製品向けに転換したことで生生産能力が低下、 10 年度末時点で月産 2 万枚となった。
その後、 13 年度第 1 四半期には同 3 万 5000 枚レベルに引き上げている。
中国では四川省成都市の Cention Semiconductor Manufacturing （CSMC）社の 200mm ウェーハ対応工場を買収、 10
年 10 月からは自社の中国工場として運用している。同工場は 10 年 10 月時点で 12 万 ft2 規模の生産スペースが稼動
しており、生産能力は 13 年度までに月産 3 万枚にまで拡大していた。成都工場では、 NexFET 低電圧 MOSFET 技術
のほか、 LBC5、 BiCMOS パワー技術などを導入している。
同工場はさらに 13 万 4000ft2 の工場スペースを余しており、同スペースに装置を導入することにより、フルキャパシティ
時では 6 万枚超の生産規模が実現できるものと推定される。同社では、 13 年には成都に 15 年間で総額 16 億 9000 万
米ドルを投じて増強を行う計画を発表している。この計画では、既存工場のほか、工場の土地取得、建物建設、装置
導入費用などが含まれている。既存の成都工場に関しては、市況を見ながら、 300mm ウェーハ対応設備も含めて第 3
期（Phase3）の設備増強を図る。 13 年度には同気
④ 150mm ウェーハ対応工場
日出と HFab が閉鎖されため、 150mm ウェーハ対応工場は SFab のみとなる。同工場は月産 5 万～ 5 万 1000 枚で稼
動している。
（2）投資動向
①設備投資戦略
同社では、全社売上高が 180 億米ドルを超えるまでは、設備投資額を売上高の 4% 程度にとどめ、180 億米ドルを上回っ
ても 4 ～ 7％程度に抑える計画である。このため、 12 年度、 13 年度とも設備投資額は 4 億米ドル台、売上高構成比率
は 3％台にとどまった。
また、工場単位での買収も含めて、中古装置の積極的な活用を進めている。
② 12 年度／ 13 年度投資計画
12 年度の設備投資額は前年度比 39.3％減の 4 億 9500 万米ドルとなった。期初計画の 7 億米ドルから 2 億米ドルの
減額となった。投資の中心は TSV を含む後工程向けとなっている。後工程向け投資は 2 億 5000 万～ 3 億米ドルとなっ
224
●Texas Instruments●
たものと推定される。
前工程については、アナログ IC の生産拠点である RFab の強化が中心だが、ロジックを中心とする DMOS6 について
は強化計画を見直した。これらの向上に向けての投資額は 2 億～ 2 億 5000 万米ドル程度と見込まれる。
投資動向・ 13 年度の設備投資額は同 16.8％減の 4 億 1200 万米ドルとなった。同年度も約半分を後工程の強化に向けている。
工場計画
後工程では UTAC からの成都工場の買収費用が含まれている。同社は 13 年初めに、成都での事業に関して、 15 年間
（続き）
で 16 億 9000 万米ドルの投資を行う計画を発表しており、今回の買収は同計画の一貫となっている。
主な投資先は、前述の UTAC 天津工場の取得（Acquired assembly/test facility）、幅広いリードフレーム分野の生産
性向上のための高性能の組立装置およびテスト装置の購入、前工程分野では RFab 向けの 300mm ウェーハ対応装置
の購入を行っている。このため、60％程度が後工程に向けられている。前工程向けでは 2 億米ドル程度が向けられている。
微細化動向
同社は 45nm 以降のデジタル製品向け最先端プロセスの社内開発から撤退している。最先端プロセスについては、外部
ファンドリ・メーカーとの関係強化をすることで、対象製品の生産委託に加えて、プロセスの自社生産ラインへの取り込
みを行なっていく。 45nm プロセスの開発を行なっており、このプロセス・レベルから外部ファンドリとの技術統合を進め
ていく計画である。ファンドリ・メーカとしては、台湾 Taiwan Semiconductor （TSMC）、 United Microelectronics （UMC）
などとパートナーシップを密接なものとしていく。
□主要前工程／一貫生産拠点所在地
工場名／会社名
DFab、 SPDLl/VLSI、 DMOS 5、 DMOS 6
新 300mm 工場
S Fab
H Fab
Burr-Brown
Freising Fab
日出
美浦
所在地
P.O.Box 655303,13500 North Central Expressway, TX, USA
Renner Road, Richardson, TX, USA
Highway 75 South,Sherman,TX, USA
P.O. Box 1443,12201 Southwest Freeway, TX, USA
6730 S. Tucson Boulevard,　AZ, USA
Haggertystrasse 1, Freising, Germany
大分県速見郡日出町川崎 4260
茨城県稲敷郡美浦村木原 2350
電話番号
1-214-995-2001
□主要組立拠点所在地
工場名／会社名
台湾
Amdanglulu Keland
Singapore
Philippines
所在地
Taipei, Taiwan
Amdanglulu Keland, Malaysia
Singapore
Philippines
電話番号
225
1-903-868-7111
1-713-274-2000
1-602-746-1111
49-8161-801
0977-73-1705
0298-85-3311
●Texas Instruments●
Texas Instruments の半導体生産拠点の概要（EDR の推定を含む）
工場名
ライン名
生産品目
月産能力（万枚）ウェープロセス・
ハ径
レベル
14 年フル稼
（mm）
（μm）
3月
働時
投資額 ( 百万米ドル )
13 年度
推定
12 年～ 14 年トピックス
累積総額
／計画値
DFAB
アナログ、ミクスト･ 4.5
シグナル IC
4.5
200
0.35
－
SPDLl/VLSI
研究開発ライン
0.03
200
0.25
80
DMOS 5
アナログ、ロジック 6
7.5
200
0.11
1200
高性能アナログ製品の製造拠
点
DMOS 6
DSP、ロジック
2.5
2.5
300
65nm/
45nm
80
2800
65nm までの量産対応、 45nm
プロセスも立ち上げている。 11
年には微細化投資を行った
RFAB
アナログ
3.5
4.5
300
65nm
120
3000
第 1 期、第 2 期合わせて生産
能力は月 3 万枚超。第 3 期分
も含むフルキャパシティは 4.5
万～ 5 万枚。
S FAB
ロジック、アナログ 5
5.1
150
1
H Fab
アナログ、ミクスト･ 2.5
シグナル IC、ロジ
ック
2.5
150
0.6 ～
13 年に閉鎖
Ffab　(Freising）
アナログ、ミクスト･ 4.5
シグナル IC
5.2
200
0.35 ～
0.13
SiGe を含む高性能アナログ IC の
生産拠点。 DMOS5 と並ぶ高性能
アナログの最先端ライン。 5 万枚
超までの増強を計画。
0.03
日出
日出 1
ミクスト･シグナル 3
IC、 LCD ドライバ
3.3
150
0.8
13 年に閉鎖。
美浦
Miho8
アナログ、ミクス 7.5
ト･シグナル IC、
DMD、 CCD ・ CIS
7.5
200
0.35 ～
0.11
Miho5 を 200mm ウェーハ対
応に転換、 Miho6 と統合して
Miho8 とした。
会津
JV3
アナログ
3.5
3.5
200
0.35 ～
0.18
製造品目転換により、 1 時生
産能力を落としたが、 13 年度
からは月産 3 万 8000 枚規模
に増強
成都（中
国）
アナログ
3.0
6.0
200
0.25 ～
0.11
空きスペースに装置を導入し
たフルキャパシティでの生産能
力は月産 6 万枚。同社は成都
に後工程を含めて 13 年からの
15 年間で、総額 16 億 9000 万
米ドルの投資を行う計画。
NS ・ Fab3
アナログ、ミクスト 3.5
シグナル、センサ、
ファンドリ
3.5
200
0.5/0.35 ：
CMOS/
Bipola
National Semiconductor （NS）
の工場。従来通り運用する。
NS ・ Mod1
アナログ、ミクスト 2.5
シグナル、センサ、
ファンドリ
3.2
200
0.35 ～
0.18
226

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